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IGBT的開關(guān)頻率上限有多高？
首先，開關(guān)頻率是指IGBT在一秒鐘內(nèi)開關(guān)次數(shù)。而在確定的母線電壓和導(dǎo)通電流下，IGBT每次開關(guān)都會(huì)產(chǎn)生一定的損耗，開通損耗是Eon，關(guān)斷損耗是Eoff，還有二極管反向恢復(fù)也有損耗Erec。
2019-09-23
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一文看懂IGBT相關(guān)知識(shí)
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。本文將為大家詳細(xì)介紹IGBT相關(guān)知識(shí)。
2019-08-12
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如何選擇一款合適的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器？
在功率電子(例如驅(qū)動(dòng)技術(shù))中，IGBT經(jīng)常用作高電壓和高電流開關(guān)。這些功率晶體管由電壓控制，其主要損耗產(chǎn)生于開關(guān)期間。為了最大程度減小開關(guān)損耗，要求具備較短的開關(guān)時(shí)間。
2019-06-26
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詳解變頻器IGBT模塊的靜態(tài)測(cè)量
IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。
2019-05-16
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識(shí)別MOS管和IGBT管的方法
MOS管和IGBT管作為現(xiàn)代電子設(shè)備使用頻率較高的新型電子器件，因此在電子電路中常常碰到也習(xí)以為常。可是MOS管和IGBT管由于外形及靜態(tài)參數(shù)相似的很，有時(shí)在選擇、判斷、使用容易出差池。以下為大家介紹識(shí)別MOS管和IGBT管的方法。
2019-05-09
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開關(guān)電源該如何配置合適的電感？
開關(guān)電源（SMPS）是一種非常高效的電源變換器，其理論值更是接近100%，種類繁多。按拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)分，有Boost、Buck、Boost-Buck、Charge-pump等；按開關(guān)控制方式分，有PWM、PFM；按開關(guān)管類別分，有BJT、FET、IGBT等。本次討論以數(shù)據(jù)卡電源管理常用的PWM控制Buck、Boost型為主。 那接下來就讓我們一起學(xué)習(xí)下開關(guān)電源該如何配置合適的電感吧~
2019-03-14
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應(yīng)用于線性區(qū)功率MOSFET：di/dt和dv/dt分開控制方法
以下將本文介紹的di/dt、dV/dt分開單獨(dú)控制方法，不僅適用于負(fù)載開關(guān)，還廣泛用于電機(jī)控制功率MOSFET或IGBT驅(qū)動(dòng)電路。
2018-12-29
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解析三菱電機(jī)6.5kV全SiC功率模塊
本文介紹了6.5kV新型全SiC MOSFET功率模塊的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和電氣特性，相對(duì)于傳統(tǒng)的Si IGBT模塊、傳統(tǒng)全SiC MOSFET功率模塊，新型全SiC MOSFET功率模塊在靜態(tài)特性、動(dòng)態(tài)特性和損耗方面優(yōu)勢(shì)明顯。
2018-09-14
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負(fù)電壓電源設(shè)計(jì)的種類
各位工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)，可能會(huì)遇到需要負(fù)電壓供電的系統(tǒng)，例如使用負(fù)電壓為IGBT提供關(guān)斷負(fù)電壓、運(yùn)放系統(tǒng)中用正負(fù)對(duì)稱的偏置電壓供電。那么該如何產(chǎn)生一個(gè)穩(wěn)定可靠的負(fù)電壓呢？本文將為你介紹不同的解決方案。
2018-09-07
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如何借助雪崩二極管提供過壓保護(hù)？
當(dāng)IGBT在高性能應(yīng)用中高速接通和斷開時(shí)，總會(huì)發(fā)生過壓。例如，當(dāng)關(guān)閉負(fù)載電流電路時(shí)，集電極發(fā)射極電壓突然上升，達(dá)到非常高的峰值。由開關(guān)引起的過電壓會(huì)嚴(yán)重?fù)p壞甚至破壞開關(guān)晶體管。
2018-08-01
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【揭秘】隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱為集電極和發(fā)射極。
2018-07-24
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堪稱工業(yè)中的“CPU”：IGBT，中外差距有多大
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡(jiǎn)單講，是一個(gè)非通即斷的開關(guān)，IGBT沒有放大電壓的功能，導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線，斷開時(shí)當(dāng)做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，如驅(qū)動(dòng)功率小和飽和壓降低等。
2018-07-18
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