產(chǎn)品特性：
- 改善了電流處理能力
- 提供廣泛的導通電阻選擇
- 可以簡化電路設計
- 達到第一級潮濕敏感度標準
應用范圍：
- 電池充電和放電開關
- 直流應用的系統(tǒng)/負載開關
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關，以及直流應用的系統(tǒng)/負載開關。新款 P 溝道器件的導通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 m?至59 m?，可匹配廣泛的功率要求。P 溝道 MOSFET 無需使用電平轉(zhuǎn)換或充電泵電路，使其成為系統(tǒng)/負載開關應用非常理想的解決方案。
IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“相比上一代產(chǎn)品，這個新型SO-8 P 溝道 MOSFET系列顯著改善了電流處理能力，更為客戶提供廣泛的導通電阻選擇，以適應他們對溫度和成本的要求。同時，P 溝道技術也可以簡化電路設計。”
P 溝道 MOSFET器件達到第一級潮濕敏感度 (MSL1) 標準，所采用的材料不含鉛，且符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS)。
新器件現(xiàn)已接受訂單，數(shù)據(jù)和應用說明已刊登于 IR 的網(wǎng)站 http://www.irf.com。
