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ACPL-312U：安華高可在延伸溫度范圍下工作的2.5A 門極驅動光電耦合器
安華高科技推出業內第一款可以在延伸溫度范圍下工作的 2.5A 門極驅動光電耦合器ACPL-312U。它具有高速響應，低功耗，-40°C 到 125°C 的延伸工業溫度范圍，采用標準 DIP-8 封裝。可直接推動達 1200V/100A 的 IGBT 晶體管。
2009-05-27
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STY112N65M5：ST太陽能電池功率調節器用MOSFET
意法半導體（ST）開發出了用于配備太陽能電池功率調節器的MOSFET。耐壓650V，有最大導通電阻為0.022Ω（漏極電流為93A）的“STY112N65M5”和最大導通電阻0.038Ω（漏極電流為66A）的“STW77N65M5”。 此前，太陽能電池功率調節器一直使用IGBT，但由于MOSFET的導通電阻不斷降低，因此MOSFET正逐漸取代IGBT。
2009-02-25
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滿足可再生能源和傳統電機驅動應用 英飛凌擴產功率模塊
近日，英飛凌科技股份公司宣布，該公司正在擴建其位于匈牙利Cegléd的功率模塊生產工廠，以滿足日益增長的對于可再生能源和傳統電機驅動系統的需求。2012年英飛凌計劃使Cegléd工廠的IGBT模塊達到年產近600萬塊。
2009-02-12
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TIG058E8：三洋半導體開發出面積縮小60％的手機閃光燈用IGBT
三洋半導體開發出了面積比原產品縮小約60%的氙氣閃光燈（Xenon Flash）用IGBT“TIG058E8”。主要用于手機的拍照功能。可通過IGBT的開關操作瞬間釋放電容器內存儲的電力，使氙氣管發光。
2009-02-02
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IGBT模塊的并聯：從最壞情況模擬到完全統計方法
IGBT模塊在并聯時的降額必然性問題是個關鍵的問題，之前采用的方法是最壞情況分析方法，英飛凌公司現在推出蒙特卡羅模擬工具。最差情況分析結果僅僅表明最高結溫可能達到IGBT的溫度限值，蒙特卡羅分析則提供更詳細的信息。
2009-02-01
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1200V IGBT4：具備優化特性的英飛凌新一代功率半導體
對于采用先進、高效的變頻器的工業節能應用市場而言，經過優化的各種功率半導體是不可或缺的。英飛凌推出的全新1200V IGBT4 系列，結合改進型發射極控制二極管，針對高中低功率應用提供了三款產品，可面向不同應用滿足現代化變頻器的要求。
2009-01-22
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將IGBT 用于不間斷電源中
本文介紹了絕緣柵雙極晶體管（IGBT）在不間斷電源系統中的應用情況，分析了IGBT 在UPS 中損壞的主要原因和實際應用中應注意的問題。
2008-12-15
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高性能IGBT提高太陽能逆變器效率
飛兆半導體的截止溝道式IGBT適用于不間斷電源、太陽能逆變器以及微波爐和感應加熱類的應用，可以幫助設計師減少傳導損耗和開關損耗，實現極高的效率。
2008-11-25
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IGBT模塊驅動及保護技術
本文在詳細分析了IGBT柵極特性的基礎上，對模塊的驅動保護電路提出了具體的設計方案——IGBT驅動電路必須具備控制電路－柵極的電隔離和提供合適的柵極驅動脈沖的功能，同時可以采用慢降壓柵技術實現IGBT的過流保護電路。
2008-11-05
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倍頻式IGBT高頻感應加熱電源負載短路的保護
本文倍頻式ICBT高頻感應加熱電源電路保護為例，通過對負載短路時的電路特性的研究，提出了電路參數的選擇原則，更好的實現電路的保護。
2008-11-03
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IGBT驅動與保護技術在直流調速系統中的應用
本文將大功率開關器件IGBT應用在功率變換電路及直流調速系統中。闡述了IGBT 驅動器的基本要求，同時介紹了EXB841 芯片內部結構，并分析了系統的工作原理。
2008-11-02
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使用柵極電阻控制IGBT的開關
柵極電阻會影響IGBT的開關時間、開關損耗及各種其他參數，必須根據具體應用的參數非常仔細地選擇和優化。一般情況下，減小柵極電阻阻值可降低IGBT的開關損耗，但同時也必須注意快速的導通關斷所帶來的電壓尖峰和電磁干擾。
2008-11-02
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