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國(guó)際電聯(lián)批準(zhǔn)移動(dòng)電話通用充電器標(biāo)準(zhǔn)
據(jù)聯(lián)合國(guó)網(wǎng)站報(bào)道，作為減緩氣候變化的努力之一，國(guó)際電信聯(lián)盟10月22日宣布已批準(zhǔn)一項(xiàng)有關(guān)移動(dòng)電話節(jié)能通用充電器的解決方案。該方案將使所有未來(lái)的手機(jī)，無(wú)論其生產(chǎn)和型號(hào)有何不同，均可使用相同的充電器。
2009-10-27
充電器 標(biāo)準(zhǔn) 手機(jī)
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揚(yáng)智科技攜M7108系列在深圳成立中國(guó)大陸區(qū)總部
揚(yáng)智科技于深圳成立中國(guó)大陸區(qū)總部，力拓全新多媒體生活，深耕中國(guó)大陸市場(chǎng)，豐富消費(fèi)電子應(yīng)用。
2009-10-26
IC 揚(yáng)智科技 機(jī)頂盒 M7108系列
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電源變換器中電流/電壓模式相互轉(zhuǎn)化分析
本文先簡(jiǎn)單的介紹了電流模式和電壓模式的工作原理和這兩種工作模式它們各自的優(yōu)缺點(diǎn)；然后探討了理想的電壓模式利用輸出電容ESR取樣加入平均電流模式和通過(guò)輸入電壓前饋加入電流模式的工作過(guò)程。也討論了電流模式在輸出輕載或無(wú)負(fù)載時(shí)，在使用大的電感或在占比大于0.5加入斜坡補(bǔ)償后，系統(tǒng)會(huì)從電流...
2009-10-26
變換器 電流/電壓模式轉(zhuǎn)化
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基于漏極導(dǎo)通區(qū)特性理解MOSFET開關(guān)過(guò)程
本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關(guān)過(guò)程；然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關(guān)過(guò)程的方法：基于功率MOSFET的導(dǎo)通區(qū)特性的開關(guān)過(guò)程，并詳細(xì)闡述了其開關(guān)過(guò)程。開關(guān)過(guò)程中，功率MOSFET動(dòng)態(tài)的經(jīng)過(guò)是關(guān)斷區(qū)、恒流區(qū)和可變電阻區(qū)的過(guò)程。在跨越恒流區(qū)時(shí)，功率MOSFET漏極的電流和...
2009-10-26
MOSFET 關(guān)斷區(qū) 恒流區(qū) 可變電阻區(qū)
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通信系統(tǒng)中超高效率Buck變換器設(shè)計(jì)考慮
本文介紹了在通信系統(tǒng)中，同步Buck變換器上部功率MOSFET和下部功率MOSFET的工作特點(diǎn)，同時(shí)討論了在設(shè)計(jì)高效率的同步Buck變換器時(shí)，選取上部和下部功率MOSFET原則；介紹了一種新型的采用柵極屏蔽的功率MOSFET，極低的漏柵極米勒電容適合于上部功率MOSFET的應(yīng)用；還介紹了一種適合于下部功率MOSFET應(yīng)...
2009-10-26
Buck變換器 MOSFET
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EMC測(cè)試暗室介紹
在安規(guī)測(cè)試和各種認(rèn)證測(cè)試中電磁兼容的測(cè)試必不可少，這些認(rèn)證類的測(cè)試對(duì)測(cè)試的環(huán)境有嚴(yán)格的規(guī)定，只能在專門的實(shí)驗(yàn)機(jī)構(gòu)內(nèi)測(cè)試。本文主要講解測(cè)試必不可少的測(cè)試暗室，和各種測(cè)試的手段。
2009-10-26
EMC EMI 測(cè)試暗室
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磁珠及其在開關(guān)電源中的應(yīng)用
近年來(lái)，由于電磁兼容的迫切要求，鐵氧體磁珠得到了廣泛的應(yīng)用，尤其是片式鐵氧體磁珠。在各種現(xiàn)代電子產(chǎn)品中，為了達(dá)到電磁兼容的要求，幾乎都采用了這類元件。但值得注意的是，這類元件品種繁多，性能各異，不像阻容元件那樣的系列化、標(biāo)準(zhǔn)化，本文全面的須介紹各種鐵氧體磁珠的特性以及應(yīng)用
2009-10-26
磁珠 開關(guān)電源 電磁兼容
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