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微型無(wú)線電供電貼紙可測(cè)量物體間的作用力
在許多情況下，了解一個(gè)物體對(duì)另一個(gè)物體施加了多大的力非常重要。我們?cè)O(shè)計(jì)了一種小而薄的貼紙來(lái)測(cè)量和傳遞這類數(shù)據(jù)，而不需要電線或電池。加州大學(xué)圣迭戈分校的科學(xué)家們正在開(kāi)發(fā)這種名為 ForceSticker 的設(shè)備。除其他用途外，它還可用于監(jiān)測(cè)倉(cāng)庫(kù)中堆疊包裹的重量，確保人工膝關(guān)節(jié)不會(huì)傷害鄰近的軟骨，甚至為機(jī)器人提供觸覺(jué)。
2023-10-26
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QSPICE發(fā)明者隨筆——利用寬帶隙FET簡(jiǎn)化高壓調(diào)節(jié)
Charley Moser擁有EE博士學(xué)位，是我最早的模擬設(shè)計(jì)導(dǎo)師之一。從他那里，我學(xué)到了很多知識(shí)——混合pi晶體管建模、用于穩(wěn)定性分析的Bode圖對(duì)最小相位系統(tǒng)的限制、為什么要使用緩沖器以及如何設(shè)計(jì)緩沖器、防止擊穿的雙極基極拉電流、SCR在高溫下的使用等。其中，如何在高電壓下調(diào)節(jié)低功率是最引人注目的創(chuàng)新；這對(duì)我來(lái)說(shuō)極具價(jià)值，因?yàn)槲沂嵌嗉覂x器公司帶電粒子光學(xué)方案中所用高壓電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域的高手。
2023-10-25
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IGBT／MOSFET 的基本柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器設(shè)計(jì)
本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、開(kāi)啟和關(guān)閉功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算可分為三部分；驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部電路中消耗或損失的功率、發(fā)送至功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)(IGBT/MOSFET)的功率以及驅(qū)動(dòng)器IC和功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)之間的外部組件處（例如外部柵極電阻器上）損失的功率。在以下示例中，我們將討論使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能柵極驅(qū)動(dòng)器）的 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)。
2023-10-25
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基于光學(xué)發(fā)射光譜法監(jiān)測(cè)等離子體的光譜峰
海洋光學(xué)（Ocean Optics）長(zhǎng)期以來(lái)一直為半導(dǎo)體工藝設(shè)備供應(yīng)商的新材料研究提供強(qiáng)大支持，同時(shí)協(xié)助用戶克服等離子刻蝕、沉積、涂層和清潔等方面的困難和挑戰(zhàn)。海洋光學(xué)的光譜儀，基于光學(xué)發(fā)射光譜技術(shù)，被廣泛應(yīng)用于等離子體監(jiān)測(cè)，并在刻蝕終點(diǎn)檢測(cè)方面表現(xiàn)出色。
2023-10-24
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如何利用碳化硅打造下一代固態(tài)斷路器
如今，碳化硅 (SiC) 器件在電動(dòng)汽車 (EV) 和太陽(yáng)能光伏 (PV) 應(yīng)用中帶來(lái)的性能優(yōu)勢(shì)已經(jīng)得到了廣泛認(rèn)可。不過(guò)，SiC 的材料優(yōu)勢(shì)還可能用在其他應(yīng)用中，其中包括電路保護(hù)領(lǐng)域。本文將回顧該領(lǐng)域的發(fā)展，同時(shí)比較機(jī)械保護(hù)和使用不同半導(dǎo)體器件實(shí)現(xiàn)的固態(tài)斷路器 (SSCB) 的優(yōu)缺點(diǎn)。最后，本文還將討論為什么 SiC 固態(tài)斷路器日益受到人們青睞。
2023-10-23
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艾睿5G和Wi-Fi 6融合無(wú)線通信解決方案
5G和Wi-Fi是針對(duì)不同應(yīng)用需求所開(kāi)發(fā)的通信技術(shù)，看似針對(duì)不同的市場(chǎng)與需求，但其實(shí)彼此之間具有互補(bǔ)性，若能夠?qū)?G和Wi-Fi技術(shù)相結(jié)合，將能夠發(fā)揮5G和Wi-Fi技術(shù)各自的優(yōu)勢(shì)，并藉此擴(kuò)大應(yīng)用領(lǐng)域與市場(chǎng)。本文將為您介紹5G和Wi-Fi技術(shù)的最新發(fā)展與5G CPE（Customer Premises Equipment，用戶駐地設(shè)備）的應(yīng)用模式，以及由艾睿電子、Nordic等公司推出的相關(guān)解決方案。
2023-10-23
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射頻信號(hào)鏈的原位非線性校準(zhǔn)
