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具有最低電阻和低總閘極電荷的PowerTrench MOSFET

發布時間:2012-12-29 責任編輯:easonxu

【導讀】快捷半導體公司的40VN信道PowerTrench MOSFET產品,具有最低電阻和低總閘極電荷以降低功率損耗。

汽車動力操控(Power Steering)系統設計工程師需要可提供更高效率和更好功率控制的解決方案??旖莅雽w公司(Fairchild Semiconductor)的40VN信道PowerTrench MOSFET產品,具有最低電阻和低總閘極電荷以降低功率損耗,可協助設計者因應這些挑戰。

FDB9403 采用快捷半導體的屏蔽閘極技術,改進了電阻并降低了電容器。該組件提供比最接近競爭產品低20%的RDS(ON)值,同時具備低Qg值,可降低功率損耗并最終提高整體效率。FDB9403 MOSFET產品作為基本的電流控制開關,有效控制電力,無任何浪費,因此非常適合于電力操控系統、懸架控制及動力傳動管理應用。

在VGS = 10V和ID = 80A時,更低功率損耗的典型值RDS(ON)= 1mΩ,因而實現更高效率;在VGS = 10V和ID = 80A時,典型值Qg(tot) = 164nC,功耗更低,因而實現更高效率;UIS能力;以及符合RoHS及AEC Q101標準。

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