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IGBT驅(qū)動(dòng)電路M57962L的剖析
IGBT是一種新型功率器件,即絕緣柵極雙極集體管(Isolated GateBipolar Transistor),是上世紀(jì)末出現(xiàn)的一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件。它將GTR和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)集于一身:輸入阻抗高,開關(guān)頻率高,工作電流大等,在變頻器、開關(guān)電源,弧焊電源等領(lǐng)域得到廣泛地應(yīng)用。M57962L采用+15V、- 10V雙電源供電,由于采用- 10V關(guān)斷電壓,能更可靠關(guān)斷,同時(shí)具有封閉性軟關(guān)斷功能,從而使IGBT更加安全的工作。
2008-10-11
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SPWM全橋逆變器輸出變壓器直流偏磁的抑制
分析了SPWM開關(guān)型變換器中輸出變壓器產(chǎn)生直流偏磁的機(jī)理。提出了一種基于電壓電流反饋控制技術(shù)抑制正弦波逆變器偏磁的方法,并提供了較為實(shí)用的拓?fù)潆娐?,同時(shí)分析了它的工作機(jī)理。該電路的有效性在介質(zhì)阻擋強(qiáng)電離放電用IGBT全橋逆變電源中得到了驗(yàn)證。
2008-10-07
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用于有源電力濾波器的IGBT驅(qū)動(dòng)及保護(hù)研究
絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(IGBT)作為一種復(fù)合型器件,集成了MOSFET的電壓驅(qū)動(dòng)和高開關(guān)頻率及功率管低損耗、大功率的特點(diǎn),在電機(jī)控制、開關(guān)電源、變流裝置及許多要求快速、低損耗的領(lǐng)域中有著廣泛的應(yīng)用。本文對(duì)應(yīng)用于有源電力濾波器的IGBT的特性及其專有EXB84l型驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)進(jìn)行討論,并提出一種具有完善保護(hù)功能的驅(qū)動(dòng)電路。
2008-10-02
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用于功率變換器的IGBT驅(qū)動(dòng)核心電路
用于IGBT功率模塊上的驅(qū)動(dòng)電路必須能夠完成門極驅(qū)動(dòng)和模塊保護(hù)功能。它們還必須能為控制部分和功率半導(dǎo)體之間提供電氣隔離,并滿足多種不同型號(hào)IGBT的驅(qū)動(dòng)要求。為了滿足上述要求,必須對(duì)現(xiàn)有的門極驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行優(yōu)化。具體地說(shuō),就是必須在諸多因素如功能,靈活性以及性價(jià)比之間尋求最優(yōu)平衡,所幸的是,在新的門極驅(qū)動(dòng)電路SKYPER中我們做到了這一點(diǎn)。
2008-10-01
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等離子體荷電噴霧逆變電源的研究
本文依據(jù)等離子體荷電噴霧的特點(diǎn),以IGBT為核心器件,設(shè)計(jì)了脈寬調(diào)制型(PWM)15kHz高壓逆變電源,介紹了逆變電源主回路、PWM控制電路及過(guò)流保護(hù)回路。試驗(yàn)結(jié)果表明:在噴霧中使用等離子體技術(shù),不僅噴霧的特性達(dá)到了改善,而且還增加了霧滴的荷電數(shù)量。
2008-09-30
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中國(guó)功率器件市場(chǎng)增速放緩MOSFET是亮點(diǎn)
在中國(guó)中,電源|穩(wěn)壓器管理IC仍舊占據(jù)市場(chǎng)首要位置,MOSFET位于第二位,大功率晶體管位于第三位,此三大產(chǎn)品銷售額占整體市場(chǎng)的80%以上。IGBT銷售額雖然不大,但隨著其在工業(yè)控制、消費(fèi)電子領(lǐng)域中應(yīng)用的不斷增多,其市場(chǎng)銷售額保持著較快的增長(zhǎng),是中國(guó)功率器件市場(chǎng)中的新興產(chǎn)品。
2008-09-24
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ACPL-33xJ系列:安華高智能型門極驅(qū)動(dòng)光電耦合器產(chǎn)品
Avago推出最新的智能型門極驅(qū)動(dòng)光電耦合器產(chǎn)品,ACPL-333J和ACPL-330J系列高速IGBT光電耦合器。它們非常容易集成到工業(yè)變頻器和電源管理等應(yīng)用,例如隔離式IGBT/MOSFET門極驅(qū)動(dòng)、交流和無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)變頻器以及不間斷電源等。
2008-08-26
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STGxL6NC60D:意法半導(dǎo)體新款IGBT系列
意法半導(dǎo)體推出一系列新的IGBT,新系列產(chǎn)品采用高效的壽命控制工藝,有效降低了關(guān)斷期間的能耗。如果設(shè)計(jì)工程師采用ST的全新IGBT,用于工作頻率超過(guò)20kHz的照明鎮(zhèn)流器等節(jié)能型電路內(nèi),應(yīng)用的整體功率可望提高到一個(gè)新的水平,遠(yuǎn)勝標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)的MOSFET。
2008-05-13
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ACPL-K312:安華高低功耗小型2.5A門極驅(qū)動(dòng)光電耦合器
Avago宣布推出一款具備2.5A最高尖峰輸出電流的新門極驅(qū)動(dòng)光電耦合器產(chǎn)品ACPL-K312。 Avago的新ACPL-K312成功地滿足了低功耗需求,并可以改善效率,非常適合IGBT/MOSFET門極驅(qū)動(dòng)、交流和無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)變頻器以及開關(guān)式電源等應(yīng)用。
2008-03-18
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GA..系列:Vishay高額定電流的半橋600V 及1200V IGBT模塊
日前,Vishay宣布推出采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn) Int-A-Pak 封裝的新系列半橋絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)。該系列由八個(gè) 600V 及 1200V 器件組成,這些器件采用多種技術(shù),可在標(biāo)準(zhǔn)及超快速度下實(shí)現(xiàn)高開關(guān)工作頻率。
2008-03-14
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IRGB40XXDPbF:IR UPS和太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換器應(yīng)用低功耗600V溝道IGBT
國(guó)際整流器公司推出600V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列,能夠在最高3kW的不斷電系統(tǒng) (UPS) 及太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換器中,減少高達(dá)30%的功率損耗。
2008-03-11
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IRG系列IGBT管主要參數(shù)
1970-01-01
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