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IGBT集電極電壓超過額定電壓會發(fā)生什么？
我們常常被告誡：實際應(yīng)用中，IGBT集電極電壓絕對不能超過額定值，否則器件有可能被擊穿。然后有的同學(xué)并不死心：如果我只超了一點點呢，1210V就會擊穿嗎？如果只是一個非常短非常短，比如只有1us的脈沖呢？功率器件也沒那么脆弱啊對不對？
2022-01-25
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SiC MOSFET替代Si MOSFET，自舉電路是否適用？
自舉式懸浮驅(qū)動電路可以極大的簡化驅(qū)動電源的設(shè)計，只需要一路電源就可以驅(qū)動上下橋臂兩個開關(guān)管的驅(qū)動，可以節(jié)省Si MOSFET功率器件方案的成本。隨著新能源受到全球政府的推動與支持，與新能源相關(guān)的半導(dǎo)體芯片需求激増，導(dǎo)致產(chǎn)能緊缺。綠色低碳技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)用是實現(xiàn)碳中和目標的重要一環(huán)，碳化硅是應(yīng)用于綠色低碳領(lǐng)域的共用性技術(shù)，SiC MOSFET替代Si MOSEFET成為了許多廠商的新選擇。不過，SiC MOSFET的驅(qū)動與Si MOSFET到底有什么區(qū)別，替代時電路設(shè)計如何調(diào)整，是工程師非常關(guān)心的。我們《SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有單電源正電壓時如何實現(xiàn)負壓？》一文中已經(jīng)分享了負壓自舉的小技巧。本文SiC MOSFET驅(qū)動常規(guī)自舉電路的注意事項。
2022-01-17
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如何將CoolMOS應(yīng)用于連續(xù)導(dǎo)通模式的圖騰柱功率因數(shù)校正電路
功率因素校正為將電源的輸入電流塑形為正弦波并與電源電壓同步，最大化地從電源汲取實際功率。 在完美的 PFC 電路中，輸入電壓與電流之間為純電阻關(guān)系，無任何輸入電流諧波。 目前，升壓拓撲是 PFC 最常見的拓撲。在效率和功率密度的表現(xiàn)上，必須要走向無橋型，才能進一步減少器件使用，減少功率器件數(shù)量與導(dǎo)通路徑上的損耗。 在其中，圖騰柱功率因素校正電路（totem-pole PFC）已證明為成功的拓撲結(jié)構(gòu)，其控制法亦趨于成熟。
2021-11-25
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分析無芯變壓器柵極驅(qū)動器
功率器件在工業(yè)和汽車系統(tǒng)的設(shè)計中起著決定性的作用。為了滿足這些應(yīng)用的特定要求并縮短上市時間，ROHM使用專有的微制造工藝來開發(fā)無核片上變壓器，以實現(xiàn)穩(wěn)健的隔離，這對SiC技術(shù)尤其有用。碳化硅已被引入工業(yè)和汽車市場的廣泛應(yīng)用中，包括太陽能逆變器，所有類型的高壓電源和汽車車載電池充電器。
2021-11-15
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SRII重磅亮相CICD 2021，以先進ALD技術(shù)賦能第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
功率器件作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分，擁有非常廣泛的技術(shù)分類以及應(yīng)用場景。例如，傳統(tǒng)的硅基二極管、IGBT和MOSFET等產(chǎn)品經(jīng)過數(shù)十年的發(fā)展，占據(jù)了絕對領(lǐng)先的市場份額。不過，隨著新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、儲能、手機快充等應(yīng)用的興起，擁有更高耐壓等級、更高開關(guān)頻率、更高性能的新型SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體功率器件逐漸嶄露頭角，獲得了業(yè)界的持續(xù)關(guān)注。
2021-11-10
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功率半導(dǎo)體的進步實現(xiàn)3級直流快速充電，解決電動汽車的里程焦慮
目前，電動汽車的使用仍受到阻礙，主要在于 “里程焦慮”問題，并且車主不愿在道路上等待數(shù)小時充電時間。然而，隨著全國各地部署越來越多的充電樁，“直流快速充電”有望將等待時間縮短至數(shù)分鐘。這些額定功率達350 kW的大功率充電樁，必須利用最新的電源轉(zhuǎn)換拓撲結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體開關(guān)技術(shù)，以盡可能提高電能效來實現(xiàn)成本效益。本文將介紹這些大功率充電樁的典型設(shè)計方法，對功率器件的一些選擇，以及最新的寬禁帶半導(dǎo)體可帶來的優(yōu)勢。
