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晶片鍵合質(zhì)量的紅外檢測系統(tǒng)設(shè)計

發(fā)布時間:2011-10-19

中心議題:
  • 晶片鍵合質(zhì)量的紅外檢測系統(tǒng)設(shè)計
解決方案:
  • 采用紅外檢測系統(tǒng)

1 引言

晶片直接鍵合技術(shù)就是把兩片鏡面拋光晶片經(jīng)表面清洗和活化處理,在室溫下直接貼合,再經(jīng)過退火處理增加結(jié)合強(qiáng)度而成為一個整體的技術(shù)。該技術(shù)不需要任何粘合劑,兩鍵合片的電阻率和導(dǎo)電類型可以自由選擇,工藝簡單,是制備復(fù)合材料及實現(xiàn)微機(jī)械加工的最優(yōu)手段[1]。它往往與其他手段結(jié)合使用,既可對微結(jié)構(gòu)進(jìn)行支撐和保護(hù),又可實現(xiàn)機(jī)械結(jié)構(gòu)之間或機(jī)械結(jié)構(gòu)與電路之間的電學(xué)連接[2]。

鍵合片在應(yīng)用時,首先要求它必須具有良好的機(jī)械特性(空洞大小及分布和鍵合強(qiáng)度),它是鍵合片具有良好的電學(xué)特性的基礎(chǔ) [3]。鍵合界面沒有空洞或空洞極少是制作可靠器件的原始要求。檢測鍵合的方法有破壞性和非破壞性兩大類,目前應(yīng)用最為普遍的描述鍵合機(jī)械特性的方法有圖像法。橫截面分析法和鍵合強(qiáng)度測試。圖像法是一種非破壞性的方法,并且可用于在線實時監(jiān)控;而后兩種方法均為破壞性方法且需要控制模塊。對于硅片鍵合,紅外透射法、超聲波法和X射線圖像法為主要的三種圖像法[4]。盡管紅外透射法探測界面空洞的空間分辨率不及超聲波法和X射線圖像法,但紅外方法具有簡單、快速、價格便宜和易獲得等優(yōu)點,并且可以直接在凈化間中使用獲得鍵合片退火前后的照片。而其他兩種圖像法盡管分辨率高,但價格昂貴、費時,且不與凈化間兼容,無法實時監(jiān)測鍵合過程。

本文主要討論以晶片的紅外透射原理為基礎(chǔ),利用圖像處理技術(shù),克服以往測試方法中高成本和技術(shù)復(fù)雜等缺點,實現(xiàn)以硅-硅直接鍵合為例,設(shè)計和搭建了紅外檢測裝置及相關(guān)的軟件模塊,并同硅片鍵合裝置結(jié)合,實現(xiàn)快速有效的在線鍵合工藝監(jiān)控和晶片鍵合質(zhì)量的初步評估。

2 紅外檢測原理

光波的近紅外部分(波長約0.75~1.5 μm)可以透過晶片,不同的晶片對紅外光的透射率不同。晶片可以透過的紅外光的最小波長如表1所示。

如果在兩塊晶片的鍵合界面處存在未鍵合區(qū)域,就會使光線出現(xiàn)兩次反射而形成相干光,經(jīng)CCD拍攝,在圖片上會出現(xiàn)干涉條紋。如果未鍵合區(qū)域面積較大且間隙高度不大,則會出現(xiàn)很多較大的干涉條紋。如果未鍵合區(qū)域很小,則紅外圖片上將出現(xiàn)較小的牛頓環(huán);當(dāng)鍵合界面處間隙較大時,紅外光幾乎無法透過,在圖片上的對應(yīng)位置將只能出現(xiàn)黑色圖案。因此,根據(jù)鍵合片的紅外透射圖像,就可以成功檢測到鍵合晶片的缺陷狀態(tài)及分布等。但是,如果光的單色性不好,或者未鍵合區(qū)域的表面不是很規(guī)則的時候,也無法觀測到牛頓環(huán),此時只能在圖片上觀測到明暗對比的圖案[5] 。

3 系統(tǒng)的設(shè)計

3.1 光源和CCD的選擇


獲得的圖像質(zhì)量直接影響圖像處理程序的復(fù)雜度和檢測結(jié)果。如果采用的光源單色性越好,越接近平行光,則圖片的干涉條紋更清晰,質(zhì)量更好。然而單色激光器或者平行光源體積大,而紅外測試系統(tǒng)的一大特點就是結(jié)構(gòu)簡單、緊湊,而提供窄波段的照明價格比較昂貴,且不易控制,因此選用普通的白熾燈作為光源。為了得到較好的紅外圖片,在鏡頭的上方放置一塊雙面鏡面拋光的硅片,從而過濾掉可見光對圖片的影響。同時,選用超低照度黑白攝像機(jī)WAT-902H,它的光譜響應(yīng)靈敏曲線如圖1所示。而紅外線波長為750 nm~1000μm,這樣我們采用普通的光源就可以獲得窄波段的紅外圖像。另外,由于該相機(jī)對紅外波段的響應(yīng)靈敏度不高,可以通過增加光強(qiáng)來克服,從而獲得清晰的紅外干涉圖像,為后續(xù)的圖像分析和處理做準(zhǔn)備。
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3.2 系統(tǒng)的組成


