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產(chǎn)品特性：

• 工作電壓可以覆蓋400V—900V區(qū)間
• 可兼容多晶穩(wěn)壓管結(jié)構(gòu)
• 高可靠性，高效率，高EAS能力
• 導(dǎo)通電阻低，動態(tài)參數(shù)優(yōu)
• 具有相對較小的芯片面積

應(yīng)用范圍：

• AC-DC功率電源，DC-DC轉(zhuǎn)換器
• PWM馬達驅(qū)動

杭州士蘭微電子近期推出了新一代高壓MOSFET產(chǎn)品——S-RinTM系列高壓VDMOS。這是士蘭微電子歷經(jīng)多年的自主研發(fā)所推出的第三代高壓MOSFET產(chǎn)品。相比較于前兩代的產(chǎn)品，S-RinTM系列高壓VDMOS產(chǎn)品性能更加優(yōu)越，工作電壓可以覆蓋400V—900V區(qū)間，可以兼容多晶穩(wěn)壓管結(jié)構(gòu)以提高ESD特性；具有高可靠性，高效率，高EAS能力，導(dǎo)通電阻低，動態(tài)參數(shù)優(yōu)等特點，已被廣泛應(yīng)用于AC-DC功率電源，DC-DC轉(zhuǎn)換器以及PWM馬達驅(qū)動等領(lǐng)域。

S-RinTM產(chǎn)品采用了條形元胞結(jié)構(gòu)，并優(yōu)化了元胞的工藝及設(shè)計尺寸。相對于采用其他結(jié)構(gòu)元胞的器件，在EAS能力方面具有較大的優(yōu)勢；此外，由于采用了尺寸較小的GR環(huán)作為其保護環(huán)，這樣在相同規(guī)格的條件下，S-RinTM產(chǎn)品就具有相對較小的芯片面積，這一優(yōu)勢能有效降低成本，增加芯片的利用效率。

該系列產(chǎn)品優(yōu)化了柵氧化層的厚度和工藝質(zhì)量，提高了柵源擊穿電壓，從而提高了可靠性指標(biāo)，并改善了器件的易損性；其突出表現(xiàn)在于對IDSS漏電的控制。與其他公司同類型的產(chǎn)品相比，S-RinTM產(chǎn)品在經(jīng)過HTRB可靠性試驗后，IDSS仍然可以維持在幾納安到十幾納安非常小的水平，且相對試驗前，基本不會增大，這就在很大程度上保證了器件在長時間工作之后，不會因為漏電增大失效而影響其正常使用。

此外，S-RinTM產(chǎn)品通過在工藝上對N-JFET的調(diào)整，減小JFET效應(yīng)，使得器件的導(dǎo)通電阻減小，從而降低了器件工作時的溫升，提高了AC-DC系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率。對多晶柵進行了重摻雜處理，以提高器件的響應(yīng)速度，從而使該系列產(chǎn)品在動態(tài)參數(shù)方面表現(xiàn)出了一定的優(yōu)勢。