2021-11-03
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高功率器件驅(qū)動風(fēng)向：隔離柵極驅(qū)動
D類音頻功率放大器的市場需求每年以約50%的速度增長，以高性能設(shè)備為目標應(yīng)用。D類音頻放大器的高能效和低熱性等特點支持輕薄時尚的產(chǎn)品設(shè)計，大功率電源還可節(jié)省成本。D類放大器滿足小尺寸、低功耗、高音頻輸出的市場主流需求，從而成為音頻類產(chǎn)品的中堅力量。
2021-11-03
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通用汽車與Wolfspeed達成戰(zhàn)略供應(yīng)商協(xié)議，在通用汽車未來電動汽車計劃中采用SiC
2021年10月11日，美國密歇根州底特律市和北卡羅來納州達勒姆市訊 – 通用汽車（NYSE: GM）和 Wolfspeed, Inc.（NYSE: WOLF）于近日宣布達成一項戰(zhàn)略供應(yīng)商協(xié)議，約定 Wolfspeed 為通用汽車的未來電動汽車計劃開發(fā)并提供碳化硅（SiC）功率器件解決方案。Wolfspeed SiC 器件將賦能通用汽車安裝更高效的電動汽車動力系統(tǒng)，從而擴大其快速完善的電動汽車產(chǎn)品組合范圍。
2021-10-11
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什么情況下應(yīng)該從硅片轉(zhuǎn)換到寬帶隙技術(shù)？
自從寬帶隙 (WBG) 器件誕生以來，為功率變換應(yīng)用帶來了一股令人激動的浪潮。但是，在什么情況下從硅片轉(zhuǎn)換到寬帶隙技術(shù)才有意義呢？迄今為止，屏蔽柵極 MOSFET、超級結(jié)器件和 IGBT等基于硅的功率器件已經(jīng)很好地在業(yè)界得到大規(guī)模應(yīng)用。這些器件在品質(zhì)因數(shù) (FoM) 方面不斷改進，加上在拓撲架構(gòu)和開關(guān)機理等方面的進步，使工程師能夠?qū)崿F(xiàn)更高的系統(tǒng)效率。
2021-09-15
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通過AC整流橋上的有源開關(guān)提高效率
提高電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度一直是電源行業(yè)的首要目標，在過去十年中，更因功率器件、拓撲結(jié)構(gòu)和控制方案的發(fā)展而取得長足的進步。超結(jié)MOSFET、SiC二極管以及最新GaN FET的發(fā)展，確保了更高頻率下的更高開關(guān)效率；同時，高級拓撲及其相應(yīng)控制方案的實現(xiàn)也在高速發(fā)展。因此，平衡導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗以實現(xiàn)最佳工作點，現(xiàn)在已完全可以實現(xiàn)。
2021-09-10
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X-FAB與派恩杰達成長期戰(zhàn)略合作，共同推動全球SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展
2021年9月6日，模擬晶圓代工龍頭企業(yè)X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）和國產(chǎn)SiC功率器件供應(yīng)商派恩杰聯(lián)合對外宣布，雙方就批量生產(chǎn)SiC晶圓建立長期戰(zhàn)略合作關(guān)系，此前雙方已經(jīng)合作近三年時間。
2021-09-06
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羅姆為電動汽車充電樁打造高效解決方案
全球能源短缺和大氣污染問題日益嚴峻，汽車產(chǎn)業(yè)綠色低碳發(fā)展已成為降低全社會碳排放、增強國家競爭力的有效手段。作為領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體廠商之一，羅姆一直致力于技術(shù)創(chuàng)新，研發(fā)各種高效、高品質(zhì)的功率器件，為大功率智能充電站提供安全可靠的解決方案，在支持綠色出行的同時助力全面低碳社會的可持續(xù)發(fā)展。
2021-08-26
- 安森美與舍弗勒強強聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動新一代PHEV平臺
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