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Si8422DB ：Vishay采用MICRO FOOT封裝的MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH） 宣布推出業界首款采用 MICRO FOOT芯片級封裝的 TrenchFET功率 MOSFET --- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點。
2009-01-21
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TSOP5038：Vishay傳感器和光障系統應用紅外接收器
日前，Vishay推出為傳感器和光障系統應用優化的小型 SMD 接收器 --- TSOP5038，拓寬了其光電產品系列。
2009-01-19
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VSLB3940：Vishay新型高性能3mm紅外發射器
日前，Vishay宣布推出 3mm (T1) 紅外發射器 --- VSLB3940，拓展了其光電產品系列，且這些新器件的性能特征與領先的 5mm 發射器相當。
2009-01-16
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WSLT2010xxx18：Vishay寬廣工作溫度電流感測電阻
Vishay日前推出新型高溫1-W 表面貼裝 Power Metal Strip電阻，該產品是業界首款可在–65°C 到+275°C 溫度范圍內工作的2010 封裝尺寸電流感測電阻 --- WSLT2010…18。WSLT2010…18 電阻具有極低的電阻值范圍（10-m? 到 500-m?）、較低的誤差（低至 ±0.5%）和低 TCR 值（低至 ±75 ppm/°C）。
2009-01-15
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VSMB系列:威世發光波長940nm的紅外LED
日前，Vishay推出 940nm 表面貼裝紅外（IR）發射器系列，從而拓展了其光電子產品系列，這些新推出的器件具有遠高于標準發射器技術的輻射強度。
2009-01-14
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SiA850DJ ：Vishay集成190V功率二極管的MOSFET
日前，Vishay宣布推出業界首款帶有同體封裝的 190V 功率二極管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ，該器件具有 2mm×2mm 的較小占位面積以及 0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK SC-70 封裝的 SiA850DJ 還是在 1.8V VGS 時具有導通電阻額定值的業界首款此類器件。
2009-01-09
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IHLP-2020BZ-11：Vishay超薄大電流電感器
近日，Vishay宣布推出新型IHLP 超薄大電流電感器 --- IHLP-2020BZ-11 。這款小型器件具有 2.0mm 超薄厚度、廣泛的電感范圍和較低的 DCR 。
2009-01-08
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表面貼裝功率MOSFET封裝的演進
硅技術的創新已經與滿足市場需求的表面貼裝封裝的創新形影不離，為了實現更小的占板面積、更好的散熱性能、更高的效率，表面貼裝封裝工藝在不斷進步。Vishay Si l iconixPolarPAK具有在MOSFET封裝上下表面進行冷卻的封裝能力。尺寸類似于標準SO-8封裝，卻有兩個熱路徑，如果采用來自風扇的氣流或附加的散熱器，PolarPAK功率MOSFET就可以處理高得多的電流。
2009-01-05
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Si7633DP/135DP：Vishay最新低導通電阻MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20V 柵源極電壓以及業內最低的導通電阻。
2008-12-24
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VLMW84：Vishay超薄SMD LED系列
日前，Vishay推出業界首個采用 CLCC-2 扁平陶瓷封裝且基于藍寶石 InGaN/TAG 技術的高強度白光功率 SMD LED 系列 --- VLMW84…。該系列器件可降低高容量應用的成本，它們具有 25K/W 的低熱阻以及 5600mcd～14000mcd 的高光功率。
2008-12-22
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Vishay提供計算IHLP電感開關損失的在線工具
Vishay目前在其網站上提供了計算 IHLP? 電感器開關損失的基于 Web 的免費工具。這種易于使用的開關損失計算器可針對各個單獨應用進行定制，從而使設計人員能夠選擇正確的部件以優化板設計，同時加速產品上市時間。該開關損失計算器可用于降壓、升壓及降壓/升壓直流到直流轉換器拓撲結構。
2008-12-18
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IHLP-2020CZ-11：Vishay最新薄型、高電流電感器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布推出采用 2020 封裝尺寸的新型IHLP薄型、高電流電感器 --- IHLP-2020CZ-11。這款小型 IHLP-2020CZ-11 器件具有 3.0mm 的超薄厚度、寬泛的電感范圍及低 DCR。
2008-12-18
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