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學(xué)子專區(qū)—ADALM2000實驗：調(diào)諧放大器級
當(dāng)輸入頻率（FIN）低于FR時，電路阻抗從其最大值開始減小并呈感性。當(dāng)FIN高于FR時，電路阻抗再次下降，但呈容性。當(dāng)在FR處工作時，諧振電路的阻抗達到其最大值。因此，調(diào)諧共發(fā)射極放大器2的增益也處于最大值。
2024-09-25
ADALM2000 調(diào)諧放大器
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使用 SSCB 保護現(xiàn)代高壓直流系統(tǒng)的優(yōu)勢
在各種應(yīng)用中，系統(tǒng)效率和功率密度不斷提高，這導(dǎo)致了更高的直流系統(tǒng)電壓。然而，傳統(tǒng)的電路保護解決方案不足以在保持高可靠性和安全性的同時有效保護這些高壓配電系統(tǒng)。
2024-09-23
SSCB 保護 高壓直流系統(tǒng)
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【測試案例分享】 如何評估熱載流子引導(dǎo)的MOSFET衰退
隨著MOSFET柵極長度的減小，熱載流子誘發(fā)的退化已成為重要的可靠性問題之一。在熱載流子效應(yīng)中，載流子被通道電場加速并被困在氧化物中。這些被捕獲的電荷會引起測量器件參數(shù)的時間相關(guān)位移，例如閾值電壓 (VTH)、跨導(dǎo) (GM)以及線性 (IDLIN) 和飽和 (IDSAT) 漏極電流。隨著時間的推移，可能會發(fā)生實...
2024-09-22
泰克科技 熱載流子 MOSFET 測試
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基于GD32F407VET6主控芯片的永磁同步電機控制器設(shè)計
作品以國產(chǎn)MCU為核心，配合成熟的硬件方案和完善的軟件算法，解決了永磁同步電機在單母線電流傳感器拓?fù)潋?qū)動下零低速和中高速范圍內(nèi)無位置傳感器控制問題，實驗效果優(yōu)異，對于提高永磁同步電機在風(fēng)機、水泵、電動工具等應(yīng)用領(lǐng)域具有積極意在僅有單母線電流傳感器的情況下，實現(xiàn)永磁同步電機的零低速...
2024-09-20
GD32F407VET6 主控芯片 永磁同步電機控制器
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用于測試汽車逆變器的主動電機仿真
作為電池模擬器，可以使用標(biāo)準(zhǔn)電源。通過適當(dāng)控制電機模擬器，相電流通過相線圈從 DUT 流向模擬器，并通過 DC-Link 流回 DUT，反之亦然。因此，DC-Link受到實際電流的壓力，但由于能量在兩個逆變器之間流動，因此電池模擬只需為整個系統(tǒng)的損耗提供能量。這是重要的好處之一：可以使用相對較小的電源...
2024-09-15
汽車逆變器 測試 電機仿真
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電氣負(fù)載模擬器
電氣負(fù)載仿真的概念涉及控制電力電子轉(zhuǎn)換器，使其行為類似于實際電氣負(fù)載。例如，電壓源逆變器 (VSI) 可以仿真感應(yīng)電機。在不同情況下，負(fù)載仿真器的使用至關(guān)重要。它有助于分析在各種負(fù)載條件和環(huán)境下將多臺機器連接到電網(wǎng)的可行性。的部分是，這可以在沒有任何機電機械的情況下完成。負(fù)載仿真器可...
2024-09-15
電氣 負(fù)載模擬器
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第4講：SiC的物理特性
SiC作為半導(dǎo)體功率器件材料，具有許多優(yōu)異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對比見表1。與Si相比，4H-SiC擁有10倍的擊穿電場強度，可實現(xiàn)高耐壓。與另一種寬禁帶半導(dǎo)體GaN相比，物理特性相似，但在p型器件導(dǎo)通控制和熱氧化工藝形成柵極氧化膜方面存在較大差異，4H-SiC在多用途功率MOS晶體管的制備...
2024-09-11
SiC
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氮化鎵在高壓應(yīng)用中提供強大的解決方案
在電子工程領(lǐng)域，向更高工作電壓發(fā)展的趨勢是由各種應(yīng)用中對提高效率和功率密度的需求所推動的。氮化鎵（GaN）技術(shù)正作為一種強大的解決方案來滿足這些需求。
2024-09-11
氮化鎵 高壓應(yīng)用
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無需磁性元件的光伏調(diào)節(jié)器
光伏系統(tǒng)通常包括一種儲能方式——電池或超級電容器——在沒有陽光或電源瞬變時為負(fù)載提供電力。然而，在可行的情況下，無儲能系統(tǒng)是一種更環(huán)保的替代方案，具有更高的 MTBF。
2024-09-10
磁性元件 光伏調(diào)節(jié)器
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