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針對SiC串擾抑制方法的測試報告
近年來，以SiCMOSFET 為代表的寬禁帶半導體器件因其具有高開關頻率、高開關速度、高熱導率等優點，已成為高頻、高溫、高功率密度電力電子變換器的理想選擇。然而隨著SiC MOSFET開關速度加快，橋式電路受寄生參數影響加劇，串擾現象更加嚴重。由于SiC MOSFET 正向閾值電壓與負向安全電壓較小，串擾問...
2022-02-08
SiCMOSFET 串擾抑制
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Bourns宣布IsoMOV? 保護器榮獲 2021 年度電子產品無源產品獎
Bourns宣布，其 IsoMOV? 保護器贏得了2021 年度電子產品無源產品獎。Bourns? IsoMOV ? 混合保護組件被選為 MOV 設備設計的重大突破。完全集成的 GDT 和 MOV 混合設計提供了一種創新的保護解決方案，可解決 MOV 退化問題，同時顯著提高浪涌性能、使用壽命和設備可靠性。
2022-02-07
Bourns IsoMOV? 保護器 無源產品獎
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貿澤電子新品推薦：2021全年推出近70000個新物料
致力于快速引入新產品與新技術的業界知名分銷商貿澤電子， 首要任務是提供來自1200多家知名廠商的新產品與技術，幫助客戶設計出先進產品，并加快產品上市速度。貿澤旨在為客戶提供全面認證的原廠產品，并提供全方位的制造商可追溯性。
2022-01-27
貿澤電子 新物料
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在當今高壓半導體器件上執行擊穿電壓和漏流測量
在經過多年研究和設計之后，碳化硅(SiC)和氮化鎵 (GaN)功率器件正變得越來越實用。這些器件盡管性能很高，但它們也帶來了許多挑戰，包括柵極驅動要求。SiC要求的柵極電壓(Vgs)要高得多，在負偏置電壓時會關閉。GaN的閾值電壓(Vth)則低得多，要求嚴格的柵極驅動設計。寬帶隙(WBG)器件由于物理特點，...
2022-01-27
高壓半導體器件 擊穿電壓 漏流測量
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擔心柵極驅動器的絕緣能力？采用'BIER'測試吧
最新的寬帶間隙（WBG）半導體正走向最理想的狀態，也就是具有高電壓和低損耗的超快速切換，而現代的MOSFET和溝槽IGBT也可以有高dV/dt和di/dt。然而，下橋臂電路中的快速切換會將瞬態電壓耦合到柵極驅動電路，從而造成混亂或損壞，同時上橋臂柵極驅動器的信號和電源隔離還會受到應力影響。本文將探討...
2022-01-27
柵極驅動器 絕緣能力 BIER測試
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工業和汽車行業如何從 5G 中受益
5G 不僅僅是局限于對移動通訊技術的改進，更高的下載速度可能會增強智能手機的瀏覽體驗，但 5G 的真正影響巨大的應用更有可能尚未出現。本文中我們討論5G如何會影響工業和汽車行業，以及您如何把 5G 構建到您的下一個設計項目。
2022-01-26
工業行業 汽車行業 5G
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主控芯片CPU/FPGA存儲及單粒子翻轉科普
每一次神舟載人飛船和SpaceX衛星的發射升空，都能吸引眾多人關注。對于這些神秘的航天飛信器，你知道它們的信息都是怎么處理的嗎？航天飛行器信息的處理依靠CPU/FPGA，而指令的執行則憑借存儲器。目前市場上大多數售賣主芯片的廠商都是靠存儲器起家的。
2022-01-25
主控芯片 CPU/FPGA存儲 單粒子
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談峰值電流控制模式下的次諧波振蕩
相信各位工程師朋友們都遇到過電源不穩定的現象，這種現象有可能是原理圖或者PCB設計不當導致的，也有可能是環路補償不夠的因素；而由于次諧波振蕩導致的電源不穩定現象，大家了解多少？
2022-01-25
峰值電流 次諧波振蕩
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DC/DC轉換器的隔離
除了防止電擊之外，DC/DC轉換器的隔離具有許多不同的用途。本文介紹了各種等級的隔離以及在常見的低功耗DC/DC轉換器中的應用。
2022-01-21
DC/DC 轉換器 隔離
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