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OptiMOS系列：英飛凌推出200V和250V器件
英飛凌近日推出200V和250V OptiMOS系列器件。相對于其他同類產品，很低的優質化系數（FOM）使OptiMOS 200V和250V系列器件的通態電阻RDS(on)降低了50％，該公司并未透露FOM的具體數值。該系列器件適用于48V系統、DC/DC變換器、UPS和直流電機驅動。
2010-02-02
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iCharge DX：日本廠商推出便攜式太陽能充電器
由日本周邊廠商Linksinternational推出一款便攜式太陽能充電器“iCharge DX”，這款多功能充電器適用于各種主機，用途包括DS Lite/DSi/DSi LL/PSP、iPhone/iPod touch、各種便攜式電子設備。
2010-02-01
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英飛凌推出新一代多模HSPA+射頻收發器SMARTiTM UE2
英飛凌無線解決方案部副總裁兼智能手機與射頻業務分部總經理Stefan Wolff指出：“SMARTi UE2顯著改善了所有關鍵性能指標：成本、尺寸、功耗和射頻性能。我們成熟、領先的射頻技術，可確保客戶開發出外形極其靈活、電池壽命更長的全新智能手機和移動互聯網設備。”
2010-01-29
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AUIRF7739L2/7665S2: IR 推出適用于汽車的DirectFET 2功率MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 今天推出適用于汽車的AUIRF7739L2 和AUIRF7665S2 DirectFET?2 功率 MOSFET。這兩款產品以堅固可靠、符合AEC-Q101標準的封裝為汽車應用實現了卓越的功率密度、雙面冷卻和極小的寄生電感和電阻。
2010-01-29
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LED與OLED未來潛力巨大成本下降仍需時間
根據市場研究機構SBI(SpecialistsinBusinessInformation)預估，全球LED與OLED現今市場規模已經超過50億美元，而美國就占據了10億美元市場值。這比起2007年足足成長50%以上。SBI進一步預估，2013年全球LED與OLED市場規模將可達140億美元，而美國可達30億美元之市場規模。
2010-01-29
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OptiMOSTM系列：英飛凌推出性能領先業界的200V和250V 器件
英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進一步擴大OptiMOSTM產品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統、DC/DC變換器、不間斷電源（UPS）和直流電機驅動。憑借同類器件中最低的優質化系數（FOM），OptiMOS 200V和250V技術可使系統設計的導通損耗降低一半。
2010-01-27
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Vishay Siliconix 推出4款600V MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET?技術延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。
2010-01-27
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采用PowerFill外延硅工藝的電源器件
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。 PoweRFill是一個精湛的工藝技術，因為它是同類流程速度的3倍，降低制造成本，創造了為電源設備設計在設計程度上新的級別。
2010-01-27
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微機電運動傳感器淺談
MEMS運動傳感器囊括多種傳感器技術。用來測量物體加速度的傳感器叫做加速度傳感器（加速度計）；用來測量物體角速度的傳感器叫做角速度傳感器（陀螺儀）；也有將二者相結合的慣性測量單元（IMU；Inertial Measurement Unit）。另外，還有測量高度變化的氣壓計，以及感測絕對方向的電子羅盤。
2010-01-27
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X-Fest 2010研討會深圳站結束 Spartan-6應用受關注
1月21日，安富利電子元件 (Avnet Electronics Marketing) 與賽靈思公司（Xilinx, Inc.）攜手舉辦的X-Fest 2010系列研討會深圳站活動圓滿結束。至此，整個中國大陸四站活動全部結束，中國大陸四站總共吸引聽眾1400多人。
2010-01-26
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TI推出降低上表面熱阻的功率MOSFET
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應用推出業界第一個通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET 產品系列。相對其它標準尺寸封裝的產品，DualCool NexFET 功率MOSFET有助于縮小終端設備的尺寸，同時還可將MOSFET允許的電流提高 50%，并改進散熱管理。
2010-01-21
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面向高電流DC/DC應用、降低上表面熱阻的功率MOSFET
TI 高級副總裁兼電源管理全球經理 Steve Anderson 指出：“我們的客戶需要具有更小體積和更高電流的 DC/DC 電源，以滿足各種基礎設施市場對處理器功能提出的更高要求。DualCool NexFET 功率 MOSFET 能夠以不變的幾何尺寸傳輸更多的電流，可充分滿足這一需求。”
2010-01-18
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