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新型功率開關技術和隔離式柵極驅動器不斷變化的格局
基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關技術的出 現促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術的傳統系 統。更高的開關頻率將減小元件尺寸，從而減小成本、系統尺 寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優勢。新型功率 開關還將促使其控制元件發生變化，其中包括柵極驅動器。本 文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET的一些主要差異，以及柵 極驅動器將如何為這些差異提供支持。
2020-08-04
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如何利用IGBT技術實現反并聯二極管的正確設計？
反并聯二極管的正確設計需要考慮各種因素。其中一些與自身技術相關，其它的與應用相關。但是，正向壓降Vf 、反向恢復電荷Qrr 以及Rth與Zth散熱能力 終將構成一種三角關系。
2020-07-27
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安森美將為丹佛斯提供用于逆變器牽引模塊的大功率器件
2020年7月7日 — 推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)和丹佛斯宣布，公司將為丹佛斯硅動力(Danfoss Silicon Power)供應大功率IGBT和二極管，應用于快速增長的電動汽車市場的逆變器牽引模塊。
2020-07-07
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集成自舉二極管和快速過流保護的600V三相柵極驅動器加速了三相電機應用
三相電機運行需要三相逆變器，其一般組成為：6個功率晶體管（MOSFETs或IGBTs）、控制晶體管的柵極驅動器（一個或多個）、實現控制算法（速度、轉矩控制等）的控制邏輯電路（微控制器或微處理器）。
2020-06-29
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如何實現IGBT/MOSFET隔離柵極驅動電路？
IGBT 和功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件，柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的另外兩端是源極和漏極，而對于 IGBT，它們被稱為集電極和發射極。為了操作 MOSFET/IGBT，通常須將一個電壓施加于柵極。
2020-03-26
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MOS管和IGBT管到底區別在哪？該如何選擇？
在電子電路中，MOS 管和 IGBT 管會經常出現，它們都可以作為開關元件來使用，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數也比較相似，那為什么有些電路用 MOS 管？而有些電路用 IGBT 管？
2020-03-18
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趣味解讀IGBT模塊“續流二極管”
IGBT 模塊上有一個“續流二極管”。它有什么作用呢？答：當 PWM 波輸出的時候，它是維持電機內的電流不斷用的。
2020-03-11
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還在用硅基器件做開關電源？是時候考慮eGaN了
本文首先介紹相比基于傳統硅 (Si) MOSFET 或 IGBT 的高頻電源，基于 eGaN 開關元器件的高頻電源優勢。接著會介紹如何使用 EPC、Texas Instruments 和 Navitas Semiconductor的 eGaN 功率級來構建適用于電池充電或服務器農場等應用的 SMPS 設計。
2020-02-26
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IGBT 的工作原理是什么?
IGBT 的等效電路如圖1 所示。由圖1 可知,若在IGBT 的柵極和發射極之間加上驅動正電壓,則MOSFET 導通,這樣PNP 晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態而使得晶體管導通;若IGBT 的柵極和發射極之間電壓為0V,則MOSFET 截止,切斷PNP 晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。
2020-02-24
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分析IGBT短路保護電路的設計
固態電源的基本任務是安全、可靠地為負載提供所需的電能。對電子設備而言，電源是其核心部件。負載除要求電源能供應高質量的輸出電壓外，還對供電系統的可靠性等提出更高的要求。
2020-02-24
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MOSFET和IGBT柵極驅動器電路的基本原理
從 MOSFET 技術和開關運行概述入手，詳細介紹接地參考和高側柵極驅動電路的設計流程，以及交流耦合和變壓器隔離解決方案。該報告還包含了一個特殊部分，專門介紹在同步整流器應用中 MOSFET 的柵極驅動應用的重要性。
2020-01-17
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一文解讀碳化硅功率器件的特點
功率半導體器件作為功率變換系統的核心器件，目前應用最多的仍舊是 IGBT，在很多時候還需要搭配合適的反向并聯二極管。
2020-01-08
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