- 支持20V的輸入電壓
- 電力轉換效率高達91％
- 可降低約70％的封裝面積
- 筆記本電腦的MPU和內存等的電壓穩(wěn)壓器
瑞薩科技針對筆記本電腦的MPU和內存等的電壓穩(wěn)壓器，上市了符合“integrated Driver-MOSFET（DrMOS）”標準的功率MOS FET“R2J20653ANP”。新產(chǎn)品支持20V的輸入電壓，電力轉換效率高達91％（輸入電壓為20V、輸出電壓為1.1V時）。
DrMOS是美國英特爾提倡的封裝產(chǎn)品規(guī)格，將MPU等的電源所需的兩種功率MOSFET以及驅動這兩種功率MOSFET的驅動IC（1個）集成于一個封裝內。此次的產(chǎn)品符合該規(guī)格，可將20V的輸入電壓轉換為1.1V的MPU內核電源電壓。
瑞薩此前也一直在開發(fā)和提供符合DrMOS標準的產(chǎn)品。不過，原來是面向服務器和臺式電腦的、輸入電壓為12V的產(chǎn)品。此次是該公司首次上市可輸入AC適配器20V電壓的高耐壓產(chǎn)品。該產(chǎn)品的輸入電壓為4.5～27V。輸出電壓為0.6V～5.0V。最大額定電流為35A。
與獨立封裝相比，將降低70％的底板面積
R2J20653ANP將高端（High Side）MOSFET、低端（Low Side）MOSFET以及驅動這兩種MOSFET的驅動IC集成在了一個封裝內。均為瑞薩制造。低端MOSFET內置有肖特基勢壘二極管（Schottky Barrier Diode），降低了開關時的損耗。另外，將驅動IC面向兩個MOSFET的開關控制進行了優(yōu)化。由此，在輸入電壓為20V、輸出電壓為1.1V（頻率為300kHz）的條件下，實現(xiàn)了91％的電力轉換效率。
該產(chǎn)品采用了6mmx6mm的小型高散熱式40引腳QFN封裝。與由3個獨立封裝構成的情況相比，可降低約70％的封裝面積（與該公司原產(chǎn)品相比）。而且最大工作頻率高達2MHz，有助于外置部件的小型化。
另外，此次的封裝在內部連接中采用了無線結構的銅板，大幅降低了封裝內部的電阻。而且大電流路徑采用占據(jù)封裝背面大半部分的端子，因此便于處理電流與熱量的問題。
此外，該產(chǎn)品作為符合DrMOS標準的產(chǎn)品，“業(yè)界首次”（瑞薩）在驅動IC中內置了過熱警告功能（Thermal Warning）和過熱停止功能（Thermal Shutdown）兩個階段的過熱保護功能，提高了安全性和可靠性。樣品價格（含稅）為200日元。2009年12月7日開始量產(chǎn)。（記者：小島 郁太郎）
