【導(dǎo)讀】現(xiàn)在科技產(chǎn)品都需要擁有待機(jī)功能作為支持，但是即便是在待機(jī)模式之下，還依舊是消耗能源的，這就造成了一定程度上的能源浪費(fèi)。所以當(dāng)務(wù)之急，是尋找一種提高工作效率和輕載能效，但又降低功耗的方法。本篇文章將以反激式開(kāi)關(guān)電源為例，通過(guò)幾個(gè)方面來(lái)提升輕載效率和降低待機(jī)功耗。
在這個(gè)科技飛速發(fā)展的時(shí)代，人們對(duì)科技產(chǎn)品的自動(dòng)化和網(wǎng)絡(luò)化需求越來(lái)越強(qiáng)烈。因此就要求科技產(chǎn)品擁有待機(jī)功能作為支持，但是即便是在待機(jī)模式之下，還依舊是消耗能源的，這就造成了一定程度上的能源浪費(fèi)。所以當(dāng)務(wù)之急，是尋找一種提高工作效率和輕載能效，但又降低功耗的方法。
本篇文章將以反激式開(kāi)關(guān)電源為例，通過(guò)幾個(gè)方面來(lái)提升輕載效率和降低待機(jī)功耗。
表1 輕載能耗標(biāo)準(zhǔn)
1、開(kāi)關(guān)MOSFET的損耗通常可以分為導(dǎo)通損耗、開(kāi)關(guān)損耗、驅(qū)動(dòng)損耗等。前兩種是MOSFET的主要損耗。在輕載和空載情況下，原邊電流的峰值和有效值都會(huì)明顯降低，這時(shí)候的開(kāi)關(guān)損耗是主導(dǎo)因素。而開(kāi)關(guān)損耗與Vds電壓、開(kāi)關(guān)頻率有著直接的關(guān)系。因此，減少M(fèi)OSFET在輕載和空載時(shí)的損耗，可以通過(guò)使用QRC 模式的反激芯片和具有降頻、間歇工作方式的芯片來(lái)實(shí)現(xiàn)；
2、使用具有HV啟動(dòng)功能的芯片，這樣可以避免啟動(dòng)電阻產(chǎn)生的損耗。另外，要選擇合適的X電容泄放電阻；
3、對(duì)反饋線路的優(yōu)化。選擇CTR高的光耦、低工作電流的基準(zhǔn)431以及較大的輸出電壓取樣電阻都可以一定程度的降低待機(jī)功耗。當(dāng)然，同時(shí)也要考慮到對(duì)Dynamic的影響；
4、對(duì)吸收線路的優(yōu)化。傳統(tǒng)的RCD嵌位線路會(huì)造成比較大的損耗，相對(duì)而言，使用TVS嵌位也可以提升輕載能效和待機(jī)功耗；
此外，使用ZFB比較大的芯片，以及優(yōu)化變壓器的設(shè)計(jì)也會(huì)起到一定的積極作用。
相信有些技術(shù)基礎(chǔ)的朋友已經(jīng)看出來(lái)了，想要在反激式開(kāi)關(guān)電源當(dāng)中降低待機(jī)功耗并提高輕載能效，就需要對(duì)反激拓?fù)渚€路進(jìn)行細(xì)致的分析。揪出每一個(gè)產(chǎn)生損耗的源頭，逐一進(jìn)行分析。并從中總結(jié)出經(jīng)驗(yàn)和知識(shí)，不斷豐富自身的設(shè)計(jì)知識(shí)。
