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安森美iGaN解密：打造300W游戲電源能效巔峰
當電子設備的性能追求愈發嚴苛，尤其是游戲等高負載場景下的極致體驗，對電源轉換技術提出了前所未有的挑戰：既要磅礴動力（300W級），又需超高效率與緊湊形態。硅基功率器件日漸觸及物理天花板，這驅使產業目光轉向潛力巨大的氮化鎵（GaN）。安森美iGaN技術作為高效能電源的先鋒代表，如何賦能300W游戲適配器的設計？本文將剖析其核心優勢，并深入探討關鍵設計要素如電源管理、旁路電容等實現高效的關鍵點。
2025-08-22
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工業充電器能效革命：碳化硅技術選型與拓撲優化實戰
隨著800V高壓平臺在電動汽車與工業儲能領域加速滲透，傳統硅基功率器件正面臨開關損耗與散熱設計的雙重瓶頸。以碳化硅（SiC）MOSFET為代表的新型半導體，憑借10倍于IGBT的開關頻率和85%的能效提升率，正推動工業充電器架構向高頻化、集成化躍遷。本文深度解析SiC技術賦能的拓撲結構選型策略，揭曉如何在LLC諧振、圖騰柱PFC等創新方案中精準匹配功率器件參數，實現系統成本與性能的黃金平衡點。
2025-08-19
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工業充電器PFC拓撲進化論：SiC如何重塑高效電源設計？
在工業4.0時代，從便攜式電動工具到重型AGV（自動導引車），電池供電設備正加速滲透制造業、倉儲物流和建筑領域。然而，工業級充電器的設計挑戰重重：既要承受嚴苛環境（如高溫、震動、粉塵），又需在120V~480V寬輸入電壓下保持高效穩定，同時滿足輕量化、無風扇散熱的需求。碳化硅（SiC）功率器件的崛起，正為這一難題提供破局關鍵——其超快開關速度和低損耗特性，不僅提升了功率密度，更解鎖了傳統IGBT難以實現的新型PFC（功率因數校正）拓撲。本文將深入解析工業充電器的PFC級設計策略，助您精準選型。
2025-08-18
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光伏充電控制器升級首選？TI GaN 的高效小型化低成本之道
德州儀器最新研究揭示：采用其先進的氮化鎵 (GaN) 功率器件，光伏充電控制器的性能與設計迎來顯著躍升。相較于傳統硅基MOSFET方案，GaN技術不僅大幅提升系統效率，更能有效縮減電路板面積，且關鍵優勢在于——實現這些突破的同時，系統物料成本 (BOM) 可維持不變。
2025-08-04
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意法半導體1600V IGBT新品發布：精準適配大功率節能家電需求
針對高性價比節能家電市場對高效、可靠功率器件的迫切需求，意法半導體近日推出STGWA30IH160DF2 IGBT，該產品以1600V額定擊穿電壓為核心，融合優異熱性能與軟開關拓撲高效運行特性，專為電磁爐、微波爐、電飯煲等大功率家電設計，尤其適配需并聯使用的場景，助力家電產品在節能與性能間實現平衡。
2025-07-16
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驅動器技術全景圖：從原理到國產替代的破局之路
驅動器作為電子系統中的能量調度中樞，通過將微控制器的低功率信號轉換為高功率驅動信號，實現對電機、功率器件、LED等負載的精確控制。其核心價值在于解決控制單元與執行單元間的能量鴻溝——在保障電氣安全隔離的同時，提升能效與可靠性。隨著工業4.0與電動汽車的爆發式增長，驅動器技術正經歷從“單一功能”向“智能集成”的范式躍遷。
2025-07-08
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從實驗室到市場：碳化硅功率器件如何突破可靠性瓶頸
從 MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導體產品是我們生活中無數電子設備的核心。 從醫療設備和可再生能源基礎設施，到個人電子產品和電動汽車 (EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設備的持續運行。
2025-05-16
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功率器件新突破！氮化鎵實現單片集成雙向開關
氮化鎵（GaN）單片雙向開關正重新定義功率器件的電流控制范式。 傳統功率器件（如MOSFET或IGBT）僅支持單向主動導通，反向電流需依賴體二極管或外接抗并聯二極管實現第三象限傳導。這種被動式反向導通不僅缺乏門極控制能力，更因二極管壓降導致效率損失。為實現雙向可控傳導，工程師常采用背對背（B2B）拓撲級聯兩個器件，卻因此犧牲了功率密度并增加了系統復雜度。
2025-05-11
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迎刃而解——華大九天Polas利器應對功率設計挑戰
電源管理集成電路（PMIC）設計涉及電源轉換、電壓調節、電流管理等核心領域。隨著技術節點的演進，功率器件面臨著更大的電壓差、更高的電流密度以及更為嚴苛的功率/熱耗散要求；金屬互聯層的電阻在整體導通電阻中的占比越來越大；異形大金屬圖層以及功率器件拆分方式對參數提取的準確性造成了影響；封裝對芯片內電氣特性的影響亦愈發顯著。這些因素共同對功率設計在電遷移（EM）、熱性能（Thermal）和導通電阻（RDSon）等可靠性方面帶來了新的挑戰。此外，如何高效地驅動具有較大有效柵極寬度的PowerMOS，以及如何防止上下管開關切換過程中的穿通漏電現象，也成為功率設計領域的核心難題。
2025-02-13
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使用MSO 5/6內置AWG進行功率半導體器件的雙脈沖測試
SiC器件的快速開關特性包括高頻率，要求測量信號的精度至少達到100MHz或更高帶寬 (BW)，這需要使用額定500MHz或更高頻率的示波器和探頭。在本文中，寬禁帶功率器件供應商Qorvo與Tektronix合作，基于實際的SiC被測器件 (DUT)，描述了實用的解決方案。
2025-01-26
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功率器件熱設計基礎（十三）——使用熱系數Ψth(j－top)獲取結溫信息
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。
2025-01-24
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功率器件熱設計基礎（十二）——功率半導體器件的PCB設計
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。
2025-01-14
- 安森美與舍弗勒強強聯手，EliteSiC技術驅動新一代PHEV平臺
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