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粵港澳大灣區領航全球電子產業革新 CITE2025啟幕勾勒AI與低空經濟新紀元
2025年4月9日，第十三屆中國電子信息博覽會（CITE2025）在深圳會展中心盛大啟幕。以“科技引領 ‘圳’聚創新”為軸心，這場全球電子產業頂級盛會匯聚超千家科技巨頭與創新先鋒，首次全景式呈現從基礎電子元器件到低空經濟萬億級市場的全鏈生態。AI算力年增230%的爆發式需求、人形機器人精度突破0.01mm的...
2025-04-10
粵港澳大灣區 CITE2025 AI
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晶閘管選型與應用實戰指南：多維參數平衡與場景化設計深度解析
在電力電子領域，晶閘管猶如一把掌控電能流向的智能鑰匙，憑借其獨特的單向導通特性和強大的功率處理能力，在工業控制、能源轉換等領域持續發揮著重要作用。隨著電力系統復雜度的提升，如何科學選型并充分發揮其性能，已成為工程師必須掌握的核心技能。
2025-04-08
晶閘管 電力電子
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物聯網邊緣傳感器節點進化論：從單處理器到多核異構的跨越式發展
嵌入式系統正以越來越快的速度繼續其技術演進；我們家庭、車輛和工作場所中的設備功能正在突飛猛進地發展。這一進步的一個關鍵驅動因素是，即使是最小的電子設備也能夠連接到我們的現代網絡基礎設施。Wi-Fi?、藍牙?和其他連接選項使得現場更新和維護變得更加容易，同時增加了人工智能和機器學習算法...
2025-04-08
物聯網 邊緣傳感器 單處理器 嵌入式系統
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二次整流電路設計難點解析
在電源工程師歡呼有源鉗位正激轉換器(ACFC)突破50%占空比限制之際，一個被長期忽視的設計陷阱正在浮現——最小占空比(Dmin)的精細控制已成為決定系統可靠性的生死線。實測數據顯示，當Dmin低于15%時，ACFC的開關損耗會陡增300%，電磁干擾(EMI)惡化達18dBμV。
2025-04-08
二次整流電路
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碳化硅能效革命核心突破點：共源共柵（cascode）結構詳解
安森美（onsemi）推出的碳化硅共源共柵場效應晶體管（SiC JFET cascode）在硬開關與軟開關應用場景中展現出顯著技術優勢。其官方發布的《SiC JFET共源共柵應用指南》系列文檔，通過三篇技術解析深入剖析器件特性，本文作為開篇之作，將聚焦闡釋cascode結構的核心機理。該指南不僅系統闡述共源共柵器...
2025-04-08
碳化硅 共源共柵 安森美
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福祿克聲學新品震撼上市
在全球聲學檢測技術領域，福祿克公司一直以其創新精神和卓越品質著稱。近期，福祿克發布了最新款ii1020C工業聲學成像儀，在性能、功能和用戶體驗上均實現了顯著提升，旨在為工業檢測和電力設備維護提供更為高效和精準的解決方案。
2025-04-08
福祿克
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賦能AI與能源及數字化轉型，TDK解決方案亮相慕尼黑上海電子展
TDK株式會社4月7日宣布，將于2025年4月15日至17日慕尼黑上海電子展（展位號N1.210），圍繞「為可持續的未來加速轉型」的核心理念，集中展示人工智能技術應用、綠色能源與數字化轉型的前沿創新成果，覆蓋電子應用全領域的創新技術和產品解決方案，推動各行業向更智能、更高效、更低碳的未來加速轉型。
2025-04-08
AI 能源 數字化轉型 TDK
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第18講：SiC MOSFET的動態特性
SiC MOSFET的閾值電壓（VGS(th)）通常低于Si IGBT。降低閾值電壓可降低SiC MOSFET的通態電阻。驅動SiC MOSFET需要對柵極施加負偏壓，并仔細設計控制電路布線，這是為了防止噪聲干擾引起的故障。此外，閾值電壓隨著溫度升高而降低（圖1），因此建議在高溫運行期間檢查是否有異常。
2025-04-07
SiC MOSFET 閾值電壓
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相位魔法解碼：真時延技術如何實現毫米級指向精度
相控陣天線通過移相器、真時延或二者的組合，使合成波束更精確地指向陣列轉向角度內的所需方向。本文將介紹這兩種方法，以及更寬帶寬的天線陣列是如何推動真時延在其系統設計中的應用。
2025-04-07
相控陣天線 真時延技術
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