【導讀】自 2018 年啟動工控與儲能市場戰(zhàn)略布局以來，上海貝嶺始終聚焦光伏儲能、伺服變頻、工業(yè)電源、BMS、電動工具、電動車等核心領域，專注于為客戶打造高性價比的半導體產(chǎn)品及系統(tǒng)解決方案。公司產(chǎn)品矩陣覆蓋電源管理、信號鏈產(chǎn)品、功率器件三大核心領域，依托功率器件、電源管理、接口芯片、隔離器、存儲器、馬達驅(qū)動、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換、標準信號八大產(chǎn)品線，成功構建起全面的模擬與數(shù)模混合產(chǎn)品解決方案平臺。其中，在高壓電機驅(qū)動領域，公司產(chǎn)品覆蓋率已突破 80%。
圖 1：高壓電機驅(qū)動典型框圖
一、主功率鏈產(chǎn)品介紹
在高壓電機驅(qū)動主功率鏈的產(chǎn)品供給上，上海貝嶺可提供 650V 全系列 IGBT 產(chǎn)品，同時搭配柵極驅(qū)動產(chǎn)品形成完整配套，具體產(chǎn)品信息如下：
（一）650V 10A~75A 系列 IGBT 產(chǎn)品
650V 10A~75A 系列 IGBT 產(chǎn)品圖片（封裝形式）
該系列產(chǎn)品基于上海貝嶺 G2 Trench FS IGBT 工藝平臺研發(fā)，工藝水平對標市場主流 H4 代產(chǎn)品。產(chǎn)品采用 3um pitch 微溝槽工藝，正面結構經(jīng)過精心設計，優(yōu)化 “Gate 溝槽 + dummy 溝槽” 比例，背面則運用改進的 H FS 工藝，不僅實現(xiàn)了出色的 Vcesat-Eoff 折衷特性，還具備優(yōu)秀的短路能力；終端部分采用優(yōu)化的 “FLR + 場板技術”，最高工作結溫可達 175℃，且能通過 HV-H3TRB 加嚴可靠性測試。
針對不同應用場景，該系列提供三個版本的電機驅(qū)動產(chǎn)品：
低頻版：采用先進的正面結構設計，在 Vge≤15V 條件下，短路能力達 tsc=5us，同時擁有較低的 Vcesat，推薦應用頻率為 2~25kHz，目前已在高壓伺服、工業(yè)縫紉機、跑步機等電機驅(qū)動市場實現(xiàn)批量應用；
低頻版 plus：對正面結構進一步優(yōu)化，Vge≤16.5V 時短路能力保持 tsc=5us，Vcesat 典型值為 1.55V，能為變頻器等電機驅(qū)動應用提供更適配的支持；
高頻版：憑借優(yōu)異的 Vcesat-Eoff 折衷特性，可滿足客戶最高 60kHz 的電機驅(qū)動應用頻率需求。
（二）650V 80A~200A 系列 IGBT 產(chǎn)品
650V 80A~200A 系列 IGBT 產(chǎn)品圖片（封裝形式）
此系列基于上海貝嶺 G3 Trench FS IGBT 工藝平臺，對標市場主流 H5 代與 H7 代產(chǎn)品工藝。采用更先進的 1.6um pitch 微溝槽工藝，正面結構通過優(yōu)化 “Gate 溝槽 + E 短接溝槽 + dummy 溝槽” 三種溝槽的設計比例，背面結合改進的 H FS 工藝，在實現(xiàn)較低 Vceast 的同時，具備良好的開關損耗表現(xiàn)，充分滿足電機驅(qū)動應用對短路能力的要求；終端采用優(yōu)化的 “VLD 技術”，在提升芯片有效面積占比的同時，最高工作結溫可達 175℃，且可通過 HV-H3TRB 加嚴可靠性測試。
該系列同樣提供三個版本的電機驅(qū)動產(chǎn)品：
低頻版：Vcesat 典型值為 1.5V，Vge≤15V 時短路能力達 tsc=3us，推薦應用頻率 2~25kHz；
高頻版：Vcesat 典型值為 1.5V，推薦應用頻率 20~30kHz，適用于光伏儲能、工業(yè)焊機等領域；
特高頻版：Vcesat 典型值為 1.6V，推薦應用頻率 30~50kHz，主要應用于充電樁、工業(yè)電源、工業(yè)焊機等場景。
此外，為滿足不同客戶的個性化需求，該系列還可提供低頻版 plus 定制服務，定制產(chǎn)品可實現(xiàn) Vge≤16.5V、tsc=5us 的短路能力，Vcesat 典型值為 1.5V。
（三）柵極驅(qū)動產(chǎn)品 - SA3626A/BL2601A
SA2636A：一款最高耐壓 650V 的全橋驅(qū)動器，主要用于驅(qū)動三相系統(tǒng)中的 MOSFET 或 IGBT。其低側(cè)兼容 3.3V 邏輯控制，具備 300mA/600mA 的拉灌電流能力；芯片集成欠壓鎖定功能與可調(diào)電阻過流檢測功能，出現(xiàn)故障時可立即關斷所有開關并輸出錯誤信號，同時內(nèi)置 290ns 死區(qū)時間，有效提升電機驅(qū)動系統(tǒng)的安全性。
BL2601A：專為驅(qū)動雙 NMOS 或 IGBT 設計的高壓半橋柵極驅(qū)動芯片，工作電壓最高可達 600V。芯片內(nèi)置 VCC/VBS 欠壓保護（UVLO）功能，輸入兼容 3.3-15V 邏輯，上下管延時匹配典型值為 50ns，驅(qū)動能力達 + 0.3A/-0.6A，采用 SOP8 封裝。
二、高壓電機驅(qū)動系統(tǒng)全鏈路芯片一站式選型指南
在高壓電機驅(qū)動系統(tǒng)中，除核心的電機驅(qū)動主功率變換鏈外，高效的電源管理與精確的信號處理，同樣是保障系統(tǒng)穩(wěn)定、可靠運行的關鍵要素。上海貝嶺依托全面的模擬芯片產(chǎn)品線，可為高壓電機驅(qū)動系統(tǒng)提供完整配套解決方案：其中，電源管理芯片（包括 PWM 控制器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、LDO 及穩(wěn)壓器等），能為電機驅(qū)動系統(tǒng)中的控制電路、傳感器及接口提供穩(wěn)定、潔凈的各級供電；信號鏈芯片（涵蓋隔離接口、運算放大器、EEPROM 等）則承擔關鍵信號的隔離、調(diào)理、通信及數(shù)據(jù)存儲功能。這兩類芯片與電機驅(qū)動主功率鏈協(xié)同運作，共同構建起高性能、高集成度的電機驅(qū)動平臺。
