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STD60N3LH5/STD85N3LH5：意法半導體新功率MOSFET系列
意法半導體推出兩款適用于直流—直流轉換器的全新功率MOSFET（金屬互補氧化物場效應晶體管）產品。新產品采用ST最新版STripFET制造技術，擁有極低的導通損耗和開關損耗，在一個典型的穩壓模塊內，兩種損耗的減少可達3瓦。
2008-02-20
MOSFET STD60N3LH5 STD85N3LH5 金屬互補氧化物場效應晶體管
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VEMI系列：Vishay 新型四通道、六通道及八通道EMI 濾波器
日前，Vishay宣布推出采用超緊湊型LLPXX13 無鉛封裝的六款新型四通道、六通道及八通道 EMI 濾波器。憑借 0.6 毫米的超薄厚度，新型 VEMI 濾波器系列可在面向移動計算、移動通信、消費類、工業及醫療應用的便攜式電子設備中節省板面空間，以及提供 ESD 保護。
2008-02-06
VEMI45AB-HNH VEMI45AC-HNH VEMI65AB-HCI VEMI85AB-HGK VEMI85AC-HGK VEMI65AC-HCI EMI 濾波器
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MotorCap P2系列：EPCOS塑料封裝緊湊設計馬達電容器
愛普科斯推出新系列節省空間的P2馬達電容器，該產品采用塑料封裝。對新型MotorCap P2緊湊系列來說，其電容器外殼無需再接地。借助干式技術，上述元件可根據需求安裝在任何位置。根據IEC 60252-1 2001標準，預計產品使用壽命可達30,000小時。
2008-02-01
MotorCap P2 馬達電容器
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Vishay推出高溫應用的第5 代高性能Schottky二極管系列
日前，Vishay宣布推出適用于高溫應用的新型高性能 Schottky 二極管第 5 代硅平臺，以及具有低正向壓降、低反向漏電流和較高的最大結溫的8款新型器件。
2008-01-30
Schottky 二極管
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DG469/DG470：Vishay 新型高壓單、雙電源SPDT模擬開關
日前，Vishay推出兩款新型高壓單、雙電源單刀雙擲 (SPDT) 模擬開關。該 DG469和DG470器件是相同的，不同之處是 DG470帶有啟動引腳，該引腳可將所有開關置于高阻抗狀態，從而在啟動時可保持“安全狀態”并可防止意外信號或電源短路。
2008-01-10
模擬開關
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ERU25系列：愛普科斯新型表面貼裝大功率電感器
愛普科斯（EPCOS）現可供應表面貼裝大功率電感器，該款電感器采用表面組裝工藝，電流能力高達71安。ERU25系列基于改進型鐵氧體磁芯與扁平矩形導線，非常適用于電信和工業電子應用中的四分之一英寸、二分之一英寸以及全橋版的低壓大電流DC/DC變換器、分布式電源系統以及中間總線變換器。
2008-01-07
ERU25 大功率電感器 DC/DC變換器 中間總線變換器
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NB3N3002/5573：安森美PureEdge高性能時鐘產生器
安森美半導體 (ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)擴展其PureEdge高性能時鐘產生產品系列，推出NB3N3002和NB3N5573這兩款新器件。
2007-12-13
NB3N3002 NB3N5573 時鐘產生器
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南方芯源成為Philips全球MOSFET供應商
2007年5月1日，經過5輪審核及多次產品可靠性認證，Samwin正式成為Philips(Lighting Electronics)的全球MOSFET供應商。首批通過認證的產品有：SW P 2N60，SW P 4N60及SW P 7N60產品，用于Philips 原廠生產的螢光燈Ballast。
2007-05-07
MOSFET供應商 SW P 2N60 SW P 4N60 SW P 7N60
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