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安森美光伏方案剖析:助力逆變器能效全面升級

發布時間:2025-09-08 責任編輯:lina

【導讀】隨著全球能源轉型加速,太陽能逆變器技術正經歷革命性變革。目前市場主流組串式逆變器憑借其卓越的靈活性和安裝便捷性,已成為光伏系統的核心選擇。安森美作為功率半導體領域的領導者,通過創新的器件設計和系統級優化,持續推動逆變器功率密度提升與成本下降。其解決方案不僅大幅提升了能量轉換效率,更為住宅、商業和公用事業等不同應用場景提供了量身定制的技術路徑,助力光伏產業實現更高水平的能源利用效率。


隨著全球能源轉型加速,太陽能逆變器技術正經歷革命性變革。目前市場主流組串式逆變器憑借其卓越的靈活性和安裝便捷性,已成為光伏系統的核心選擇。安森美作為功率半導體領域的領導者,通過創新的器件設計和系統級優化,持續推動逆變器功率密度提升與成本下降。其解決方案不僅大幅提升了能量轉換效率,更為住宅、商業和公用事業等不同應用場景提供了量身定制的技術路徑,助力光伏產業實現更高水平的能源利用效率。

 

集中式太陽能逆變器通常應用于公用事業電站,具有超大容量。但受安裝地點限制,近年來其新增裝機容量已被組串式太陽能逆變器超越。微型太陽能逆變器主要用于住宅發電,同時也廣泛服務于城市基礎設施供電,例如路燈、交通信號燈等場景。

 

太陽能逆變器的核心是功率轉換部分,具體包含 DC-DC 升壓轉換器與 DC-AC 逆變器。隨著功率器件的持續發展,以及終端產品催生出的新需求,諸多新型拓撲結構應運而生。深入了解這些拓撲結構及功率產品,有助于更透徹地理解整個系統并實現快速設計。

 

框圖 - 光伏逆變器

 

下面的框圖展示了由安森美 (onsemi)打造的光伏逆變器解決方案。 該框圖呈現了光伏逆變器所采用的電源管理和功率轉換技術。安森美提供品類齊全的產品, 涵蓋分立碳化硅 (SiC) 器件、 絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)、 功率模塊、隔離式柵極驅動器及電源管理控制器, 助力系統實現更高的功率密度和效率。


安森美光伏方案剖析:助力逆變器能效全面升級 

 

市場信息和趨勢

 

碳化硅替代品

 

碳化硅 (SiC) 有助于提供更高的效率以推進當前技術趨勢。 與傳統的硅基 MOSFET/IGBT 相比,SiC 器件在高電壓場景下的優勢尤為突出:高壓器件可簡化拓撲結構, 無需使用多電平轉換器; SiC 逆變器解決方案的損耗低于 IGBT 解決方案;同時, SiC MOSFET 的開關速度更快, 能夠縮小無源器件(尤其是電感) 的尺寸。 這兩方面因素共同提升了功率密度, 使相同尺寸和重量的器件可實現更高功率輸出。

 

不過, 實際應用中必須在成本與性能之間進行權衡, 并結合具體需求來選擇最合適的解決方案。

 

IGBT 和 SiC 二極管。


SiC 二極管替代方案的應用正愈發普遍, 尤其在 DC-DC 轉換環節, 原因有三:其一, 成本已降至合理水平;其二,無需對電路設計進行大幅改動;其三, 也是最重要的一點, 能顯著提升系統性能。 此外, 工作頻率的提高還可縮小無源器件的尺寸。

 

在大功率產品(約 200kW 以上) 中, IGBT 仍是首選。 一方面, IGBT 在大電流場景下表現優異, 且這類系統對工作開關頻率的要求不高, 因此 IGBT 關斷速度慢的問題不會造成太大影響。 另一方面, 全 SiC 系統需要全新設計, 且成本高昂。 例如, 基于 IGBT 的轉換器驅動電路與 SiC 系統不兼容;由于 SiC 元件的短路耐受時間 (SCWT) 短于 IGBT,還需重新設計保護方案。

 

更高的母線電壓

 

對大功率的需求持續增長, 在同等功率條件下, 采用 1500V 組串替代 1100V 組串時, 因電流更低而能夠降低互聯成本。 為順應此類趨勢, 更高電壓等級的開關器件應運而生。 無論是選用高壓開關器件, 還是采用多電平拓撲結構, 都能顯著提升光伏逆變器的工作功率。 關于 1500V 逆變器與 1100V 逆變器的對比, 詳見后文。

 

安森美光伏方案剖析:助力逆變器能效全面升級 

表 1: 1500V(型號-2)與 1100V 光伏逆變器的對比

 

公用事業級解決方案

 

300 kW+ 光伏組串式逆變器 - 公用事業級解決方案

 

安森美發布了采用 F5BP 封裝的新型 Si/SiC 混合功率集成模塊 (PIM), 可為公用事業級光伏組串式逆變器及儲能系統提升 15% 的功率輸出。這些模塊能夠提高功率密度與效率, 使光伏逆變器的功率從 300kW 提升至 350kW。 這意味著, 對于一座 1 吉瓦的光伏電站而言, 每小時可額外節省近 2 兆瓦的電力。 此外, 新型模塊憑借更高的功率密度與效率, 減少了所需模塊的數量, 將元件成本降低 25% 以上。

 

該系列模塊集成了先進元件, 包括 1050V FS7 型 IGBT 與 1200V D3 EliteSiC 二極管, 與前代產品相比, 功率損耗降低高達 8%, 開關損耗減少 15%。 這些 PIM 模塊在逆變器部分采用創新的 I-NPC 拓撲結構, 在升壓部分則采用飛跨電容拓撲。 此外, 它們采用先進的直接鍵合銅 (DBC) 基板, 可大幅減少雜散電感和熱阻。 這種設計將散熱器的熱阻降低了 9.3%, 有助于在高負載下維持較低的工作溫度, 進而提升整體可靠性。


安森美光伏方案剖析:助力逆變器能效全面升級 

圖 1: 300 kW+ 光伏組串式逆變器原理圖


安森美光伏方案剖析:助力逆變器能效全面升級 

圖 2: F5BP 與 F5 的熱性能

 

??Si/SiC 混合模塊, F5BP NXH600N105H7F5P2HG

特性


? I 型中性點鉗位三電平逆變器模塊
? 1050V 場截止 7 型 IGBT 和 1200V SiC 二極管
? 高效率、高功率密度及出色可靠性
? 低熱阻底板
? 低電感布局, 內置 NTC 熱敏電阻


優勢


? 系統效率高達 99%
? 減少模塊數量,簡化 PCB 設計并降低系統成本

 

應用


? 1500 V 組串式工商業用光伏逆變器


安森美光伏方案剖析:助力逆變器能效全面升級 

圖 3: F5BP 封裝PIM60 112x62(壓接式)

 


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