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逆變電源的IGBT保護技術
本文通過分析IGBT的結構及其安全工作區，解釋了在實際應用中可能造成其損壞的原因，并利用硬件電路結合單片機的控制程序對弧焊逆變電源的IGBT 采取相應措施進行保護，從而確保了IGBT安全可靠的工作。
2009-07-15
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IGBT驅動器輸出計算
絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是應用廣泛的功率半導體器件，驅動器的合理設計對于IGBT的有效使用極為重要。本文就利用柵極電荷特性的考慮，介紹 了一些計算用于開關IGBT的驅動器輸出性能的方法。
2009-07-15
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節能技術研討會閉幕 低碳經濟催熱新型節能技術
2010年4月15日，深圳—電子元件技術網攜手第75屆中國電子展和China Outlook Consulting在深圳會展中心牡丹廳舉辦的“第三屆新型節能設計技術研討會”已圓滿結束。低碳經濟及其技術實現，成為了研討會探討的焦點話題，LED照明電源設計、新型IGBT、儲能電容、MCU的節能應用，作為滿足當前新型節能減碳設計的最熱門技術，收到與會者的關注。有300名左右的專業聽眾參加了研討會的活動。
2009-07-14
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混合動力汽車前景看好 IGBT成驅動核心
混合動力汽車是大規模應用新能源汽車的切入點。功率半導體器件與模塊在混合動力汽車中起著不可替代的作用。除降低成本之外，混合動力汽車還需要在電池、電動、傳動及電氣系統等方面得到改善。
2009-07-01
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ACPL-312U：安華高可在延伸溫度范圍下工作的2.5A 門極驅動光電耦合器
安華高科技推出業內第一款可以在延伸溫度范圍下工作的 2.5A 門極驅動光電耦合器ACPL-312U。它具有高速響應，低功耗，-40°C 到 125°C 的延伸工業溫度范圍，采用標準 DIP-8 封裝。可直接推動達 1200V/100A 的 IGBT 晶體管。
2009-05-27
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STY112N65M5：ST太陽能電池功率調節器用MOSFET
意法半導體（ST）開發出了用于配備太陽能電池功率調節器的MOSFET。耐壓650V，有最大導通電阻為0.022Ω（漏極電流為93A）的“STY112N65M5”和最大導通電阻0.038Ω（漏極電流為66A）的“STW77N65M5”。 此前，太陽能電池功率調節器一直使用IGBT，但由于MOSFET的導通電阻不斷降低，因此MOSFET正逐漸取代IGBT。
2009-02-25
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滿足可再生能源和傳統電機驅動應用 英飛凌擴產功率模塊
近日，英飛凌科技股份公司宣布，該公司正在擴建其位于匈牙利Cegléd的功率模塊生產工廠，以滿足日益增長的對于可再生能源和傳統電機驅動系統的需求。2012年英飛凌計劃使Cegléd工廠的IGBT模塊達到年產近600萬塊。
2009-02-12
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TIG058E8：三洋半導體開發出面積縮小60％的手機閃光燈用IGBT
三洋半導體開發出了面積比原產品縮小約60%的氙氣閃光燈（Xenon Flash）用IGBT“TIG058E8”。主要用于手機的拍照功能。可通過IGBT的開關操作瞬間釋放電容器內存儲的電力，使氙氣管發光。
2009-02-02
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IGBT模塊的并聯：從最壞情況模擬到完全統計方法
IGBT模塊在并聯時的降額必然性問題是個關鍵的問題，之前采用的方法是最壞情況分析方法，英飛凌公司現在推出蒙特卡羅模擬工具。最差情況分析結果僅僅表明最高結溫可能達到IGBT的溫度限值，蒙特卡羅分析則提供更詳細的信息。
2009-02-01
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1200V IGBT4：具備優化特性的英飛凌新一代功率半導體
對于采用先進、高效的變頻器的工業節能應用市場而言，經過優化的各種功率半導體是不可或缺的。英飛凌推出的全新1200V IGBT4 系列，結合改進型發射極控制二極管，針對高中低功率應用提供了三款產品，可面向不同應用滿足現代化變頻器的要求。
2009-01-22
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將IGBT 用于不間斷電源中
本文介紹了絕緣柵雙極晶體管（IGBT）在不間斷電源系統中的應用情況，分析了IGBT 在UPS 中損壞的主要原因和實際應用中應注意的問題。
2008-12-15
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高性能IGBT提高太陽能逆變器效率
飛兆半導體的截止溝道式IGBT適用于不間斷電源、太陽能逆變器以及微波爐和感應加熱類的應用，可以幫助設計師減少傳導損耗和開關損耗，實現極高的效率。
2008-11-25
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