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新型的工業級TMR角度傳感器
在 IoT 市場、工業設備以及消費類方面的應用中，常需要傳感器來感測角度，使設備能夠進行精確的運動或是進行相對應的判斷，其中一種新型的 TMR （Tunnel Magneto-resistance）傳感器便具有高靈敏度、低功耗、高線性度、低溫度依賴性等優勢。本文將為您介紹TMR傳感器的特色，以及由Murata銷售的Crocus Technology TMR角度傳感器的產品特性。
2022-12-05
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基于英飛凌TC275的電動助力轉向系統(EPS)方案
電動助力轉向系統（Eelectric Power Steering 簡稱 EPS 是一種直接依靠電機提供輔助扭矩的動力轉向系統 。它作為一種新型助力轉向系統與已有幾十年發展歷史的傳統液壓轉向技術相比，具有諸多優點。
2022-11-17
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一文理解BUCK電路的降壓原理
BUCK電路和BOOST電路用到的器件幾乎一樣，如果理解了BOOST電路的升壓原理，其實BUCK的降壓原理也是很容易理解的。
2022-11-17
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意法半導體嵌入式 AI 解決方案增加簡化機器學習開發的高級功能
為了擴大開發工具的功能，加快嵌入式人工智能 (AI) 和機器學習 (ML) 開發項目，意法半導體發布了NanoEdge AI Studio 和 STM32Cube.AI.的升級版本。
2022-11-16
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TI最新buck-boost 轉換器助力車載攝像頭POC方案
為了使駕駛安全避免事故，高級駕駛員輔助系統 (ADAS)正成為現代汽車的標準配置。攝像頭是高級駕駛員輔助系統 (ADAS)的重要組成部分，可提供駕駛員以前無法查看的盲點視圖、交通標志識別、行人檢測以及車輛停車輔助（圖 1）。
2022-11-11
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科普：MOSFET結構及其工作原理
MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體)+FET(Field Effect Transistor場效應晶體管)這個兩個縮寫組成。即通過給金屬層(M-金屬鋁)的柵極和隔著氧化層(O-絕緣層SiO2)的源極施加電壓，產生電場的效應來控制半導體(S)導電溝道開關的場效應晶體管。由于柵極與源極、柵極與漏極之間均采用SiO2絕緣層隔離，MOSFET因此又被稱為絕緣柵型場效應管。
2022-11-04
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貿澤與ST合作推出新電子書，探討響應式邊緣人工智能的未來
2022年11月3日 – 專注于推動行業創新的知名新品引入 (NPI) 分銷商?貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與STMicroelectronics (ST) 合作推出新電子書《Intelligence at the Edge》（邊緣智能），探討部署在邊緣的人工智能 (AI) 與機器學習 (ML) 的新發展。書中來自貿澤和ST的主題專家深入分析了邊緣AI和ML開發的挑戰和應用，其精選文章涵蓋智能傳感器、嵌入式神經網絡和響應式AI等主題。
2022-11-03
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納芯微低功耗數字溫度傳感器NST112x用于可穿戴類設備測溫
可穿戴設備例如智能手表主打智能助理、健康、安全和運動等多功能定位深受消費者喜愛。后疫情時代，消費者更加關注自身健康，體溫測量成為了健康監測管理和多維預防的重要手段。人們可以通過具有體溫測量功能的可穿戴設備隨時隨地了解自身健康狀況，實現自我防護。
2022-10-25
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瑞薩電子完成對Steradian的收購
2022 年 10 月 17 日，日本東京訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，截至2022年10月17日已完成對提供4D成像雷達解決方案的無晶圓半導體公司Steradian Semiconductors Private Limited（“Steradian”）的收購。
2022-10-18
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【未來可測】系列之二：憶阻器單元基礎研究和性能研究測試方案
憶阻器英文名為memristor, 用符號M表示，與電阻R，電容C，電感L構成四種基本無源電路器件，它是連接磁通量與電荷之間關系的紐帶，其同時具備電阻和存儲的性能，是一種新一代高速存儲單元，通常稱為阻變存儲器（RRAM）。
2022-09-29
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【干貨】強大的4開關升降壓BOB電源，可升可降、能大能小
基于電感器的開關架構電源有3中常見的拓撲結構，分別是BUCK降壓電源、BOOST升壓電源以及BUCK-BOOST負壓電源，今天介紹的第4中拓撲——4開關BOB電源，在手機、汽車、嵌入式等領域都有廣泛應用，它的基本工作原理是怎樣的呢？有什么優勢呢？
2022-09-27
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采用IGBT7的1700V Econo DUAL 3模塊性能解析
半導體市場不斷推動IGBT技術實現更高功率密度、魯棒性和性能水平。對于新一代IGBT而言，始終需要能夠輕松融入設計并在不同應用中表現良好的產品。IGBT應能助力打造出擁有優化系統成本的可擴展逆變器產品組合。本文通過仿真和應用測試，對英飛凌全新TRENCHSTOP? 1700V IGBT7技術以及對應的同類最佳900A和750A EconoDUAL? 3模塊的電氣性能和熱性能，與英飛凌IGBT4技術進行了比較。在1700V IGBT模塊特定應用背景下，考慮到了芯片優化。研究結果表明，采用新型1700V IGBT7/EC7技術的模塊在大量應用中顯著提高了功率密度。
2022-09-21
- 安森美與舍弗勒強強聯手，EliteSiC技術驅動新一代PHEV平臺
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