該測試系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)組成如圖2所示,由光源調(diào)節(jié)裝置、光源、可變遮光光闌、測試臺、放大鏡頭、黑白CCD攝像機(jī)、數(shù)據(jù)采集卡和計算機(jī)組成。

光源和CCD分別安裝在測試樣品的兩邊,相向安裝。光源的高度可調(diào),這是為了適應(yīng)測試不同晶片的要求,從而獲得最清晰的紅外圖片。可變光闌放在鍵合片的下方,中間孔徑在Φ1.8~50 mm任意可調(diào),它控制照射到鍵合片上光斑的大小,一般調(diào)節(jié)可變光闌的內(nèi)孔徑同鍵合片大小,也可以調(diào)節(jié)到比鍵合片小,以檢測鍵合片的局部特征。可變光闌優(yōu)化光源的同時,簡化了紅外圖片的背景,使得鍵合片以外的圖像為單一黑色,降低了圖像處理的復(fù)雜度,簡化了系統(tǒng)軟件。

光源通過可變光闌照射到鍵合片,光線透過鍵合片,通過鏡頭,在攝像機(jī)上成像,從而獲得鍵合片的紅外圖像,通過數(shù)據(jù)采集卡送入計算機(jī),經(jīng)過圖像處理程序的處理,顯示測試結(jié)果。

3.3 系統(tǒng)軟件模塊

該儀器硬件測試部分與PC機(jī)相連,所獲得的圖片直接存放在PC機(jī)中,可以利用軟件對圖片進(jìn)行處理,獲得所需要的信息,同時提供圖片顯示和測試結(jié)果顯示等功能。而使用一般通用的辦公軟件處理圖片,如Photoshop等,需要理解鍵合的專業(yè)技術(shù)人員的參與,人為參與的因素過多,也將直接影響測試結(jié)果,且處理起來也很不方便。因此,我們利用Visual C++開發(fā)相應(yīng)的軟件模塊,無需專業(yè)人員操作,可以方便快捷地處理圖片,快速獲取所需要的信息。目前主要處理模塊流程如圖3所示。
3.3.1 光照補償模塊

上文中已經(jīng)說明了最終選擇普通的白熾燈作為光源是最為經(jīng)濟(jì)合適的,但同時也使得硅片表面的光照不均勻。同屬于鍵合區(qū)域,而中間偏亮,四周偏暗,位于不同光照位置的鍵合區(qū)和未鍵合區(qū)的灰度值非常接近,這給圖像的分割帶來很大的困難。因此,加入光照補償模塊,成功地解決了光照不均的問題。光照補償曲線由標(biāo)定擬和的方式得到。
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3.3.2 對比度增強(qiáng)模塊

由于圖片上鍵合區(qū)域和未鍵合區(qū)域的對比度不是很大,使得圖像的分割困難,分析所得圖片的灰度直方圖,發(fā)現(xiàn)灰度值集中在0~255的某一段區(qū)域,此處采用一種對比度增強(qiáng)算法,均勻地拉大各部分的差別,從而拉大圖片上鍵合區(qū)域和未鍵合區(qū)域的差別,方便后續(xù)處理。該對比度增強(qiáng)算法不同于直方圖均衡,它在算法上沒有累積,其效果體現(xiàn)在直方圖上,均等地拉開了各個灰度值之間的間距,而不改變灰度等級的個數(shù)和所對應(yīng)的概率值。

3.3.3 圖像平滑處理模塊

獲得圖像的過程中,不可避免地會引入很多噪聲,所以圖像平滑是圖像預(yù)處理不可缺少的部分。此處采用的圖像平滑是基于梯度的算法,中和了均值濾波和中值濾波的雙重效果,在抑制噪聲的同時也模糊了干涉條紋,從而為后續(xù)的閾值分割奠定基礎(chǔ)。該算法的實現(xiàn):用3×3的鄰域T[3][3],取中心點與其相鄰的8個點的灰度值梯度,按閾值 T0將T[3][3]分成三個區(qū)域,鄰域內(nèi)各點的灰度值為其所屬區(qū)域的灰度均值。用T[3][3]遍歷整幅圖像,圖像各點的灰度值取該點累積的均值。

