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IGBT驅動芯片進入可編程時代，英飛凌新品X3有何玄機？
俗話說，好馬配好鞍，好IGBT自然也要配備好的驅動IC。一顆好的驅動不僅要提供足夠的驅動功率，最好還要有完善的保護功能，例如退飽和保護、兩電平關斷、軟關斷、欠壓保護等，為IGBT的安全運行保駕護航。
2023-09-19
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如何選擇和開始使用功率器件驅動器
所有的分立式開關功率器件都需要驅動器，無論這些器件是分立式金屬氧化物硅場效應晶體管 (MOSFET)、碳化硅 (SiC) MOSFET、絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 還是模塊。驅動器是系統處理器的低電壓、低電流輸出端與開關器件之間的接口元件或“橋梁”，前者在受控的良好環境中運行，而后者則在惡劣條件下工作，對電流、電壓和定時有著嚴格的要求。
2023-09-14
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具有反向阻斷功能的新型 IGBT
新型 IGBT 已開發出來，具有反向阻斷能力。各種應用都需要此功能，例如電流源逆變器、諧振電路、雙向開關或矩陣轉換器。本文介紹了單片芯片的技術及其運行行為，并通過典型電路中的個樣本進行了測量。
2023-09-06
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不同殼溫下SOA曲線的計算方法
安全工作區(SOA)定義為IGBT可以預期在沒有自損壞或退化的情況下工作的電流和電壓條件，分為正向偏置和反向偏置安全工作區（FBSOA和RBSOA）。正向偏置安全工作區(FBSOA)定義了IGBT開啟期間的可用電流和電壓條件。反向偏置安全工作區(RBSOA)定義了IGBT關斷期間的可用電流和電壓條件。在實踐中，SOA曲線是工程師的重要參考之一。工程師必須考慮到所有的極限工況，同時保證器件的工作時的參數都在SOA之內。不僅需要在安全工作區域內使用IGBT，而且還需要控制器件的工作溫度。
2023-08-23
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有效測量碳化硅信號
碳化硅（SiC）技術已超越傳統的硅（Si）絕緣柵雙極晶體管（IGBT）應用，因為它具有大功率系統的主要熱和電氣優勢。這些優勢包括更高的開關頻率、更高的功率密度、更好的工作溫度、更高的電流/電壓能力以及整體更好的可靠性和效率。SiC器件正在迅速取代基于硅的組件和模塊，作為系統升級和系統設計的新選擇。
2023-08-22
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IGBTs給高功率帶來了更多的選擇
絕緣柵雙極性晶體管（IGBT）面市已有些時日，事實上，通用電氣（GE）早在1983年6月就發布了其首款IGBT產品。從那時起，IGBT成為了中壓和高壓（>200 V ）應用的主要器件，包括供暖通風與空氣調節（HVAC）系統以及電焊和感應加熱等高電流應用。隨著太陽能面板、電動汽車充電器和工業伺服電機的日益普及，市場對高壓解決方案的需求也在不斷攀升。為了滿足各個行業的需求，并進一步完善持續擴大的高壓技術產品組合（GaN和SiC），Nexperia （安世半導體）正在推出多個 IGBT系列，首先便是600 V 器件。
2023-08-22
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BLDC 電機控制設計
在無刷電機中，電流反轉是通過微控制器控制的一組功率晶體管（通常是 IGBT）以電子方式獲得的。驅動它們的主要問題是了解電機的準確位置；只有這樣控制器才能確定驅動哪一相。轉子的位置通常使用霍爾效應傳感器或光學傳感器獲得。在效率方面，由于摩擦減少，無刷電機比同等交流電機產生的熱量少得多。
2023-08-17
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如何優化SiC MOSFET的柵極驅動？這款IC方案推薦給您
在高壓開關電源應用中，相較傳統的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET有明顯的優勢。使用硅MOSFET可以實現高頻（數百千赫茲）開關，但它們不能用于非常高的電壓（>1000 V）。而IGBT雖然可以在高壓下使用，但其 "拖尾電流 "和緩慢的關斷使其僅限于低頻開關應用。SiC MOSFET則兩全其美，可實現在高壓下的高頻開關。然而，SiC MOSFET的獨特器件特性意味著它們對柵極驅動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關性能的柵極驅動器。在這篇文章中，我們討論了SiC MOSFET器件的特點以及它們對柵極驅動電路的要求，然后介紹了一種能夠解決這些問題和其它系統級考慮因素的IC方案。
2023-08-15
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電機控制設計基礎知識
軟件和硬件都是所有電機控制系統的一部分，例如 IGBT、WBG 半導體和 MCU。工業4.0的發展強烈依賴于電機控制，但能源消耗是一個關鍵問題，因為它正在快速增長，并且需求隨著設計的復雜性而增長，因為許多電子技術都有嚴格的控制要求。寬帶隙 (WBG) 材料就是這種情況的一個例子。
2023-08-15
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IGBT單管數據手冊參數解析——下
IGBT是大家常用的開關功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數據手冊，對手冊中的一些關鍵參數和圖表進行解釋說明，用戶可以了解各參數的背景信息，以便合理地使用IGBT。
2023-08-14
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IGBT如何選擇，你真的了解嗎？
最近，碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶半導體的應用日益增多，受到廣泛關注。然而，在這些新技術出現之前，許多高功率應用都是使用高效、可靠的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)，事實上，許多此類應用仍然適合繼續使用 IGBT。在本文中，我們介紹 IGBT 器件的結構和運行，并列舉多種不同 IGBT 應用的電路拓撲結構，然后探討這種多用途可靠技術的新興拓撲結構。
2023-08-04
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使用SiC MOSFET和Si IGBT柵極驅動優化電源系統
在電動汽車 (EV) 和光伏 (PV) 系統等綠色能源應用所需的 DC-DC 轉換器、電池充電器、電機驅動器和交流 (AC) 逆變器中，碳化硅 (SiC) MOSFET 和硅 (Si) IGBT 是關鍵元件。但是如要獲得最高的效率，SiC MOSFET 和 Si IGBT 的柵極在導通和關斷時需要精確的驅動電壓（具體取決于所使用的器件）。
2023-08-03
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