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提高下一代DRAM器件的寄生電容性能
隨著傳統DRAM器件的持續縮小，較小尺寸下寄生電容的增加可能會對器件性能產生負面影響，未來可能需要新的DRAM結構來降低總電容，并使器件發揮出合格的性能。本研究比較了6F2蜂窩動態隨機存取存儲器 (DRAM) 器件與4F2垂直通道訪問晶體管 (VCAT) DRAM結構的寄生電容。結果表明，與6F2結構相比，4F2結...
2024-11-20
DRAM器件 寄生電容
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意法半導體Web工具配合智能傳感器加快AIoT項目落地
意法半導體新推出了一款基于網絡的工具 ST AIoT Craft，該工具可以簡化在意法半導體智能 MEMS 傳感器的機器學習內核 (MLC)上開發節點到云端的 AIoT（物聯網人工智能）項目以及相關網絡配置。
2024-11-19
意法半導體 Web工具 智能傳感器 AIoT
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韌性與創新并存，2024 IIC創實技術再獲獎分享供應鏈挑戰下的自我成長
11月5日-6日，由全球電子行業知名媒體AspenCore主辦的國際集成電路展覽會暨研討會（IIC Shenzhen 2024）在深圳福田會展中心7號館圓滿落幕。作為業界頗具影響力的系統設計峰會，IIC Shenzhen 2024再次為半導體產業搭建了一個專業的交流平臺，聚集國內外電子產業領袖、管理人員、設計精英及決策者，聚...
2024-11-19
IIC 創實技術 供應鏈
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上海國際嵌入式展暨大會（embedded world China ）與多家國際知名項目達成合作
embedded world China 同期嵌入式大會，延續德國母展優良傳統，攜手WEKA Fachmedien GmbH共同舉辦——匯集嵌入式系統生態系統所有學科的研究人員和開發人員、行業和學術界，共同推動復雜系統體系的演變及其多方面的創新。
2024-11-19
上海國際嵌入式展 嵌入式
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第104屆中國電子展震撼開幕，助推產業深度融合發展
近期，隨著特朗普當選美國總統，整個電子信息產業一致認為全球產業格局將迎來特朗普2.0時代，各種預測分析撲朔迷離，產業的區域化重塑，逐步建立新的格局。同時，電子信息行業高速發展的底層邏輯不變，從底層市場來看，國際知名產業機構都預測今年半導體市場規模呈現兩位數的增長態勢。企業側，國內...
2024-11-19
第104屆中國電子展 智能制造
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在更寬帶寬應用中使用零漂移放大器的注意事項
零漂移運算放大器使用斬波、自穩零或這兩種技術的結合來消除不需要的低頻誤差源，例如失調和1/f噪聲。傳統上，此類放大器僅用于低帶寬應用中，因為這些技術在較高頻率時會產生偽像。只要系統設計時考慮了高頻誤差，例如紋波、毛刺和交調失真(IMD)等，較寬帶寬的解決方案也可以受益于零漂移運算放大...
2024-11-19
零漂移放大器 寬帶寬應用
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第9講：SiC的加工工藝（1）離子注入
離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入，可以實現對n型區域和p型區域導電性控制。本文簡要介紹離子注入工藝及其注意事項。
2024-11-19
SiC 加工工藝 離子
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