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厚膜電阻在工業控制裝備中的核心應用與選型實踐
厚膜電阻憑借其高可靠性、耐環境性及成本優勢,已成為工業控制裝備中不可或缺的被動元件。本文圍繞 PLC模擬信號調理 和 變頻器IGBT驅動 兩大場景,結合具體技術參數與真實案例,解析厚膜電阻的選型策略及頭部原廠解決方案。
2025-05-25
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功率器件新突破!氮化鎵實現單片集成雙向開關
氮化鎵(GaN)單片雙向開關正重新定義功率器件的電流控制范式。 傳統功率器件(如MOSFET或IGBT)僅支持單向主動導通,反向電流需依賴體二極管或外接抗并聯二極管實現第三象限傳導。這種被動式反向導通不僅缺乏門極控制能力,更因二極管壓降導致效率損失。為實現雙向可控傳導,工程師常采用背對背(B2B)拓撲級聯兩個器件,卻因此犧牲了功率密度并增加了系統復雜度。
2025-05-11
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驅動電路設計(七)——自舉電源在5kW交錯調制圖騰柱PFC應用
隨著功率半導體IGBT,SiC MOSFET技術的發展和系統設計的優化,電平位移驅動電路應用場景越來越廣,電壓從600V拓展到了1200V。英飛凌1200V電平位移型頸驅動芯片電流可達+/-2.3A,可驅動中功率IGBT,包括Easy系列模塊。目標10kW+應用,如商用HVAC、熱泵、伺服驅動器、工業變頻器、泵和風機。本文就來介紹一個設計案例,采用電平位移驅動器碳化硅SiC MOSFET 5kW交錯調制圖騰柱PFC評估板。
2025-05-07
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能效升級新引擎!拆解IGBT的三大技術優勢
在消費電子市場高速發展的當下,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)已成為現代家電設備中不可或缺的核心器件。憑借其優異的開關特性、低導通損耗及出色的熱管理能力,IGBT技術正持續推動家電產品能效升級。安世半導體推出的650 V G3 IGBT平臺產品,通過性能優化與可靠性提升,為家電設備的高效化、節能化發展提供了關鍵解決方案。
2025-05-07
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第18講:SiC MOSFET的動態特性
SiC MOSFET的閾值電壓(VGS(th))通常低于Si IGBT。降低閾值電壓可降低SiC MOSFET的通態電阻。驅動SiC MOSFET需要對柵極施加負偏壓,并仔細設計控制電路布線,這是為了防止噪聲干擾引起的故障。此外,閾值電壓隨著溫度升高而降低(圖1),因此建議在高溫運行期間檢查是否有異常。
2025-04-07
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第15講:高壓SiC模塊封裝技術
SiC芯片可以高溫工作,與之對應的連接材料和封裝材料都需要相應的變更。三菱電機高壓SiC模塊支持175℃工作結溫,其封裝技術相對傳統IGBT模塊封裝技術做了很大改進,本文帶你詳細了解內部的封裝技術。
2025-02-14
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功率器件熱設計基礎(十三)——使用熱系數Ψth(j-top)獲取結溫信息
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統成本,并保證系統的可靠性。
2025-01-24
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IGBT并聯設計指南,拿下!
大功率系統需要并聯 IGBT來處理高達數十千瓦甚至數百千瓦的負載,并聯器件可以是分立封裝器件,也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱,有時也是為了系統冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化,會影響并聯器件的靜態和動態電流分配。
2025-01-24
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第14講:工業用NX封裝全SiC功率模塊
三菱電機開發了工業應用的NX封裝全SiC功率模塊,采用低損耗SiC芯片和優化的內部結構,與現有的Si-IGBT模塊相比,顯著降低了功率損耗,同時器件內部雜散電感降低約47%。
2025-01-24
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IGBT的并聯知識點梳理:靜態變化、動態變化、熱系數
大功率系統需要并聯 IGBT來處理高達數十千瓦甚至數百千瓦的負載,并聯器件可以是分立封裝器件,也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱,有時也是為了系統冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化,會影響并聯器件的靜態和動態電流分配。系統設計工程師需要了解這些,才能設計出可靠的系統。
2025-01-16
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功率器件熱設計基礎(十二)——功率半導體器件的PCB設計
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統成本,并保證系統的可靠性。
2025-01-14
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IGBT 模塊在頗具挑戰性的逆變器應用中提供更高能效
制造商和消費者都在試圖擺脫對化石燃料能源的依賴,電氣化方案也因此廣受青睞。這對于保護環境、限制污染以及減緩破壞性的全球變暖趨勢具有重要意義。電動汽車 (EV) 在全球日益普及,眾多企業紛紛入場,試圖將商用和農業車輛 (CAV) 改造成由電力驅動。
2025-01-08
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