欧美日韩亚州综合,国产一区二区三区影视,欧美三级三级三级爽爽爽,久久中文字幕av一区二区不卡

你的位置:首頁 > 電源管理 > 正文

Vishay 推出業界面積最小、厚度最薄的N溝道芯片級功率MOSFET

發布時間:2010-08-03

產品特性:

  • 具有0.64mm2的超小外形和0.357mm的厚度
  • 面積低于1mm2的首款產品
  • 采用無封裝技術

應用范圍:

  • 便攜式電子產品

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出業界最小和最薄的N溝道芯片級功率MOSFET --- Si8800EDB,該器件也是面積低于1mm2的首款產品。20V MICRO FOOT® Si8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度,可減少在便攜式電子產品中占用的空間。

隨著便攜式產品變得愈加小巧,器件的尺寸成為選擇器件的重要因素,因為按鍵和電池占用了大部分空間,使PCB的面積受到極大限制。Si8800EDB具有超小的外形和厚度,比同樣采用芯片級封裝的尺寸第二小的N溝道器件小36%,薄11%,能夠實現更加小巧且功能更多的終端產品。

由于采用無封裝技術且增大了管芯面積,Si8800EDB的芯片級封裝提供了單位面積上極低的導通電阻。MOSFET在4.5V、2.5V、1.8V和1.5V下的最大導通電阻分別為80mΩ、90mΩ、105mΩ和150mΩ。

新器件的典型應用包括負載開關和手機、PDA、數碼相機、MP3播放器和智能手機等便攜式設備中的小信號切換。Si8800EDB的低導通電阻可延長這些產品中兩次充電之間的電池壽命。

Si8800EDB的典型ESD保護為1500V,符合RoHS指令2002/95/EC,符合IEC 61249-2-21定義的無鹵素規范。

要采購開關么,點這里了解一下價格!
特別推薦
技術文章更多>>
技術白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關閉

?

關閉

主站蜘蛛池模板: 仙桃市| 台南县| 辽宁省| 广饶县| 确山县| 老河口市| 广昌县| 瑞金市| 大关县| 临朐县| 佛坪县| 永城市| 桐柏县| 公安县| 兴和县| 阳新县| 陆川县| 咸宁市| 方城县| 鹰潭市| 敖汉旗| 红桥区| 泸州市| 黔江区| 淮南市| 天祝| 娄底市| 五大连池市| 诸城市| 青河县| 建阳市| 龙门县| 台州市| 郯城县| 陇川县| 闻喜县| 扎赉特旗| 习水县| 西华县| 莎车县| 巴林右旗|