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安森美SiC Cascode技術(shù)：共源共柵結(jié)構(gòu)深度解析
碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC JFET）相比其他競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢(shì)，特別是在給定芯片面積下的低導(dǎo)通電阻（稱(chēng)為RDS.A）。為了實(shí)現(xiàn)最低的RDS.A，需要權(quán)衡的一點(diǎn)是其常開(kāi)特性，這意味著如果沒(méi)有柵源電壓，或者JFET的柵極處于懸空狀態(tài)，那么JFET將完全導(dǎo)通。
2025-06-12
安森美SiC Cascode FET 共源共柵結(jié)構(gòu) 碳化硅功率器件
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精度?帶寬?抗噪！三大維度解鎖電壓放大器場(chǎng)景適配密碼
電壓放大器是連接物理世界與數(shù)字系統(tǒng)的關(guān)鍵橋梁，其核心功能是將微弱電信號(hào)（如μV級(jí)傳感器輸出）放大至可驅(qū)動(dòng)后續(xù)電路的伏特級(jí)水平。根據(jù)市場(chǎng)研究，2025年全球電壓放大器市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)突破180億美元，其在醫(yī)療、通信、工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域的應(yīng)用需求持續(xù)增長(zhǎng)。然而，信號(hào)源特性、環(huán)境噪聲與性能要求的多...
2025-06-11
電壓放大器 場(chǎng)景適配
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電壓放大器：定義、原理與技術(shù)應(yīng)用全景解析
電壓放大器是電子工程領(lǐng)域的核心器件，被形象稱(chēng)為“信號(hào)強(qiáng)化心臟”，其核心功能是將輸入的微伏級(jí)微弱信號(hào)精確放大至可驅(qū)動(dòng)后續(xù)電路或設(shè)備的伏特級(jí)電壓水平。作為模擬信號(hào)處理的基石，它不僅解決了傳感器、通信設(shè)備中的信號(hào)衰減問(wèn)題，還在音頻系統(tǒng)、醫(yī)療儀器等領(lǐng)域中扮演關(guān)鍵角色。據(jù)產(chǎn)業(yè)研究顯示，202...
2025-06-11
電壓放大器
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集成化柵極驅(qū)動(dòng)IC對(duì)多電平拓?fù)潆妷壕獾钠平饴窂?/span>
在新能源汽車(chē)主驅(qū)模塊（如800V平臺(tái)）中，多電平拓?fù)渫ㄟ^(guò)串聯(lián)開(kāi)關(guān)器件實(shí)現(xiàn)高壓階梯化處理，但分立式驅(qū)動(dòng)方案面臨兩大核心挑戰(zhàn)。
2025-06-10
柵極驅(qū)動(dòng)IC 多電平拓?fù)?nbsp; 電壓均衡
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不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
氮化鎵（GaN）器件因其高開(kāi)關(guān)頻率、低導(dǎo)通損耗的特性，正在快速滲透消費(fèi)電子、汽車(chē)電驅(qū)和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。然而，不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)對(duì)GaN器件的需求呈現(xiàn)顯著差異：例如快充領(lǐng)域的LLC諧振拓?fù)湫枰哳l率下的電磁干擾控制，而車(chē)載雙向逆變器更關(guān)注動(dòng)態(tài)電阻與耐壓性能。本文將深入分析半橋拓?fù)洹㈦p向逆變拓?fù)?..
2025-06-10
氮化鎵 GaN器件 消費(fèi)電子 汽車(chē)電驅(qū) 數(shù)據(jù)中心 撲結(jié)構(gòu)
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模擬芯片原理、應(yīng)用場(chǎng)景及行業(yè)現(xiàn)狀全面解析
模擬芯片作為電子系統(tǒng)中處理連續(xù)信號(hào)的核心組件，承擔(dān)著現(xiàn)實(shí)世界與數(shù)字世界“橋梁”的角色。從智能手機(jī)的音頻放大到工業(yè)傳感器的信號(hào)調(diào)理，其應(yīng)用無(wú)處不在。然而，模擬芯片的設(shè)計(jì)與制造卻面臨高精度、低噪聲、長(zhǎng)生命周期等獨(dú)特挑戰(zhàn)。本文將系統(tǒng)解析模擬芯片的定義、功能模塊、與數(shù)字芯片的本質(zhì)差異，...
2025-06-06
模擬芯片 集成電路
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從噪聲抑制到安全隔離，隔離式精密信號(hào)鏈如何保障數(shù)據(jù)采集可靠性？
在邊緣智能快速發(fā)展的今天，數(shù)據(jù)采集（DAQ）系統(tǒng)作為連接物理世界與數(shù)字世界的橋梁，其準(zhǔn)確度和可靠性直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的性能表現(xiàn)。傳統(tǒng)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)常常面臨來(lái)自接地環(huán)路、電磁干擾（EMI）和共模電壓變化的挑戰(zhàn)，這些因素會(huì)顯著降低信號(hào)質(zhì)量，導(dǎo)致測(cè)量結(jié)果失真。隔離式精密信號(hào)鏈通過(guò)電氣隔離技...
2025-06-06
精密信號(hào)鏈 數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)
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薄膜電容使用指南：從安裝到維護(hù)的七大關(guān)鍵注意事項(xiàng)
薄膜電容因其高可靠性、低損耗和長(zhǎng)壽命等優(yōu)勢(shì)，被廣泛應(yīng)用于各類(lèi)電子設(shè)備中。然而，其性能的充分發(fā)揮依賴(lài)于正確的使用和維護(hù)方法。以下從電氣參數(shù)匹配、環(huán)境適應(yīng)性、機(jī)械安裝、失效預(yù)防等角度，總結(jié)薄膜電容在實(shí)際應(yīng)用中的關(guān)鍵注意事項(xiàng)。
2025-06-05
薄膜電容
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如何判斷薄膜電容的質(zhì)量好壞？從參數(shù)到實(shí)測(cè)的全面指南
薄膜電容的質(zhì)量直接影響電子設(shè)備的可靠性和性能。然而，由于其技術(shù)復(fù)雜性和應(yīng)用場(chǎng)景的多樣性，判斷其質(zhì)量需要結(jié)合多維度分析。本文將從性能參數(shù)測(cè)試、外觀檢查、可靠性驗(yàn)證、廠商資質(zhì)評(píng)估四個(gè)層面，提供一套系統(tǒng)化的質(zhì)量評(píng)估方法。
2025-06-05
薄膜電容
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
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