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LM358的工作電壓范圍
手邊有一堆之前購買到的 LM358 低功耗雙運(yùn)放 IC 芯片。下面計(jì)劃對其基本功能進(jìn)行測試。這是在面包板上搭建的一個(gè)振蕩電路。電路輸出方波和三角波。應(yīng)用 LM358 其中的一個(gè)運(yùn)放，R1，R2 正反饋網(wǎng)絡(luò)使得LM358形成斯密特特性的比較器。R3, C1 構(gòu)成負(fù)反饋，形成多諧振蕩器。這是測量電路工作波形。藍(lán)色信號是 LM358的輸出，青色波形是 C1 電容上的充放電波形。振蕩頻率為 1.826kHz。下面應(yīng)用這個(gè)電路來測量兩個(gè)特性。一個(gè)是振蕩電路隨著工作電壓變化，對應(yīng)的頻率變化。另外一個(gè)是該電路的最大工作電壓是多少。下面讓我們看一下測量的結(jié)果。
2023-07-20
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安森美與博格華納擴(kuò)大碳化硅戰(zhàn)略合作， 協(xié)議總價(jià)值超10億美元
智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代碼：ON)與提供創(chuàng)新可持續(xù)的車行方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商博格華納(BorgWarner，紐約證交所股票代碼：BWA)，擴(kuò)大碳化硅（SiC）方面的戰(zhàn)略合作，協(xié)議總價(jià)值超10億美元。博格華納計(jì)劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長期以來，雙方已在廣泛的產(chǎn)品領(lǐng)域開展戰(zhàn)略合作，其中即包括EliteSiC器件。
2023-07-19
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安森美引領(lǐng)行業(yè)的Elite Power仿真工具和PLECS模型自助生成工具的技術(shù)優(yōu)勢
本文旨在介紹 安森美 (onsemi) 的在線 Elite Power 仿真工具和 PLECS 模型自助生成工具 (SSPMG) 所具有的技術(shù)優(yōu)勢，提供有關(guān)如何使用在線工具和可用功能的更多詳細(xì)信息。我們首先介紹一些與 SPICE 和 PLECS 模型有關(guān)的基礎(chǔ)知識(shí)，接下來介紹開關(guān)損耗提取技術(shù)和寄生效應(yīng)影響的詳細(xì)信息，并介紹虛擬開關(guān)損耗環(huán)境的概念和優(yōu)勢。該虛擬環(huán)境還可用來研究系統(tǒng)性能對半導(dǎo)體工藝變化的依賴性。最后，本文詳細(xì)介紹對軟硬開關(guān)皆適用的 PLECS 模型以及相關(guān)的影響。總結(jié)部分闡明了安森美工具比業(yè)內(nèi)其他用于電力電子系統(tǒng)級仿真的工具更精確的原因。
2023-07-19
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具有更高效率與優(yōu)勢的碳化硅技術(shù)
碳化硅（SiC）技術(shù)具有比傳統(tǒng)的硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等技術(shù)具有更多優(yōu)勢，包括更高的開關(guān)頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低的損耗，進(jìn)而可以實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、可靠性和效率。本文將為您介紹SiC的發(fā)展趨勢與在儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）上的應(yīng)用，以及由Wolfspeed推出的SiC電源解決方案。
2023-07-19
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貿(mào)澤電子第六次斬獲Molex年度全球優(yōu)質(zhì)服務(wù)代理商獎(jiǎng)
2023年7月19日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) ，宣布榮獲全球電子產(chǎn)品知名企業(yè)和連接創(chuàng)新者M(jìn)olex頒發(fā)的2022年度全球優(yōu)質(zhì)服務(wù)（目錄）代理商獎(jiǎng)。這也是貿(mào)澤第六次斬獲這一全球知名獎(jiǎng)項(xiàng)，貿(mào)澤憑借2022年度全球客戶數(shù)大幅增長，以及增速迅猛的銷售業(yè)績而獲此殊榮。
2023-07-19
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貿(mào)澤電子為設(shè)計(jì)工程師提供豐富多樣的技術(shù)電子書
專注于推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 代理商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 發(fā)布了三本與設(shè)計(jì)相關(guān)的新電子書，深入開展一系列技術(shù)探討，包括城市空中運(yùn)輸電動(dòng)交通工具的未來、車隊(duì)遠(yuǎn)程信息處理設(shè)計(jì)，以及下一代系統(tǒng)架構(gòu)的進(jìn)展。
