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低邊開關關斷時的柵極 – 源極間電壓的動作
下面是表示LS MOSFET關斷時的電流動作的等效電路和波形示意圖。與導通時的做法一樣，為各事件進行了(IV)、(V)、(VI)編號。與導通時相比，只是VDS和ID變化的順序發生了改變，其他基本動作是一樣的。
2022-02-14
低邊開關 源極間電壓
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一文弄懂IGBT驅動
要了解什么是IGBT驅動，首先你需要了解什么是IGBT。我們都知道，電機驅動是IGBT的主要應用領域之一。
2022-02-11
IGBT驅動
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【收藏】運算放大器的低功耗設計攻略
首先，我們會討論具有低靜態電流 (IQ) 的放大器以及增加反饋網絡電阻值與功耗的關系。
2022-02-10
運算放大器 低靜態電流
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LLC轉換器設計穩健型同步整流解決方案
為了理解這種技術，讓我們回顧一些為LLC轉換器設計穩健型同步整流解決方案時遇到的挑戰。在其最簡單的層面上，同步整流需要金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）仿真二極管的行為。簡言之，當電流擬從正極流向負極時，MOSFET導通。一旦電流開始從負極流向正極，則MOSFET關斷。
2022-02-09
LLC轉換器 穩健型同步整流
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LDO如何更加功效
隨著物聯網 （IoT） 不斷占領于我們的住宅和辦公場所，我們會發現越來越多的電器和系統集成了電子元器件，而且我們能夠在世界上的任何一個角落訪問這些電器和系統。不過，由于有如此之多的設備被連接到我們的住宅和辦公室，我們消耗了難以計數的待機電能。
2022-02-08
LDO 物聯網
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可編程輸入倍頻法如何減少整數邊界雜散
您曾設計過具有分數頻率合成器的鎖相環（PLL）嗎？這種合成器在整數通道上看起來很棒，但在只稍微偏離這些整數通道的頻率點上雜散就會變得高很多，是吧？如果是這樣的話，您就已經遇到過整數邊界雜散現象了 —— 該現象發生在載波的偏移距離等于到最近整數通道的距離時。
2022-02-08
可編程輸入倍頻法 整數邊界雜散
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如何仿真轉換器的數字輸入／輸出
對于SAR-ADC的仿真比較復雜。目前來看，還沒有準確模擬整個器件的完整轉換器模型。現有資源是一個仿真模擬輸入引腳穩定性的模擬SPICE文件。有了它，用戶就有了一款強大工具，使用戶能夠解決其中一個最關鍵、最棘手的轉換器問題。
2022-02-08
仿真轉換器 數字輸入／輸出
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針對SiC串擾抑制方法的測試報告
近年來，以SiCMOSFET 為代表的寬禁帶半導體器件因其具有高開關頻率、高開關速度、高熱導率等優點，已成為高頻、高溫、高功率密度電力電子變換器的理想選擇。然而隨著SiC MOSFET開關速度加快，橋式電路受寄生參數影響加劇，串擾現象更加嚴重。由于SiC MOSFET 正向閾值電壓與負向安全電壓較小，串擾問...
2022-02-08
SiCMOSFET 串擾抑制
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Bourns宣布IsoMOV? 保護器榮獲 2021 年度電子產品無源產品獎
Bourns宣布，其 IsoMOV? 保護器贏得了2021 年度電子產品無源產品獎。Bourns? IsoMOV ? 混合保護組件被選為 MOV 設備設計的重大突破。完全集成的 GDT 和 MOV 混合設計提供了一種創新的保護解決方案，可解決 MOV 退化問題，同時顯著提高浪涌性能、使用壽命和設備可靠性。
2022-02-07
Bourns IsoMOV? 保護器 無源產品獎
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