提出了一種線性化級(jí)聯(lián)組合信號(hào)IC的新方法，用于原位校正PCB缺陷和相互加載。這樣可以大幅縮短系統(tǒng)設(shè)計(jì)/原型設(shè)計(jì)周期，并以可忽略不計(jì)的功耗成本最大限度地提高信號(hào)鏈性能。報(bào)告了使用高達(dá)3GHz的RF信號(hào)并使用12b/10GSPS ADC進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，驗(yàn)證了該方法的有效性。
2023-10-23
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功率逆變器應(yīng)用采用寬帶隙半導(dǎo)體器件時(shí)，柵極電阻選型注意事項(xiàng)
本文為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開(kāi)關(guān)的優(yōu)勢(shì)，以及如何權(quán)衡利弊。主要權(quán)衡因素之一是開(kāi)關(guān)損耗，開(kāi)關(guān)損耗會(huì)被高 di/dt 和 dv/dt 放大，造成電路噪聲。為了減少電路噪聲，需要認(rèn)真考慮柵極電阻的選擇，從而不必延長(zhǎng)死區(qū)時(shí)間而造成功率損耗。本文介紹選擇柵極電阻時(shí)的考慮因素，如脈沖功率、脈沖時(shí)間和溫度、穩(wěn)定性、寄生電感等。同時(shí)，將和大家探討不同類型的柵極電阻及其在該應(yīng)用中的優(yōu)缺點(diǎn)。
2023-10-22
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如何保護(hù)電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)免受故障影響
正常運(yùn)行時(shí)間是工業(yè)自動(dòng)化、樓宇自動(dòng)化、運(yùn)動(dòng)控制和過(guò)程控制等應(yīng)用中保障生產(chǎn)力和盈利能力的關(guān)鍵指標(biāo)。執(zhí)行維護(hù)、人為失誤和設(shè)備故障都會(huì)導(dǎo)致停機(jī)。與停機(jī)相關(guān)的維修成本和生產(chǎn)力損失可能非常高，具體取決于行業(yè)和事件的性質(zhì)。與維護(hù)和人為失誤相關(guān)的停機(jī)無(wú)法避免，但大多數(shù)與設(shè)備相關(guān)的故障是可以預(yù)防的。本文重點(diǎn)介紹由電源故障引起的停機(jī)，以及如何在設(shè)備的電源系統(tǒng)中使用現(xiàn)代保護(hù)IC來(lái)防止發(fā)生電源故障。
2023-10-21
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給SiC FET設(shè)計(jì)PCB有哪些注意事項(xiàng)？
SiC FET（即SiC JFET和硅MOSFET的常閉共源共柵組合）等寬帶隙半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)推出后，功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品無(wú)疑受益匪淺。此類器件具有超快的開(kāi)關(guān)速度和較低的傳導(dǎo)損耗，能夠在各類應(yīng)用中提高效率和功率密度。然而，與緩慢的舊技術(shù)相比，高電壓和電流邊緣速率與板寄生電容和電感的相互作用更大，可能產(chǎn)生不必要的感應(yīng)電流和電壓，導(dǎo)致效率降低，組件受到應(yīng)力，影響可靠性。此外，由于現(xiàn)在SiC FET導(dǎo)通電阻通常以毫歐為單位進(jìn)行測(cè)量，因此，PCB跡線電阻可能相當(dāng)大，須謹(jǐn)慎降低以保持低系統(tǒng)傳導(dǎo)損耗。
2023-10-21
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低功耗、精準(zhǔn)檢測(cè)、超長(zhǎng)待機(jī)，物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備助力實(shí)現(xiàn)“雙碳”目標(biāo)
在實(shí)現(xiàn)“碳達(dá)峰”和“碳中和”的“雙碳”目標(biāo)過(guò)程中，廣泛存在的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備是一個(gè)重要抓手。根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IoT Analytics發(fā)布的報(bào)告顯示，2022年全球物聯(lián)網(wǎng)連接數(shù)達(dá)到143億；預(yù)計(jì)到2023年，這一數(shù)量將再增長(zhǎng)16%，達(dá)到160億個(gè)。
2023-10-20
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使用單輸出柵極驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)高側(cè)或低側(cè)驅(qū)動(dòng)
在許多隔離式電源應(yīng)用中，功率 MOSFET 通常采用某種形式的橋配置，用于優(yōu)化電源開(kāi)關(guān)和電源變壓器，從而提高效率。這些橋配置創(chuàng)建了高側(cè) (HS) 和低側(cè) (LS) 兩種開(kāi)關(guān)類型。UCC277xx、UCC272xx 和 LM510x 系列等專用 HS 和 LS 柵極驅(qū)動(dòng)器 IC 可在單個(gè) IC 中為 HS 開(kāi)關(guān)管以及 LS 開(kāi)關(guān)管提供輸出。
2023-10-20
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