-
破局PMIC定制困境：無代碼方案加速產品落地
電源管理集成電路(PMIC)有益于簡化最終應用并縮小其尺寸，也因此備受青睞。然而，當默認啟動時序和輸出電壓與應用要求不符時，就需要定制上電設置。大多數(shù)情況下，電路沒有可以存儲這些設置的非易失性存儲器(NVM)。對此，低功耗微控制器是一個很好的解決方案，其功能特性和所包含的工具可以在上電時對PMIC控制寄存器進行編程，而不需要開發(fā)固件。本文將探討如何使用工具鏈來解決集成難題。該工具鏈無需開發(fā)固件，能夠簡化PMIC的定制過程，并顯著縮短開發(fā)周期。
2025-05-18
-
動態(tài)存儲重構技術落地！意法半導體全球首發(fā)可編程車規(guī)MCU破解域控制器算力僵局
意法半導體推出內置xMemory的Stellar車規(guī)級微控制器。xMemory是Stellar系列汽車微控制器內置的新一代可改變存儲配置的存儲器，可徹底改變開發(fā)軟件定義汽車 (SDV) 和升級電動汽車平臺的艱難過程。
2025-04-17
-
自動測試設備應用中PhotoMOS開關的替代方案
人工智能(AI)應用對高性能內存，尤其是高帶寬內存(HBM)的需求不斷增長，芯片設計因此變得更加復雜。自動測試設備(ATE)廠商是驗證這些芯片的關鍵一環(huán)，目前正面臨著越來越大的壓力，需要不斷提升自身能力以滿足這一需求。傳統(tǒng)上，在存儲器晶圓探針電源應用中，PhotoMOS開關因其良好的低電容乘電阻(CxR)特性而得到采用。低CxR有助于減少信號失真，改善開關關斷隔離度，同時實現(xiàn)更快的開關速度和更低的插入損耗。
2025-02-23
-
提高下一代DRAM器件的寄生電容性能
隨著傳統(tǒng)DRAM器件的持續(xù)縮小，較小尺寸下寄生電容的增加可能會對器件性能產生負面影響，未來可能需要新的DRAM結構來降低總電容，并使器件發(fā)揮出合格的性能。本研究比較了6F2蜂窩動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 器件與4F2垂直通道訪問晶體管 (VCAT) DRAM結構的寄生電容。結果表明，與6F2結構相比，4F2結構顯著降低了節(jié)點接觸 (NC) 與位線 (BL) 之間的寄生電容。盡管4F2器件其他組件之間的寄生電容相比6F2器件略有增加，但它們仍處于支持器件達成目標性能的合格水平。相比6F2器件，4F2 DRAM器件的總寄生電容得到有效降低，可能在器件尺寸較小的情況下提供更優(yōu)的性能。
2024-11-20
-
AMD 宣布推出第二代 Versal Premium 系列，滿足數(shù)據密集型工作負載需求
2024 年 11 月 12 日，加利福尼亞州圣克拉拉——AMD（超威，納斯達克股票代碼：AMD）今日宣布推出第二代 AMD Versal? Premium 系列，這款自適應 SoC 平臺旨在面向各種工作負載提供最高水平系統(tǒng)加速。第二代 Versal Premium 系列將成為 FPGA 行業(yè)首款在硬 IP 中采用 Compute Express Link （CXL?）3.1① 與 PCIe? Gen6 并支持 LPDDR5 存儲器的器件。
2024-11-13
-
從富士通到RAMXEED，以全新一代FeRAM迎接邊緣智能高可靠性無延遲數(shù)據存儲需求
在人工智能大型模型和邊緣智能領域的算力需求激增的推動下，市場對于高性能存儲解決方案的需求也在不斷增加。據此預測，2024年全球存儲器市場的銷售額有望增長61.3%，達到1500億美元。為了降低云和邊緣的功耗，兼具高性能和非易失性的新型存儲器正迎來市場快速增長的發(fā)展大時代，如鐵電存儲器FeRAM和ReRAM，以及磁性存儲器MRAM、阻變式存儲器ReRAM等。
2024-11-08
-
意法半導體推出Page EEPROM二合一存儲器，提升智能邊緣設備的性能和能效
意法半導體的 Page EEPROM兼?zhèn)銭EPROM存儲技術的能效和耐用性與閃存的存儲容量和讀寫速度，為面臨極端尺寸和功率限制的應用場景提供了一個混合存儲器。
2024-10-17
-
一文讀懂 嵌入式系統(tǒng)外設器件的類型及其選擇