2023-07-18
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PFC電路：死區(qū)時(shí)間理想值的考量
由于該電路是進(jìn)行同步整流工作的電路，所以我們通過仿真來探討高邊（HS）和低邊（LS）SiC MOSFET SCT2450KE的死區(qū)時(shí)間理想值，即不直通的最短時(shí)間。死區(qū)時(shí)間可以通過仿真工具的PWM控制器參數(shù)TD1（HS）和TD2（LS）來分別設(shè)置。
2023-07-18
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計(jì)算DC-DC補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的分步過程
本文旨在幫助設(shè)計(jì)人員了解DC-DC補(bǔ)償?shù)墓ぷ髟怼⒀a(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)的必要性以及如何使用正確的工具輕松獲得有效的結(jié)果。該方法使用LTspice?中的一個(gè)簡單電路，此電路基于電流模式降壓轉(zhuǎn)換器的一階（線性）模型1。使用此電路，無需執(zhí)行復(fù)雜的數(shù)學(xué)計(jì)算即可驗(yàn)證補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)值。
2023-07-17
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絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)簡史
盡管人們對寬帶隙(WBG)功率半導(dǎo)體器件感到興奮，但硅基絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)在今天比以往任何時(shí)候都更加重要。在我們10月份發(fā)布的電動(dòng)汽車電力電子報(bào)告[2]中，TechInsights預(yù)測，xEV輕型汽車動(dòng)力總成的產(chǎn)量將從2020年的910萬增長到2026年的4310萬，這使得其復(fù)合年增長率(CAGR)達(dá)到25%。SiC MOSFET目前預(yù)計(jì)占市場的約26%，到2029年預(yù)計(jì)將占市場份額的50%。
2023-07-16
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安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 靜態(tài)特性分析
SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場中正迅速普及，因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥栴}已得到解決，并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章將概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件對它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器）的使用指南。本文為第一部分，將重點(diǎn)介紹安森美M 1 1200 V SiC MOSFET的靜態(tài)特性。
2023-07-13
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Amphenol安費(fèi)諾煥新發(fā)布ExaMAX2? Gen2，解放AI硬件算力效能！
中國上海，2023年7月11日——全球連接器領(lǐng)先企業(yè)Amphenol安費(fèi)諾在2023 electronica China慕尼黑上海電子展宣布重磅推出煥新產(chǎn)品ExaMAX2? Gen2。作為ExaMAX2? 系列的增強(qiáng)版，ExaMAX2? Gen2較上一代在性能方面有了顯著改進(jìn)。此次升級將使ExaMAX2? 連接器在信號完整性（包括反射和隔離）方面成為性能最佳的112G連接器之一。
2023-07-13
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SiC功率模塊中的NTC溫度傳感器解析
大多數(shù)功率模塊包含一個(gè)NTC溫度傳感器，通常它是一個(gè)負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻，隨著溫度的增加其電阻會(huì)降低。因?yàn)槠涑杀据^低，NTC熱敏電阻可以作為功率模塊溫度測量和過溫保護(hù)的器件，但是其它器件如PTC正溫度系數(shù)電阻是更適合用來做具體的溫度控制應(yīng)用。使用溫度傳感器的信息相對比較容易，但是需要注意系統(tǒng)內(nèi)涉及到安全的考慮。
2023-07-12
- 5mW待機(jī)功耗突圍戰(zhàn)！AC-DC電源待機(jī)功耗逼近物理極限
- 華為、地平線、大眾等企業(yè)引領(lǐng)汽車技術(shù)變革，來AMTS 2025了解更多汽車行業(yè)發(fā)展前景
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