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可再生電力：道達(dá)爾能源將在15年內(nèi)為意法半導(dǎo)體法國供電1.5億千瓦時(shí)
道達(dá)爾能源公司 (TotalEnergies) 與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 簽署了一份實(shí)體購電協(xié)議，為意法半導(dǎo)體位于法國的工廠供應(yīng)可再生電力，這份為期十五年的合同于 2025 年 1 月生效，總購電量為 1.5 億千瓦時(shí) (TW...
2025-02-18
可再生電力 道達(dá)爾能源 意法半導(dǎo)體
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低壓電源MOSFET設(shè)計(jì)
低抗性（RDS（ON））以減少傳導(dǎo)過程中的功率損失，從而提高能源效率。當(dāng)設(shè)備打開時(shí)，低壓MOSFET的排水源電阻特別低，從而地減少了功率損耗。這對于效率至關(guān)重要，因?yàn)榈蚏D（ON）意味著在傳導(dǎo)過程中降低電阻損失高開關(guān)速度，用于快速切換操作；在DC-DC轉(zhuǎn)換器和高頻切換電路等應(yīng)用中至關(guān)重要。
2025-02-14
低壓電源 MOSFET
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如何防止掉電狀況下的系統(tǒng)出錯(cuò)？
嵌入式系統(tǒng)等需要進(jìn)行大量計(jì)算和數(shù)據(jù)處理的應(yīng)用，通常使用微控制器、微處理器和現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)等器件來執(zhí)行復(fù)雜的計(jì)算例程，因?yàn)檫@些器件具有多功能性、高速度和靈活性。然而，這些推薦使用的器件也存在限制和不同的電源要求，如果在系統(tǒng)開發(fā)的早期階段未加考慮，系統(tǒng)的性能和可靠性可能會...
2025-01-17
掉電狀況 系統(tǒng)出錯(cuò)
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IGBT的并聯(lián)知識點(diǎn)梳理：靜態(tài)變化、動態(tài)變化、熱系數(shù)
大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來處理高達(dá)數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負(fù)載，并聯(lián)器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時(shí)也是為了系統(tǒng)冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會影響并聯(lián)器件的靜態(tài)和動態(tài)電流分配。系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師需要了解這些，...
2025-01-16
IGBT 并聯(lián) 靜態(tài)變化 動態(tài)變化 熱系數(shù)
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用于狀態(tài)監(jiān)測的振動傳感器
機(jī)械振動可能由于內(nèi)部或外部因素而發(fā)生。內(nèi)部因素是機(jī)器條件所固有的。內(nèi)部因素的例子有磨損、不平衡力和共振。當(dāng)齒輪、滾柱軸承和傳動皮帶等高強(qiáng)度運(yùn)動部件磨損時(shí)，磨損會產(chǎn)生振動。不平衡力可能是由于機(jī)器軸未對準(zhǔn)或旋轉(zhuǎn)軸周圍的重量不平衡造成的。共振是一種可以放大振動的現(xiàn)象。當(dāng)一個(gè)物體的振...
2025-01-13
狀態(tài)監(jiān)測 振動傳感器
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第13講：超小型全SiC DIPIPM
三菱電機(jī)從1997年開始將DIPIPM產(chǎn)品化，廣泛應(yīng)用于空調(diào)、洗衣機(jī)、冰箱等白色家用電器，以及通用變頻器、機(jī)器人等工業(yè)設(shè)備。本公司的DIPIPM功率模塊采用壓注模結(jié)構(gòu)，由功率芯片和具有驅(qū)動及保護(hù)功能的控制IC芯片組成。通過優(yōu)化功率芯片和控制IC，預(yù)先調(diào)整了開關(guān)速度等特性。搭載驅(qū)動電路、保護(hù)電路、...
2025-01-09
SiC DIPIPM
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深化綠色承諾，ST與彭水共繪可持續(xù)發(fā)展新篇章
作為全球最早承諾實(shí)現(xiàn)碳中和的半導(dǎo)體企業(yè)之一，意法半導(dǎo)體將可持續(xù)發(fā)展視為釋放企業(yè)競爭力，推動產(chǎn)業(yè)增長的重要手段。通過研發(fā)碳化硅等綠色技術(shù)和產(chǎn)品，堅(jiān)持可持續(xù)發(fā)展的方式，打造為利益相關(guān)者創(chuàng)造長遠(yuǎn)價(jià)值的可持續(xù)企業(yè)，助力全球綠色生產(chǎn)力的蓬勃發(fā)展。
2025-01-09
ST 彭水 可持續(xù)發(fā)展
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原來為硅MOSFET設(shè)計(jì)的DC－DC控制器能否用來驅(qū)動GaNFET?
眾所周知，GaNFET比較難驅(qū)動，如果使用原本用于驅(qū)動硅(Si) MOSFET的驅(qū)動器，可能需要額外增加保護(hù)元件。適當(dāng)選擇正確的驅(qū)動電壓和一些小型保護(hù)電路，可以為四開關(guān)降壓-升壓控制器提供安全、一體化、高頻率GaN驅(qū)動。
2025-01-07
硅MOSFET DC－DC控制器 GaNFET
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PNP 晶體管：特性和應(yīng)用
您可能很清楚，現(xiàn)代電氣工程乃至整個(gè)現(xiàn)代世界都與晶體管設(shè)備有著千絲萬縷的聯(lián)系。這些組件既充當(dāng)開關(guān)又充當(dāng)放大器。盡管場效應(yīng)晶體管目前在電子領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位，但初的晶體管是雙極晶體管，并且很快個(gè)雙極結(jié)晶體管（BJT）就緊隨其后。
2025-01-07
PNP 晶體管
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