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如何使用純模擬控制的降壓和升壓電源來(lái)實(shí)現(xiàn)輸出穩(wěn)壓？
可使用同一款單片機(jī)實(shí)現(xiàn)純模擬控制的同步降壓型電源和升壓型電源，從而實(shí)現(xiàn)輸出穩(wěn)壓。兩種方案擁有一個(gè)共同的優(yōu)點(diǎn)，即不占用任何處理器資源，這樣內(nèi)核就可 以全力滿足更為復(fù)雜的固件的需求。同時(shí)，模擬回路能夠更快速地響應(yīng)負(fù)載階躍和 輸入電壓變化，這對(duì)于不少應(yīng)用而言是非常有用的。
2021-06-09
純模擬控制 降壓轉(zhuǎn)換器 升壓轉(zhuǎn)換器
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利用MEMS慣性測(cè)量單元來(lái)消除各傳感器之間的全部對(duì)齊誤差
正在將MEMS慣性測(cè)量單元(IMU)用于個(gè)人交通工具平臺(tái)的自平衡制導(dǎo)系統(tǒng)，是否會(huì)有一款面向消費(fèi)者，能消除各傳感器之間的全部對(duì)齊誤差，并且所有核心傳感器元件都集成在單個(gè)芯片上的IMU？
2021-06-09
MEMS慣性測(cè)量單元 傳感器
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容易忽略的電路細(xì)節(jié)——三極管驅(qū)動(dòng)蜂鳴器
蜂鳴器是我們?cè)陔娐吩O(shè)計(jì)中使用的常見(jiàn)的一種預(yù)警發(fā)聲器件，我們常使三極管的工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)來(lái)驅(qū)動(dòng)它。然而越簡(jiǎn)單的電路，很多人在設(shè)計(jì)時(shí)往往越容易忽略細(xì)節(jié)，導(dǎo)致實(shí)際電路中蜂鳴器不發(fā)聲、輕微發(fā)聲和亂發(fā)聲的情況發(fā)生。
2021-06-07
三極管 驅(qū)動(dòng)蜂鳴器
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什么是功率放大器？詳解功放的類型、類別和應(yīng)用
功率放大器是一種電子放大器，旨在增加給定輸入信號(hào)的功率幅度。輸入信號(hào)的功率增加到足以驅(qū)動(dòng)揚(yáng)聲器、耳機(jī)、RF發(fā)射器等輸出設(shè)備負(fù)載的電平。與電壓/電流放大器不同，功率放大器被設(shè)計(jì)為直接驅(qū)動(dòng)負(fù)載并用作最終模塊在放大鏈中。
2021-06-02
功率放大器 功放
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智能化電能計(jì)量技術(shù)提升能效，讓世界變得更環(huán)保
我們都很熟悉那些隱藏在車庫(kù)、地下室或其它隱蔽之處的電表了。我們甚至可能每月會(huì)檢查它一次或兩次，并將電表上的最新讀數(shù)打 電話告訴電力公司，而不是估算一個(gè)數(shù)字。隨著技術(shù)的發(fā)展，一場(chǎng)靜悄悄的革命正在這普普通通的電表上發(fā)生。
2021-06-01
智能化 電能計(jì)量 技術(shù)
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典型工作環(huán)境中分析光伏 I-V 特性，咱得講究個(gè)“精確”
光伏 (PV) 模塊是普及和經(jīng)濟(jì)適用的可再生能源。大多數(shù)光伏模塊的壽命約為 20 年，但是，熱應(yīng)力和濕度侵入等其他原因會(huì)導(dǎo)致光伏模塊的輸出功率隨著時(shí)間的推移而下降。為了進(jìn)行調(diào)試，可通過(guò) PV 模塊的電壓-電流特性曲線的變化來(lái)測(cè)量其性能下降情況。
2021-06-01
典型工作環(huán)境 光伏 I-V 特性
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三極管放大電路的性能指標(biāo)
在電子電路系統(tǒng)中，放大電路（器）的種類非常多，可分為低頻放大器、高頻放大器、射頻放大器；有甲類放大器、乙類放大器等等。無(wú)線通信設(shè)備的射頻部分就包含低噪聲放大器、i中頻放大器、緩沖放大器、驅(qū)動(dòng)放大器、功率放大器等。
2021-05-31
三極管 放大電路
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這個(gè)簡(jiǎn)單的電路為什么會(huì)燒繼電器線圈？
前幾天，芯片談?wù)撊褐杏形蛔鰴C(jī)器人產(chǎn)品的朋友遇到了一件尷尬的事情。機(jī)器人身上的設(shè)備，交給客戶之前測(cè)試過(guò)，沒(méi)有出現(xiàn)什么問(wèn)題，但是拿到客戶現(xiàn)場(chǎng)后，繼電器線圈燒了。于是在群里請(qǐng)教各位群友，這個(gè)簡(jiǎn)單的電路為什么會(huì)燒繼電器線圈。
2021-05-30
繼電器線圈
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短/中波雙色碲鎘汞紅外探測(cè)器制備研究
報(bào)道了基于分子束外延的短/中波雙色碲鎘汞材料及器件的最新研究進(jìn)展。采用分子束外延方法制備出了高質(zhì)量的短/中波雙色碲鎘汞材料，并通過(guò)提高材料質(zhì)量將其表面缺陷密度控制在300 cm-2以內(nèi)。在此基礎(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)化了芯片制備工藝，尤其是在減小像元中心距方面作了優(yōu)化。基于上述多項(xiàng)材料及器件工藝制...
2021-05-28
雙色碲鎘汞 紅外探測(cè)器制備
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