【導(dǎo)讀】本文主要介紹了由于米勒電容器引起的寄生導(dǎo)通效應(yīng)，以及如何使用有源米勒鉗位電路來(lái)減輕寄生效應(yīng)。在操作IGBT時(shí)面臨的常見(jiàn)問(wèn)題之一是由于米勒電容器而導(dǎo)致的寄生導(dǎo)通。在0至+15 V型柵極驅(qū)動(dòng)器（單電源驅(qū)動(dòng)器）中，這種影響是明顯的。
本文主要介紹了由于米勒電容器引起的寄生導(dǎo)通效應(yīng)，以及如何使用有源米勒鉗位電路來(lái)減輕寄生效應(yīng)。在操作IGBT時(shí)面臨的常見(jiàn)問(wèn)題之一是由于米勒電容器而導(dǎo)致的寄生導(dǎo)通。在0至+15 V型柵極驅(qū)動(dòng)器（單電源驅(qū)動(dòng)器）中，這種影響是明顯的。
介紹
使用IGBT時(shí)，面臨的常見(jiàn)問(wèn)題之一是由于米勒電容器而導(dǎo)致的寄生導(dǎo)通。在0至+15 V型柵極驅(qū)動(dòng)器（單電源驅(qū)動(dòng)器）中，這種影響是明顯的。由于這種柵極-集電極耦合，在IGBT關(guān)斷期間產(chǎn)生的高dV / dt瞬變會(huì)引起寄生導(dǎo)通（門(mén)極電壓尖峰），這有潛在的危險(xiǎn)（圖1）。
通過(guò)米勒電容器的寄生導(dǎo)通：
當(dāng)以半橋方式導(dǎo)通上部IGBT S1時(shí)，下部IGBT S2兩端會(huì)發(fā)生電壓變化dVCE / dt。電流流過(guò)S1的寄生米勒電容器CCG，柵極電阻RGATE和內(nèi)部柵極電阻RDRIVER。圖1顯示了流過(guò)電容器的電流。該當(dāng)前值可以通過(guò)以下公式來(lái)近似：
該電流在柵極電阻兩端產(chǎn)生電壓降。如果該電壓超過(guò)IGBT柵極閾值電壓，則會(huì)發(fā)生寄生導(dǎo)通。應(yīng)該注意的是，IGBT芯片溫度升高會(huì)導(dǎo)致柵極閾值電壓略有降低。
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