【導讀】本文將介紹在SiC MOSFET這一系列開關(guān)動作中，SiC MOSFET的VDS和ID的變化會產(chǎn)生什么樣的電流和電壓。
在上一篇文章中，對SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動電路的導通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動作進行了解說。本文將介紹在SiC MOSFET這一系列開關(guān)動作中，SiC MOSFET的VDS和ID的變化會產(chǎn)生什么樣的電流和電壓。
下面的電路圖是SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的同步式boost電路，LS開關(guān)導通時的示例。電路圖中包括SiC MOSFET的寄生電容、電感、電阻，HS和LS的SiC MOSFET的VDS和ID的變化帶來的各處的柵極電流（綠色線）。
ID的變化dID/dt所產(chǎn)生的電壓
ID的變化將會產(chǎn)生下述公式（1）所示的電壓。
ID的變化dID/dt所產(chǎn)生的電壓
這是由于存在于SiC MOSFET源極的寄生電感中流過ID而產(chǎn)生的電壓，是由電路圖中的(I)引起的。該電壓會使電流(I’)流過。
VDS的變化dVDS/dt所產(chǎn)生的電流
以HS為例，當SiC MOSFET關(guān)斷、VDS變化時，Gate-Drain寄生電容CGD中會流過電流ICGD。如電路圖所示，該電流分為Gate-Source寄生電容CGS側(cè)流過的電流ICGD1：(II)-1和柵極電路側(cè)流過的電流ICGD2：(II)-2。當VDS開始變化時，柵極電路側(cè)的阻抗較大，因此大部分ICGD都在CGS側(cè)，此時的ICGD1如公式（2）所示。
VDS的變化dVDS/dt所產(chǎn)生的電流
從公式可以看出，當CGD較大時或CGD/CGS的比值變小時，ICGD1會增加。
dVDS/dt和dID/dt既可以為正也可以為負，所以因它們而產(chǎn)生的電流和電壓的極性在導通（Turn-on）和關(guān)斷（Turn-off）時是不同的。在下一篇文章中將會進一步詳細解說。
（來源：Rohm）
免責聲明：本文為轉(zhuǎn)載文章，轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息，版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題，請電話或者郵箱editor@52solution.com聯(lián)系小編進行侵刪。
推薦閱讀：
安森美智能感知技術(shù)和方案助力工業(yè)自動化創(chuàng)新
SiC MOSFET的柵極驅(qū)動電路和Turn-on/Turn-off動作
如何才能更易于實施安全性？擴展工業(yè)控制系統(tǒng)中的安全終端！
