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探索高壓輸電——第2部分：電壓源換流器
VSC目前已成為首選實施對象，原因如下：VSC具有較低的系統成本，因為它們的配站比較簡單。VSC實現了電流的雙向流動，更易于反轉功率流方向。VSC可以控制AC側的有功和無功功率。VSC不像LCC那樣依賴于AC網絡，因此它們可以向無源負載供電并具有黑啟動能力。使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）閥，則無需進行晶閘管所需的換流操作，并可實現雙向電流流動。
2021-07-08
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用NTC為功率模塊做溫控效果如何？
溫度控制是 MOSFET 或 IGBT 功率模塊有效工作的關鍵因素之一。盡管某些 MOSFET 配有內部溫度傳感器 (體二極管)，但其他方法也可以用來監控溫度。半導體硅 PTC 熱敏電阻可以很好進行電流控制，或鉑基或鈮基(RTD)電阻溫度檢測器可以用較低阻值，達到更高的檢測線性度。無論傳感器采用表面貼裝器件、引線鍵合裸片還是燒結裸片，NTC 熱敏電阻仍是靈敏度優異，用途廣泛的溫度傳感器。只要設計得當，可確保模塊正確降額，并最終在過熱或外部溫度過高的情況下關斷模塊。
2021-07-04
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什么是柵極－源極電壓產生的浪涌？
MOSFET和IGBT等功率半導體作為開關元件已被廣泛應用于各種電源應用和電力線路中。其中，SiC MOSFET在近年來的應用速度與日俱增，它的工作速度非常快，以至于開關時的電壓和電流的變化已經無法忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當SiC MOSFET本身的電壓和電流發生變化時，可能會發生意想不到的正浪涌或負浪涌，需要對此采取對策。
2021-06-10
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如何使用有源米勒鉗位電路來減輕寄生效應
本文主要介紹了由于米勒電容器引起的寄生導通效應，以及如何使用有源米勒鉗位電路來減輕寄生效應。在操作IGBT時面臨的常見問題之一是由于米勒電容器而導致的寄生導通。在0至+15 V型柵極驅動器（單電源驅動器）中，這種影響是明顯的。
2021-05-19
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瑞能半導體將攜IGBT和碳化硅等功率器件新品亮相2021慕尼黑上海電子展覽會
中國上海 - 2021年4月7日 — 2021慕尼黑上海電子展覽會即將于4月14日至16日在上海新國際博覽中心舉辦。慕尼黑上海電子展作為電子行業展覽，是行業內重要的盛事。本屆慕尼黑上海電子展覽會將匯聚近千家國內外優質電子企業，涵蓋從產品設計到應用落地的上下游產業，展示內容包括了半導體、傳感器、物聯網技術、汽車電子及測試等。
2021-04-08
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IGBT雙脈沖測試詳解
電源設備硬件主功率部分的電路性能直接影響產品品質，但開發過程中，在樣機測試階段才能對其性能進行評測。有些公司為保證產品開發進度，僅采取不得已的補救措施，產品不僅非最優設計，甚至會給產品的質量埋下隱患。而我司在產品設計初期就采用IGBT雙脈沖測試，提前對硬件電路設計進行多維度測試評估，在保證產品是最優設計的基礎上，提高產品開發效率。
2021-02-07
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使用 IGBT模塊簡化電機驅動裝置和逆變器的設計
電機和逆變器的使用在工業自動化、機器人、電動汽車、太陽能、白色家電和電動工具等應用中日漸增長。隨著這種增長是對提高效率、降低成本、縮小封裝和簡化整體設計的需求。雖然使用分立式絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 設計定制電機和逆變器功率電子器件以滿足特定要求很有誘惑力，但從長遠來看，這樣做的成本很高，而且會延誤設計進度。
2020-12-28
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具有集成式驅動器和自我保護功能的GaN FET如何實現下一代工業電源設計
氮化鎵(GaN)半導體的物理特性與硅器件不相上下。傳統的電源供應器金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲效率、外形尺寸和散熱的前提下才能提高功率密度。
2020-12-16
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更高能效、穩定可靠的工業驅動模塊和開箱即用的電機開發套件
功率集成模塊(PIM)被廣泛用于驅動、泵、暖通空調 (HVAC)、能源轉換等各個領域，實現對能源的調制及高效利用。安森美半導體的創新的壓鑄模PIM (TMPIM)，集成最佳的IGBT / FRD技術，采用可靠的基板和環氧樹脂壓鑄模技術，比普通的凝膠填充功率模塊提高熱循環使用壽命10倍，提高功率回環使用壽命3倍，有利于逆變器系統實現更高能效、更長的使用壽命及更高可靠性，適用于工業電機驅動、泵、風扇、熱泵、HVAC、伺服控制等多種應用。
2020-12-09
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隔離式柵極驅動器的峰值電流
當考慮使用何種柵極驅動器時，一個常見問題是：驅動器可以提供的峰值電流是多少？峰值電流是柵極驅動器數據手冊中最重要的參數之一。此指標一般被視為決定柵極驅動器驅動強度的終極因素。MOSFET/IGBT的導通、關斷時間與柵極驅動器可以提供的電流有關，但并不能說明全部問題。峰值電流一詞在業界使用非常普遍，許多柵極驅動器數據手冊的標題中包含這一術語。盡管如此，其定義還是會因器件而異。本文討論為特定應用選擇柵極驅動器時使用峰值電流作為決定性因素的問題，并比較數據手冊中一些較常見的峰值電流表示形式。本文對標題中峰值電流數值相似的柵極驅動器進行了比較，并對柵極驅動強度做了討論。
2020-12-02
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雙電壓整流電路設計，IGBT模塊適用于整流電路嗎？
不用兩個整流橋。用一個即可，把2個18伏交流接到整流橋的交流輸入端，把變壓器抽頭0伏接地線（線路板的地線），整流橋直流輸出+ -端接電容器濾波，電容器2個串聯之后正極接整流橋正極+，電容器負極接整流橋負極-，2個串聯的電容器中間引出一根線接地線，也就是雙18伏交流的抽頭，這樣就可以在直流輸出端得到正負20伏的雙電源了。
2020-11-26
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GaN基電源性能的簡易測試技術
今天，大多數電源路線圖都將GaN晶體管作為一個關鍵平臺集成到其中。與Si-mosfet、igbt和SiC-mosfet相比，GaN晶體管的優點意味著工程師們正在將它們廣泛地設計到他們的系統中。然而，GaN晶體管在開關電源中的這些進步也使得表征這些電源的性能變得越來越具有挑戰性。在半橋上測量高邊VGS是診斷晶體管交叉導通的一種傳統方法，對于基于GaN的設計來說是一項艱巨的任務。典型的解決方案是使用高成本的測量設備，這并不總是產生有用的結果。本文介紹了一種利用GaN晶體管的獨特特性測量交叉導通的簡單而經濟的方法。
2020-11-03
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