- 耐壓650V
- STY112N65M5:最大導通電阻為0.022Ω（漏極電流為93A）
- STW77N65M5:最大導通電阻0.038Ω（漏極電流為66A）
- 采用了改進Super Junction結(jié)構
- 太陽能電池功率調(diào)節(jié)器
意法半導體（ST）開發(fā)出了用于配備太陽能電池功率調(diào)節(jié)器的MOSFET。耐壓650V，有最大導通電阻為0.022Ω（漏極電流為93A）的“STY112N65M5”和最大導通電阻0.038Ω（漏極電流為66A）的“STW77N65M5”。
此前，太陽能電池功率調(diào)節(jié)器一直使用IGBT，但由于MOSFET的導通電阻不斷降低，因此MOSFET正逐漸取代IGBT。
ST公司通過改進Super Junction結(jié)構，實現(xiàn)了耐壓650V的低導通電阻。具體而言，將在n型底板垂直方向上伸長的p型區(qū)域的寬度和間隔減少一半，使單位面積的導通電阻由原來的約30mΩcm2降至約20mΩcm2。
為涉足太陽能電池市場，ST公司此次將主要面向筆記本電腦AC適配器和平板電視的該公司原產(chǎn)品的600V耐壓設定為650V。耐壓值是25℃下的測量結(jié)果。由于隨著溫度降低，耐壓也降低，因此針對有時設置在室外的太陽能電池系統(tǒng)，提高了耐壓。
STY112N65M5和STW77N65M5均將于2009年4月開始供應樣品。
