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IGBT及其子器件的四種失效模式
本文通過案例和實驗，概述了四種IGBT及其子器件的失效模式：MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護用高壓npn管的硅熔融。
2011-07-07
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IGBT的四大保護措施
在中大功率的開關電源裝置中，IGBT由于其控制驅動電路簡單、工作頻率較高、容量較大的特點。本文通過對IGBT損壞機理的分析，根據其損壞的原因，提供柵極保護、過壓、過流、過熱四大有效的保護措施，以保證IGBT安全可靠工作。
2011-07-07
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影響IGBT驅動電路性能參數的因素分析
在硬開關橋式電路中，功率器件IGBT能否正確可靠地使用起著至關重要的作用。驅動電路就是將控制電路輸出的PWM信號進行功率放大，以滿足驅動IGBT的要求，所以，驅動電路設計的是否合理直接關系到IGBT的安全、可靠使用。為了確保驅動電路設計的合理性，使用時必須分析驅動電路中的參數。
2011-06-29
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IGBT市場需求加大 供貨緊張持續到年底
隨著中國高鐵、地鐵、動車、風力發電、光伏發電、電動/混合動力汽車等領域的快速發展，市場對IGBT及其模塊的需求越來越大。據IHS iSuppli公司的研究，由于工業與消費領域的需求增長，中國絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場未來幾年將快速增長，2014年銷售額將從2009年的4.297億美元上升到9.75億美元，增長一倍以上。
2011-06-28
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英飛凌600V功率開關器件家族又添新丁
在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會（5月17日至19日）上，英飛凌科技600V逆導型（RC）IGBT家族的兩名新成員閃亮登場。
2011-06-01
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2014年IGBT銷售額將增一倍
據IHS iSuppli公司的研究，由于工業與消費領域的需求增長，中國絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場未來幾年將快速增長，2014年銷售額將從2009年的4.297億美元上升到9.75億美元，增長一倍以上。
2011-04-18
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場效應管在音響電路中的合理應用
本文通過兩個容易被發燒友特別是初學者所忽略的要點來說明場效應管的合理應用。目前，應用于音響領域的場效應管包括結型管(JFET)和絕緣柵場效應管(MOsFET)，而后者又分為LDMOS、VMOS及近年出現的UHC、IGBT等，并且至今仍在不斷發展與完善之中。
2011-04-08
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PCIM-Asia優質廠商引領IGBT市場格局
PCIM-Asia優質廠商引領IGBT市場格局
2011-03-24
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IGBT 在不間斷電源（UPS）中的應用
在UPS 中使用的功率器件中IGBT 成為UPS 功率設計的首選，只有對IGBT的特性充分了解和對電路進行可靠性設計，才能發揮IGBT 的優點。本文介紹UPS 中的IGBT 的應用情況和使用中的注意事項。
2011-03-01
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優化高電壓IGBT在高效率太陽能逆變器中的應用
多年來的調查和分析顯示，IGBT比其他功率晶體管有更多優點，當中包括更高電流能力，利用電壓而非電流來進行柵極控制，以及能夠與一個超快速恢復二極管協同封裝來加快關斷速度。此外，工藝技術及器件結構的精細改進也使IGBT的開關性能得到相當的改善。其他優點還包括更好的通態性能，以及擁有高度耐用性和寬安全工作區。在考慮這些質量之后，這種功率逆變器設計就會選用高電壓IGBT，作為功率開關的必然之選。
2011-02-06
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IGBT驅動與保護電路
多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開關特性，又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特點，近年來在各種電能變換裝置中得到了廣泛應用。本文基于EXB841設計IGBT的驅動電路如圖2所示，包括外部負柵壓成型電路、過流檢測電路、虛假過流故障識別與驅動信號鎖存電路，故障信息報警電路。
2011-01-24
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IGBT進口替代空間大 電子元器件需求強勁
由于全球金融危機和半導體行業的周期性波動，全球半導體產品出貨量從 08年4季度到09年1季度經歷了大幅下滑，主要經濟體的半導體產品出貨量都降到5年以來的最低水平。隨著經濟復蘇，半導體行業實現了強勁復蘇并步入景氣上升階段，到09年4季度半導體產品的出貨量基本恢復到08年的最高水平。
2010-12-31
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