3.3.4 閾值分割模塊

閾值分割是從整幅圖像中提取目標(biāo)對象的處理,在此處是為了提取出鍵合上的區(qū)域,為鍵合率的計算做準(zhǔn)備。

3.3.5 鍵合率計算模塊


在閾值分割后的二值圖像上,計算出鍵合區(qū)域的面積,從而計算出鍵合率。鍵合率定義為晶片鍵合上的面積占整個預(yù)鍵合晶片面積的百分比。

4 系統(tǒng)的應(yīng)用

4.1 在線監(jiān)測鍵合過程


將紅外檢測應(yīng)用到鍵合裝置中,可以實時監(jiān)控鍵合過程。圖4(a)~(d)是截取的預(yù)鍵合過程中的4幅圖片,可以清晰地觀察鍵合波從中間向四周擴(kuò)張的傳播過程。圖中所標(biāo)的數(shù)字表示預(yù)鍵合時間(晶片經(jīng)活化處理后,從兩晶片開始接觸到逐步鍵合所經(jīng)歷的時間)。1 min后,鍵合面積基本不再發(fā)生變化,預(yù)鍵合結(jié)果如圖4(d)所示。
4.2 檢測晶片鍵合質(zhì)量

將上節(jié)中預(yù)鍵合的硅片在120。C下退火5 h,最終得到鍵合片的紅外圖片如圖5(a),其鍵合質(zhì)量如圖5,鍵合率為60.20%。
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兩組樣品均采用單面拋光的p型標(biāo)準(zhǔn)晶片,經(jīng)過清洗、活化等處理后,貼合到一起,再經(jīng)過低溫退火,形成穩(wěn)定的鍵合,獲得測試樣件。將鍵合好的晶片放在該測試儀上檢測,并進(jìn)行相應(yīng)圖像處理得到樣品1和2的紅外圖片如圖6和圖7所示。

圖6(a)和圖7(a)中,圓形區(qū)域是要鍵合的圓片,其中明區(qū)為鍵合上的地方,暗區(qū)為未鍵合上的地方,圓形區(qū)域(即鍵合圓片)以外為圖像背景。從圖上可以大致地看出空洞(未鍵合區(qū)域)的分布、個數(shù)和大小等。為了獲得更為準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)信息,借助圖像處理程序?qū)D片(a)進(jìn)行對比度增強(qiáng)、平滑、分割等一系列處理,可獲得圖(b),(c),從而得到鍵合率。樣品1的鍵合率為28.12%,鍵合率很低,并且從圖6中空洞的分布可以看出,樣品1鍵合得很不好。樣品2的鍵合率為66.12%。比較圖6和圖7,樣品2的鍵合質(zhì)量明顯優(yōu)于樣品1,可以說明鍵合圓片越薄,越容易鍵合。可以從平板理論理解這一鍵合現(xiàn)象,圓片越薄,界面表面能克服圓片翹曲貼合到一起所需要的力越小。
在圖7(a)右側(cè),可以看到具有清晰圓形干涉條紋的圓形暗區(qū),這是因為在圓片貼合前,圓片此處有一顆粒污染。因此可以推測,界面上因顆粒污染所形成的空洞,紅外圖片上呈現(xiàn)為比較規(guī)則的圓形暗區(qū)。

5 結(jié)論


本文開發(fā)的晶片鍵合質(zhì)量的紅外檢測系統(tǒng)具有成本低、實現(xiàn)原理和方法簡單等優(yōu)點。利用該檢測儀,可以快速獲得晶片的鍵合率和缺陷分布狀況,從而實現(xiàn)晶片鍵合質(zhì)量的快速評估。分析和比較了不同工藝條件下鍵合片的鍵合質(zhì)量,包括鍵合率和空洞分布,結(jié)合鍵合強(qiáng)度等參數(shù),可以有助于理解晶片鍵合的機(jī)理,從而指導(dǎo)鍵合工藝,優(yōu)化工藝參數(shù)。

該檢測儀更具有靈活性和實用性,不但可用于同質(zhì)材料鍵合片的質(zhì)量檢測,還可用于異質(zhì)材料鍵合片的檢測,用于篩選適合下一步工藝研究的合適鍵合片等。同時,該檢測儀結(jié)合到鍵合裝置中,可以實時觀測鍵合過程中鍵合的動態(tài)圖像,觀察鍵合波,實時指導(dǎo)鍵合工藝。但目前已實現(xiàn)的軟件功能還很簡單,只能進(jìn)行鍵合質(zhì)量的初步評估。要獲得鍵合片的更多信息,需要添加軟件功能,這是該系統(tǒng)的不足之處和值得改進(jìn)的地方。
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