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FDZ371PZ:飛兆半導體1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET

發(fā)布時間:2009-08-21

產(chǎn)品特性:
  • RDS(ON) 值小,最大限度地減小了傳導損耗
  • 可提供4.4kV的穩(wěn)健ESD保護功能
  • 具有出色的電氣和熱阻數(shù)值
應用范圍:
  • 手機、醫(yī)療、便攜和消費應用

飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET器件FDZ371PZ,該器件設計采用飛兆半導體的專有PowerTrench®工藝 技術,為手機、醫(yī)療、便攜和消費應用設計人員帶來業(yè)界最低RDS(ON) 值(-4.5V下為75m?) ,能夠最大限度地減小傳導損耗。通過降低損耗,F(xiàn)DZ371PZ能夠提高便攜設計的效率,并延長電池壽命。FDZ371PZ還可提供4.4kV的穩(wěn)健ESD保護功能,以保護器件免受ESD事件影響。

FDZ371PZ器件的WL-CSP封裝使用4 x 250µm無鉛焊球,具有出色的電氣和熱阻數(shù)值,安裝時的封裝高度達到0.4mm,達業(yè)界領先水平。

FDZ371PZ是飛兆半導體全面的先進MOSFET產(chǎn)品系列的成員,能夠滿足業(yè)界對于緊湊的薄型MOSFET器件的需求,并提供高效率和出色的開關性能。


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