本文介紹了嵌入式系統(tǒng)外設器件的選擇，包括存儲器、時鐘源、定時器、通信接口和輸入/輸出接口等。文章介紹了多種存儲器類型及其選擇考慮因素，多種時鐘源的類型及其選擇考慮因素。強調了定時器精度和計時范圍的重要性。文章還介紹了通信接口類型、常見通信協(xié)議及其選擇因素，以及主要的輸入/輸出接口等，并總結了選擇這些外設器件時的關鍵考量。
2024-10-16
-
DigiKey開售Kingston的內存產品和存儲解決方案
DigiKey 宣布與 Kingston Technology（金士頓）合作，向全球分銷其內存產品和存儲解決方案。作為全球最大的獨立存儲器產品制造商之一，Kingston 面向各種規(guī)模的工業(yè)和嵌入式 OEM 客戶，提供包括 eMMC、eMCP、ePoP、UFS 和 DRAM 組件在內的各種存儲產品。該公司還提供一系列專為系統(tǒng)設計師和制造者打造的工業(yè)級 SATA 和 NVMe 固態(tài)硬盤 (SSD)。
2024-07-27
-
MCX N系列微處理器之NPU使用方法簡介
MCX N系列是高性能、低功耗微控制器，配備智能外設和加速器，可提供多任務功能和高能效。部分MCX N系列產品包含恩智浦面向機器學習應用的eIQ? Neutron神經處理單元(NPU)。低功耗高速緩存增強了系統(tǒng)性能，雙塊Flash存儲器和帶ECC檢測的RAM支持系統(tǒng)功能安全，提供了額外的保護和保證。這些安全MCU包含恩智浦EdgeLock?安全區(qū)域Core Profile，根據設計安全方法構建，提供具有不可變信任根和硬件加速加密的安全啟動。
2024-04-23
-
意法半導體突破20納米技術節(jié)點，提升新一代微控制器的成本競爭力
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)發(fā)布了一項基于 18 納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI) 技術并整合嵌入式相變存儲器 (ePCM)的先進制造工藝，支持下一代嵌入式處理器升級進化。這項新工藝技術是意法半導體和三星晶圓代工廠共同開發(fā)，使嵌入式處理應用的性能和功耗實現(xiàn)巨大飛躍，同時可以集成容量更大的存儲器和更多的模擬和數(shù)字外設。基于新技術的下一代 STM32 微控制器的首款產品將于 2024下半年開始向部分客戶提供樣片，2025 年下半年排產。
2024-03-26
-
意法半導體超低功耗STM32MCU上新，讓便攜產品輕松擁有驚艷圖效
意法半導體推出了集成新的專用圖形加速器的STM32*微控制器(MCU)，讓成本敏感的小型產品也能為用戶帶來更好的圖形體驗。超低功耗MCU STM32U5F9/G9和STM32U5F7/G7集成3MB片上動態(tài)存儲器(SRAM)，可以為圖形顯示屏提供多個幀緩存區(qū)，以節(jié)省外部存儲芯片。新產品還集成了意法半導體的NeoChromVG圖形處理器(GPU)，能夠實現(xiàn)的圖形效果可與更昂貴的高端微處理器相媲美。
2024-02-05
- 聚合物電容全景解析：從納米結構到千億市場的國產突圍戰(zhàn)
- 超300cd亮度+毫米級光域！艾邁斯歐司朗SYNIOS P2720重構車燈微光學架構
- 從存儲轉發(fā)到AI自治：以太網交換機的四階技術躍遷
- 驅動器技術全景圖：從原理到國產替代的破局之路
- 奇瑞羅姆技術共創(chuàng)日，共繪汽車電子未來藍圖
- 隔離式柵極驅動器核心技術全景：安全、能效與國產破局路徑
- 三新驅動西部崛起：第十三屆西部電子信息博覽會成都盛大啟幕
- 集成化與智能化：國產有刷電機驅動芯片的技術躍遷與應用突圍
- 從方波到矢量控制：BLDC電機驅動器的國產化進階之路
- 力芯微ET6416 vs TI TPS25946：系統(tǒng)級芯片設計的兩種路徑
- EMVCo C8預認證！意法半導體STPay-Topaz-2重塑支付芯片安全邊界
- 村田開始量產村田首款0402英寸47μF多層陶瓷電容器
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動避撞技術展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
