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柵極驅動器選得好，SiC MOSFET高效又安全
硅基MOSFET和IGBT過去一直在電力電子應用行業占據主導地位，這些應用包括不間斷電源、工業電機驅動、泵以及電動汽車（EV）等。然而，市場對更小型化產品的需求，以及設計人員面臨的提高電源能效的壓力，使得碳化硅（SiC）MOSFET成為這些應用中受歡迎的替代品。
2025-01-06
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功率器件熱設計基礎（八）——利用瞬態熱阻計算二極管浪涌電流
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。
2024-12-25
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功率器件熱設計基礎（六）——瞬態熱測量
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。
2024-12-09
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安森美榮獲2024年亞洲金選車用電子解決方案供應商獎及年度最佳功率半導體獎
智能電源和智能感知技術的領導者安森美再次榮膺電子行業資深媒體集團ASPENCORE頒發的2024亞洲金選獎（EE Awards Asia)之車用電子解決方案供應商獎，彰顯其在車用領域的卓越表現和領先地位。同期，安森美第 7 代 1200V QDual3 IGBT功率模塊獲得年度最佳功率半導體獎，基于新的場截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術帶來出色的效能表現獲得業界肯定。
2024-12-06
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功率器件熱設計基礎（五）——功率半導體熱容
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。
2024-12-06
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在逆變器應用中提供更高能效，這款IGBT模塊了解一下
制造商和消費者都在試圖擺脫對化石燃料能源的依賴，電氣化方案也因此廣受青睞。這對于保護環境、限制污染以及減緩破壞性的全球變暖趨勢具有重要意義。電動汽車(EV)在全球日益普及，眾多企業紛紛入場，試圖將商用和農業車輛(CAV)改造成由電力驅動。
2024-11-27
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功率器件熱設計基礎（三）——功率半導體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。
2024-11-25
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功率器件熱設計基礎（四）——功率半導體芯片溫度和測試方法
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。
2024-11-23
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功率器件的熱設計基礎（二）——熱阻的串聯和并聯
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。
2024-11-12
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功率器件熱設計基礎（一）——功率半導體的熱阻
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。
2024-11-11
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車載充電器材料選擇比較：碳化硅與IGBT
車載充電器 (OBC) 解決了電動汽車 (EV) 的一個重要問題。它們將來自電網的交流電轉換為適合電池充電的直流電，從而實現電動汽車充電。隨著每年上市的電動汽車設計、架構和尺寸越來越豐富，車載充電器的實施也變得越來越復雜。
2024-11-11
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采用IGBT5.XT技術的PrimePACK?為風能變流器提供卓越的解決方案
鑒于迫切的環境需求，我們必須確保清潔能源基礎設施的啟用，以減少碳排放對環境的負面影響。在這一至關重要的舉措中，風力發電技術扮演了關鍵角色，并已處于領先地位。在過去的20年中，風力渦輪機的尺寸已擴大三倍，其發電功率大幅提升，不久后將突破15MW的大關。因此，先進風能變流器的需求在不斷增長。這些變流器在惡劣境條件下工作，需要高度的可靠性和堅固性，以確保較長的使用壽命。為了在限制機柜內元件數量的情況下最大化功率輸出，我們需要采用高功率密度設計。鑒于需求的持續增長，我們的大規模生產能力顯得尤為關鍵通過對現有逆變器設計的升級，不僅能夠降低風險，還能縮短開發時間，最終達到優化設計和開發流程的目的。
2024-10-27
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