【導讀】一提到隔離型驅動，不少硬件研發工程師就會先入為主想到光耦。可光耦真的是唯一選擇嗎？伴隨著全球電氣化和數字化的趨勢，電力電子技術的發展也日新月異：功率器件開關頻率進一步提高，寬禁帶器件使用方興未艾，終端應用環境更加復雜惡劣，這些都對隔離型驅動的性能和可靠性提出了全新的挑戰。
而英飛凌隔離型驅動的超強性能正好滿足了這些挑戰：
無磁芯變壓器隔離技術
基于磁耦合的電氣隔離技術，利用半導體制造工藝，集成由金屬線圈結構和氧化硅絕緣介質組成的無磁芯平面變壓器，用來傳送輸入側與輸出側之間的開關指令和其它信號。信號以電流變化的形式進行傳遞，抗dv/dt干擾能力強，非常適合高速開關器件。磁隔離技術隨著使用時間的增加，沒有類似光耦的光衰問題，穩定性更好。
更高的工作電壓
英飛凌隔離型驅動可適用于600V/650V/1200V/1700V/2300V開關器件。而光耦工作電壓一般為1700V以內。
更大的輸出電流
英飛凌隔離型驅動電流高達14A（峰值典型值），特別適用于單管MOSFET/IGBT并聯或者大功率模塊，無需外接推挽放大電路，設計簡單且性價比高。而光耦驅動電流一般為10A（峰值典型值）以內。
更高的副邊電源電壓差
英飛凌隔離型驅動副邊電源電壓差高達40V，特別適用于負壓驅動的IGBT或者CoolSiC?，提供了足夠的電壓安全裕量。而光耦驅動副邊電源電壓差為35V。
更高的工作結溫
英飛凌隔離型驅動工作結溫高達150℃，可完美輔配功率器件最高工作結溫150/175℃。而光耦工作結溫一般125℃，并且高溫時參數溫漂（如傳輸延時等）高于英飛凌隔離型驅動，限制了系統在高溫環境下的應用。
更小的傳輸延時
英飛凌隔離型驅動傳輸延時低至100ns以內，芯片之間傳輸延時匹配度7ns以內，能實現更小的死區時間，特別適用于高頻應用，也是英飛凌CoolSiC?和CoolGaN?的最佳搭檔。而光耦傳輸延時一般為200ns以內，光耦之間傳輸延時匹配一般為100ns以內。
更高的共模瞬變抗擾度
英飛凌隔離型驅動共模瞬變抗擾度高達200kV/μs以上，特別適用于快速開關應用，能輕松駕馭更高的dv/dt，提高了系統可靠性。而光耦共模瞬變抗擾度一般為100kV/μs以內。
更高的可靠性
英飛凌全新的隔離型驅動參照VDE 0884-11標準，而光耦參照IEC 60747-5-5/VDE 0884-5標準。針對磁隔離技術的VDE 0884-11標準測試更為嚴苛，安全裕量更大，更標配了使用壽命模型（20年以上）和額外的安全系數。
更豐富的功能
電壓變化率控制(SRC：Slew Rate Control)兼顧效率和EMI；參數可配置，如欠壓保護閾值調整適配CoolSiC?、軟關斷電流多級可調、溫度監控與保護等等。
通過上述的分析對比，英飛凌隔離型驅動在芯片技術、工作電壓、輸出電流、副邊電源電壓、工作結溫、傳輸延時、共模瞬變抗擾度、可靠性、功能性等方面，相對光耦都有明顯的優勢，是高性能高可靠性隔離型驅動的最佳選擇。英飛凌隔離型驅動產品系列如下所示，如需技術或者產品支持，請與英飛凌銷售人員或分銷商聯系。
文章來源： 英飛凌工業半導體
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