- 可以精確表達兩個晶體管之間的相互作用
- 使設計高精度電路成為可能
- 電路設計
廣島大學HiSIM研究中心的研究小組開發(fā)了IGBT（insulated gate bipolar transistor）電路設計和檢測用模型“HiSIM-IGBT”，并于近日在該大學向新聞媒體作了發(fā)布。并披露，已經面向車載集成電路設計人員等公開了該模型。
發(fā)布會現(xiàn)場 右邊是廣島大學的三浦道子（研究生院尖端物質科學研究科教授兼HiSIM研究中心中心負責人）
廣島大學從2005年開始就一直與豐田和豐田中央研究所共同研究普通車載用IGBT（insulated gate bipolar transistor）的模型。IGBT組合使用了雙極晶體管和MOSFET，而聯(lián)合研究小組則推導出可不分離這兩個晶體管,而整體模擬IGBT的模型公式，從而開發(fā)出了HiSIM-IGBT。制成一體化模型是為了精確表達兩個晶體管之間的相互作用。
IGBT和HiSIM-IGBT
HiSIM-IGBT以廣島大學和半導體理工學研究中心（STARC）聯(lián)合開發(fā)的MOSFET模型“HiSIM（Hiroshima-university STARC IGFET Model）”為骨架，并統(tǒng)合了雙極晶體管模型。據(jù)介紹，采用HiSIM-IGBT使設計高精度電路成為可能，有望大幅推進能源利用的高效率化。
HiSIM系列的標準化動向
模型的精度和穩(wěn)定性評測已完成，已達到可公開的程度。據(jù)稱，有為模型做嵌入式評測的EDA工具供應商已表示，即便是大電流電路和大電壓電路，也可以穩(wěn)定預測特性。廣島大學打算通過發(fā)布該模型，使更多的用戶利用，以便進一步改進。
