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第18講：SiC MOSFET的動(dòng)態(tài)特性
SiC MOSFET的閾值電壓（VGS(th)）通常低于Si IGBT。降低閾值電壓可降低SiC MOSFET的通態(tài)電阻。驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET需要對柵極施加負(fù)偏壓，并仔細(xì)設(shè)計(jì)控制電路布線，這是為了防止噪聲干擾引起的故障。此外，閾值電壓隨著溫度升高而降低（圖1），因此建議在高溫運(yùn)行期間檢查是否有異常。
2025-04-07
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第15講：高壓SiC模塊封裝技術(shù)
SiC芯片可以高溫工作，與之對應(yīng)的連接材料和封裝材料都需要相應(yīng)的變更。三菱電機(jī)高壓SiC模塊支持175℃工作結(jié)溫，其封裝技術(shù)相對傳統(tǒng)IGBT模塊封裝技術(shù)做了很大改進(jìn)，本文帶你詳細(xì)了解內(nèi)部的封裝技術(shù)。
2025-02-14
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十三）——使用熱系數(shù)Ψth(j－top)獲取結(jié)溫信息
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2025-01-24
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IGBT并聯(lián)設(shè)計(jì)指南，拿下！
大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來處理高達(dá)數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負(fù)載，并聯(lián)器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時(shí)也是為了系統(tǒng)冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會(huì)影響并聯(lián)器件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)電流分配。
2025-01-24
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第14講：工業(yè)用NX封裝全SiC功率模塊
三菱電機(jī)開發(fā)了工業(yè)應(yīng)用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有的Si-IGBT模塊相比，顯著降低了功率損耗，同時(shí)器件內(nèi)部雜散電感降低約47%。
2025-01-24
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IGBT的并聯(lián)知識(shí)點(diǎn)梳理：靜態(tài)變化、動(dòng)態(tài)變化、熱系數(shù)
大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來處理高達(dá)數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負(fù)載，并聯(lián)器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時(shí)也是為了系統(tǒng)冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會(huì)影響并聯(lián)器件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)電流分配。系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師需要了解這些，才能設(shè)計(jì)出可靠的系統(tǒng)。
2025-01-16
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十二）——功率半導(dǎo)體器件的PCB設(shè)計(jì)
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2025-01-14
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IGBT 模塊在頗具挑戰(zhàn)性的逆變器應(yīng)用中提供更高能效
制造商和消費(fèi)者都在試圖擺脫對化石燃料能源的依賴，電氣化方案也因此廣受青睞。這對于保護(hù)環(huán)境、限制污染以及減緩破壞性的全球變暖趨勢具有重要意義。電動(dòng)汽車 (EV) 在全球日益普及，眾多企業(yè)紛紛入場，試圖將商用和農(nóng)業(yè)車輛 (CAV) 改造成由電力驅(qū)動(dòng)。
2025-01-08
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柵極驅(qū)動(dòng)器選得好，SiC MOSFET高效又安全
硅基MOSFET和IGBT過去一直在電力電子應(yīng)用行業(yè)占據(jù)主導(dǎo)地位，這些應(yīng)用包括不間斷電源、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、泵以及電動(dòng)汽車（EV）等。然而，市場對更小型化產(chǎn)品的需求，以及設(shè)計(jì)人員面臨的提高電源能效的壓力，使得碳化硅（SiC）MOSFET成為這些應(yīng)用中受歡迎的替代品。
2025-01-06
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（八）——利用瞬態(tài)熱阻計(jì)算二極管浪涌電流
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-25
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（六）——瞬態(tài)熱測量
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-09
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安森美榮獲2024年亞洲金選車用電子解決方案供應(yīng)商獎(jiǎng)及年度最佳功率半導(dǎo)體獎(jiǎng)
智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者安森美再次榮膺電子行業(yè)資深媒體集團(tuán)ASPENCORE頒發(fā)的2024亞洲金選獎(jiǎng)（EE Awards Asia)之車用電子解決方案供應(yīng)商獎(jiǎng)，彰顯其在車用領(lǐng)域的卓越表現(xiàn)和領(lǐng)先地位。同期，安森美第 7 代 1200V QDual3 IGBT功率模塊獲得年度最佳功率半導(dǎo)體獎(jiǎng)，基于新的場截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術(shù)帶來出色的效能表現(xiàn)獲得業(yè)界肯定。
2024-12-06
- 從噪聲抑制到功耗優(yōu)化：CTSD如何重塑現(xiàn)代信號(hào)鏈架構(gòu)
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