【導(dǎo)讀】AI算力需求呈現(xiàn)爆炸式增長(zhǎng)，海量數(shù)據(jù)頻繁調(diào)動(dòng)使得存儲(chǔ)行業(yè)變得愈發(fā)重要。生成式AI、AI智能體、端側(cè)AI應(yīng)用，高性能、高密度、高能效的存儲(chǔ)解決方案都構(gòu)成了不可或缺的硬件基礎(chǔ)。這些技術(shù)正助力解決數(shù)據(jù)中心、AI訓(xùn)練推理以及移動(dòng)設(shè)備在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與訪問方面的瓶頸問題。在眾多存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展路徑中，鎧俠BiCS FLASH 3D閃存技術(shù)為整個(gè)行業(yè)提供了堅(jiān)實(shí)支撐，成為高性能存儲(chǔ)領(lǐng)域的關(guān)鍵角色。
從2D到3D：閃存技術(shù)的革命性跨越
作為閃存技術(shù)的發(fā)明者，鎧俠始終秉承Bit Cost Scalable Flash理念。當(dāng)2D NAND技術(shù)遭遇容量提升瓶頸后，BiCS FLASH創(chuàng)造性地轉(zhuǎn)向垂直方向堆疊存儲(chǔ)單元。這項(xiàng)技術(shù)通過巧妙的交替堆疊板狀電極和絕緣體，一次性垂直打孔穿透存儲(chǔ)層，并在孔內(nèi)填充電荷儲(chǔ)存膜和柱狀電極，從而構(gòu)建起當(dāng)前主流的3D NAND架構(gòu)。更重要的是，BiCS FLASH的技術(shù)迭代從未停止，持續(xù)推動(dòng)著存儲(chǔ)技術(shù)的邊界。
性能與密度兼得：第八代BiCS FLASH的技術(shù)突破
已成為行業(yè)主流的第八代BiCS FLASH現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于各類存儲(chǔ)產(chǎn)品中，從移動(dòng)設(shè)備和車載系統(tǒng)的UFS系列，到消費(fèi)級(jí)SSD，再到企業(yè)級(jí)和數(shù)據(jù)中心級(jí)存儲(chǔ)方案，都能看到它的身影。
第八代BiCS FLASH在存儲(chǔ)密度和性能方面均有顯著提升，其中2Tb QLC NAND是目前業(yè)界最大容量的存儲(chǔ)器。為實(shí)現(xiàn)這一突破，鎧俠通過專有工藝和創(chuàng)新架構(gòu)，平衡了存儲(chǔ)芯片的縱向和橫向縮放，開發(fā)的CBA架構(gòu)和3.6Gbps接口速度，為AI應(yīng)用、數(shù)據(jù)中心和移動(dòng)設(shè)備開辟了更多可能性。
CBA架構(gòu)與傳統(tǒng)單晶圓制造CMOS邏輯電路與存儲(chǔ)單元的方式截然不同，它采用兩片分別制造后再翻轉(zhuǎn)貼合的方式，使不同工藝都能發(fā)揮更大優(yōu)勢(shì)，同時(shí)縮短生產(chǎn)時(shí)間。得益于存儲(chǔ)單元和CMOS邏輯電路都有了更充裕的設(shè)計(jì)空間，第八代BiCS FLASH實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)密度與性能的雙重提升：寫入性能提高20%，讀取速度提高10%，耗電量減少30%（寫入時(shí)），接口速度達(dá)到3.6 Gbps，表現(xiàn)優(yōu)于同級(jí)別產(chǎn)品。
第八代BiCS FLASH QLC創(chuàng)造了業(yè)界最大的2Tb規(guī)格，當(dāng)單個(gè)封裝內(nèi)堆疊32個(gè)Die時(shí)，可實(shí)現(xiàn)領(lǐng)先的8TB容量。多個(gè)存儲(chǔ)芯片組合，更能構(gòu)建出256TB的企業(yè)級(jí)SSD，剔除OP空間后存儲(chǔ)容量仍達(dá)245.76TB。鎧俠LC9 245.76TB企業(yè)級(jí)SSD就是典型代表，目前已與部分?jǐn)?shù)據(jù)中心展開合作，加速AI數(shù)據(jù)中心高效能部署，同時(shí)降低總體擁有成本。
雙軌并行戰(zhàn)略：為AI未來加碼
在第八代BiCS FLASH成為行業(yè)中流砥柱的同時(shí)，第九代和第十代BiCS FLASH也已蓄勢(shì)待發(fā)，形成雙軌并行的發(fā)展策略。
第九代BiCS FLASH專注于利用CBA技術(shù)，在現(xiàn)有存儲(chǔ)單元技術(shù)基礎(chǔ)上推出更具成本優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品。通過集成最新的CBA技術(shù)和Toggle DDR 6.0接口，第九代BiCS FLASH實(shí)現(xiàn)了顯著的性能與能效提升，能夠?yàn)橹髁髌髽I(yè)級(jí)SSD、邊緣計(jì)算和AI應(yīng)用提供均衡的解決方案。
第十代BiCS FLASH則進(jìn)一步將存儲(chǔ)陣列堆疊層數(shù)大幅提升至332層，同樣采用Toggle DDR6.0接口和SCA獨(dú)立命令地址協(xié)議，將NAND接口速度提升至4.8Gbps，以滿足未來AI訓(xùn)練、科學(xué)計(jì)算等超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心對(duì)存儲(chǔ)帶寬和容量的極致需求，同時(shí)有助于降低超大容量SSD的制造復(fù)雜度和成本。
除了主流的BiCS FLASH技術(shù)，鎧俠還在探索XL-FLASH存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存和OCTRAM等新型存儲(chǔ)技術(shù)，為未來計(jì)算架構(gòu)做好充分準(zhǔn)備。
最后，面對(duì)AI時(shí)代的數(shù)據(jù)洪流，存儲(chǔ)技術(shù)的創(chuàng)新步伐正在加快。鎧俠通過持續(xù)的技術(shù)迭代，不斷追求更高的存儲(chǔ)密度，與各行業(yè)客戶緊密合作，進(jìn)一步降低TCO，提升能效表現(xiàn)，為邁向更高存儲(chǔ)密度的目標(biāo)奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。隨著BiCS FLASH技術(shù)的持續(xù)進(jìn)化，云端與端側(cè)應(yīng)用將獲得更優(yōu)質(zhì)的存儲(chǔ)解決方案，為全面智能化時(shí)代提供強(qiáng)有力的數(shù)據(jù)支撐。
