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庖丁解牛看功率器件雙脈沖測試平臺
雙脈沖測試是表征功率半導體器件動態特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。同時，這項測試發生在器件研發、器件生產、系統應用等各個環節，測試結果有力地保證了器件的特性和質量、功率變換器的指標和安全，可以說是伴隨了功率器件生命的關鍵時刻。
2022-10-31
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高集成度功率電路的熱設計挑戰
目前隨著科學技術和制造工藝的不斷發展進步，半導體技術的發展日新月異。對于功率半導體器件而言，其制造工藝也同樣是從平面工藝演變到溝槽工藝，功率密度越來越高。目前功率半導體器件不僅是單一的開關型器件如IGBT或MOSFET器件類型，也增加了如智能功率模塊IPM等混合型功率器件類型。在IPM模塊中既集成有功率器件，還集成了驅動器和控制電路IC，這樣的功率半導體器件具有更高的集成度。這種混合集成型的功率半導體器件其封裝結構和傳統的單一功率半導體器件有一定的區別，因此其散熱設計和熱傳播方式也有別于傳統的功率半導體器件，會給使用者帶來更大的熱設計挑戰。
2022-10-28
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IGBT驅動電路中的鉗位電路
在IGBT驅動電路中有時會用到鉗位電路，其主要目的是為了保護IGBT器件，避免運行參數超過集電極或者門極的極限參數，今天我們總結一下Vce以及Vge鉗位電路設計使用注意事項。
2022-10-21
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自舉電路工作原理和自舉電阻和電容的選取
在一些低成本的應用中，特別是對于一些600V小功率的IGBT，業界總是嘗試把驅動級成本降到最低。因而自舉式電源成為一種廣泛的給高壓柵極驅動（HVIC）電路供電的方法，原因是電路簡單并且成本低。
2022-10-19
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IGBT柵極驅動設計，關鍵元件該怎么選？
如果說人類世界當前面臨的最緊迫危機是如何降低二氧化碳排放量，以減緩已經造成的災難性環境破壞以及人口損害，那么，在當前的地球溫室氣體排放中，交通業的“貢獻”最大，傳統上它已被視為重要的污染源。
2022-10-12
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測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項：一般測量方法
SiC MOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介紹的需要準確測量柵極和源極之間產生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進行講解，其實所講解的內容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2022-10-11
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IGBT適用于ZVS 還是 ZCS？
提到軟開關技術，大家耳熟能詳的有零電壓開通ZVS（Zero voltage switching） 和零電流關斷ZCS（Zero current switching），同時，尤其是在現在的電源產品中，絕大多數的采用軟開關拓撲的電源產品都選擇了ZVS，而不是ZCS，所以，Si MOSFET和SiC MOSFET一直是很多同學提到ZVS時想到的主要功率器件搭檔，而不是IGBT。
2022-10-11
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采用IGBT7的1700V Econo DUAL 3模塊性能解析
半導體市場不斷推動IGBT技術實現更高功率密度、魯棒性和性能水平。對于新一代IGBT而言，始終需要能夠輕松融入設計并在不同應用中表現良好的產品。IGBT應能助力打造出擁有優化系統成本的可擴展逆變器產品組合。本文通過仿真和應用測試，對英飛凌全新TRENCHSTOP? 1700V IGBT7技術以及對應的同類最佳900A和750A EconoDUAL? 3模塊的電氣性能和熱性能，與英飛凌IGBT4技術進行了比較。在1700V IGBT模塊特定應用背景下，考慮到了芯片優化。研究結果表明，采用新型1700V IGBT7/EC7技術的模塊在大量應用中顯著提高了功率密度。
2022-09-21
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TO-247封裝碳化硅MOSFET中引入輔助源極管腳的必要性
功率開關器件（如MOSFET, IGBT）廣泛應用于新能源汽車、工業、醫療、交通、消費等行業的電力電子設備中，直接影響著這些電力電子設備的成本和效率。因此，實現更低的開關損耗和更低的導通損耗一直是功率半導體行業的不懈追求。
2022-09-15
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ABB采用IGBT7的新一代高功率密度變頻器ACS180系列
變頻器是各行業中至關重要的節能設備，ABB傳動一直致力于用先進的產品和技術，創新的解決方案為客戶創造價值，提高生產效能水平，助力變頻器產業升級。
2022-09-14
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如何抑制IGBT集電極過壓尖峰
在過去的文章中，我們曾經討論過IGBT在關斷的時候，集電極會產生電壓過沖的問題（回顧：IGBT集電極電壓超過額定電壓會發生什么？）。
2022-08-18
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SiC模塊開啟電機驅動器更高功率密度
牽引驅動器是電動汽車（EV）幾乎所有能量的消耗源。因此，驅動系統必須盡可能提高效率，同時以最低重量占用最小空間 — 這些均旨在盡可能提高電動汽車的續航能力。隨著行業利用雙驅動裝置提高牽引力，同時借助 800 V 架構降低了損耗，該行業還需要尺寸縮小但輸出功率增加的逆變器，實現遠超硅（Si）基技術（如 IGBT）能力的功率密度。
2022-08-02
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