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用于 EV 充電系統柵極驅動的隔離式 DC／DC 轉換器
電動汽車充電系統正在不斷發展。目前通常使用 400V 電池充電總線電壓的 AC Level 2 壁掛式充電盒正在向需要 800V 總線電壓的直流快速充電 (DCFC) 系統遷移。像碳化硅這樣的寬帶隙功率器件非常適合這些應用，與硅 IGBT 相比具有更低的傳導和開關損耗。然而，SiC 更快的開關速率以及更高的電壓會對柵極驅動器電路提出一些獨特的要求。在本文中，我們將重點介紹 Murata 產品經理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022電源論壇上關于該公司用于此類柵極驅動應用的隔離式 DC/DC 轉換器的演講的某些方面。
2022-12-05
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通過利用電化學診斷技術分析傳感器的健康狀況
電動汽車充電系統正在不斷發展。目前通常使用 400V 電池充電總線電壓的 AC Level 2 壁掛式充電盒正在向需要 800V 總線電壓的直流快速充電 (DCFC) 系統遷移。像碳化硅這樣的寬帶隙功率器件非常適合這些應用，與硅 IGBT 相比具有更低的傳導和開關損耗。然而，SiC 更快的開關速率以及更高的電壓會對柵極驅動器電路提出一些獨特的要求。在本文中，我們將重點介紹 Murata 產品經理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022電源論壇上關于該公司用于此類柵極驅動應用的隔離式 DC/DC 轉換器的演講的某些方面。
2022-12-05
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全SiC MOSFET模塊讓工業設備更小、更高效
SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導體器件，在高速開關性能和高溫環境中，優于目前主流應用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業設備應用中，SiC MOSFET模塊可以滿足包括軌道車用逆變器、轉換器和光伏逆變器在內的應用需求，實現系統的低損耗和小型化。
2022-12-02
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如何使用UCC217XX實現高精度的溫度采樣？
UCC217XX-Q1是一系列電流隔離單通道柵極驅動器，可用于驅動碳化硅 MOSFET 和IGBT ，具有高級保護功能，一流的動態性能和穩健性。該系列隔離柵極驅動器的主要特性介紹有：
2022-11-10
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IGBT單管數據手冊參數解析（上）
IGBT是大家常用的開關功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數據手冊，對手冊中的一些關鍵參數和圖表進行解釋說明，用戶可以了解各參數的背景信息，以便合理地使用IGBT。
2022-11-01
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庖丁解牛看功率器件雙脈沖測試平臺
雙脈沖測試是表征功率半導體器件動態特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。同時，這項測試發生在器件研發、器件生產、系統應用等各個環節，測試結果有力地保證了器件的特性和質量、功率變換器的指標和安全，可以說是伴隨了功率器件生命的關鍵時刻。
2022-10-31
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高集成度功率電路的熱設計挑戰
目前隨著科學技術和制造工藝的不斷發展進步，半導體技術的發展日新月異。對于功率半導體器件而言，其制造工藝也同樣是從平面工藝演變到溝槽工藝，功率密度越來越高。目前功率半導體器件不僅是單一的開關型器件如IGBT或MOSFET器件類型，也增加了如智能功率模塊IPM等混合型功率器件類型。在IPM模塊中既集成有功率器件，還集成了驅動器和控制電路IC，這樣的功率半導體器件具有更高的集成度。這種混合集成型的功率半導體器件其封裝結構和傳統的單一功率半導體器件有一定的區別，因此其散熱設計和熱傳播方式也有別于傳統的功率半導體器件，會給使用者帶來更大的熱設計挑戰。
2022-10-28
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IGBT驅動電路中的鉗位電路
在IGBT驅動電路中有時會用到鉗位電路，其主要目的是為了保護IGBT器件，避免運行參數超過集電極或者門極的極限參數，今天我們總結一下Vce以及Vge鉗位電路設計使用注意事項。
2022-10-21
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自舉電路工作原理和自舉電阻和電容的選取
在一些低成本的應用中，特別是對于一些600V小功率的IGBT，業界總是嘗試把驅動級成本降到最低。因而自舉式電源成為一種廣泛的給高壓柵極驅動（HVIC）電路供電的方法，原因是電路簡單并且成本低。
2022-10-19
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IGBT柵極驅動設計，關鍵元件該怎么選？
如果說人類世界當前面臨的最緊迫危機是如何降低二氧化碳排放量，以減緩已經造成的災難性環境破壞以及人口損害，那么，在當前的地球溫室氣體排放中，交通業的“貢獻”最大，傳統上它已被視為重要的污染源。
2022-10-12
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測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項：一般測量方法
SiC MOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介紹的需要準確測量柵極和源極之間產生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進行講解，其實所講解的內容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2022-10-11
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IGBT適用于ZVS 還是 ZCS？
提到軟開關技術，大家耳熟能詳的有零電壓開通ZVS（Zero voltage switching） 和零電流關斷ZCS（Zero current switching），同時，尤其是在現在的電源產品中，絕大多數的采用軟開關拓撲的電源產品都選擇了ZVS，而不是ZCS，所以，Si MOSFET和SiC MOSFET一直是很多同學提到ZVS時想到的主要功率器件搭檔，而不是IGBT。
2022-10-11
- 高性能差分信號路由：CBMG709在工業控制系統中的關鍵作用
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