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BCR8LM-14LK:瑞薩發(fā)布高換向性三端雙向可控硅開關(guān)器件用于白色家電
瑞薩電子株式會社(以下簡稱“瑞薩電子”)發(fā)布一款高換向性三端雙向可控硅開關(guān)器件BCR8LM-14LK,支持額定通態(tài)電流有效值(IT (RMS))8安(A)和額定斷態(tài)重復峰值電壓(VDRM)700伏,可通過單片機(MCU)直接觸發(fā)。此款新型三端雙向可控硅開關(guān)器件可用于驅(qū)動洗衣機和冰箱等家用電器(白色家電)的交流...
2012-01-16
BCR8LM-14LK 瑞薩電子 可控硅 開關(guān)
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變壓器行業(yè):市場混亂 不自救誰能救?
外部環(huán)境突變,再加之變壓器行業(yè)的自身矛盾,使這個行業(yè)在2011年變得更加被動,并不斷爆出市場價格與生產(chǎn)成本普遍性“倒掛”的離奇現(xiàn)象。
2012-01-16
變壓器 特變電工 天威保變 西電
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2012年LED設備支出將下滑18%,導線架出貨續(xù)增
國際半導體設備材料協(xié)會(SEMI)日前發(fā)表研究報告指出,全球LED制造設備支出在2011年大增36%后,預期2012年將會下滑18%。該機構(gòu)并表示,2012年全球LED月產(chǎn)能將會達200萬片晶圓(以4吋晶圓來計算),較2011年上升27%。
2012-01-16
LED HB-LED 晶圓 半導體
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TD-LTE發(fā)展升溫 大陸啟動第二階段測試
上證報報導,截至去(2011)年底,由大陸工信部與中國移動(0941.HK)主導的TD-LTE規(guī)模技術(shù)試驗已完成第一階段單模測試,第二階段多模測試也開始展開,包括中興通訊(000063.SZ,0763.HK)旗下中興微電子、聯(lián)芯科技、創(chuàng)毅視訊在內(nèi)的三家廠商率先獲得進入第二階段測試的許可,將參與TD-LTE第二階段規(guī)模技術(shù)...
2012-01-16
TD-LTE 單模 TD-LTE 通訊
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光伏逆變器將是智能電網(wǎng)建設中主要市場機會
目前,全球面臨著四大亟待解決的問題:全球化、城市化、老齡化和低碳化。這四大問題為電子行業(yè)帶來了嚴峻的挑戰(zhàn),同時也帶來了巨大的機遇。首先,整個半導體行業(yè)的發(fā)展趨勢是以超低功耗來減少能源的消耗。
2012-01-16
光伏 逆變器 能源系統(tǒng) 電力系統(tǒng)
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電子鎮(zhèn)流器的異常保護問題及其保護方案
本文介紹電子鎮(zhèn)流器的異常保護問題及電子鎮(zhèn)流器在異常狀態(tài)下的保護三大方案,并輔以KT120-H系列熱敏電阻在電子鎮(zhèn)流器中的應用實例,分析熱敏電阻在電子鎮(zhèn)流器異常保護中的性能。
2012-01-13
電子鎮(zhèn)流器 異常保護 熱敏電阻 PTC
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IGBT強驅(qū)動電路的設計及電流尖峰抑制方案
根據(jù)脈沖滲碳電源要求,本文設計了一種具有高可靠性、信號傳輸無延遲、驅(qū)動能力強等特點的IGBT強驅(qū)動電路,詳細分析了工作原理,并對電路測試中出現(xiàn)的電流尖峰進行了抑制。在此基礎上得出幾個主要影響驅(qū)動電路的因素。
2012-01-13
IGBT 開關(guān)電源 驅(qū)動電路 電流尖峰
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防雷元器件的性能與應用
正常工作時,開關(guān)元件是斷開的;當雷擊浪涌來的時候,開關(guān)元件導通,將浪涌電流泄放到大地,從而保護了電子設備免受浪涌沖擊損壞。開關(guān)元件類有陶瓷氣體放電管、玻璃放電管(強效放電管)、半導體過壓保護器(半導體放電管、固體放電管)三種類型。
2012-01-13
防雷 元器件 性能 應用
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計算大功率電源中MOSFET的功率耗散
MOSFET的甄選從選擇能夠應付所要求的電流、提供足夠的散熱通道開始,在確定了要求的散熱量并確保了散熱途徑后結(jié)束。本文介紹了計算MOSFET功率耗散和確定其工作溫度的步驟說明,并輔以多相位、同步矯正、降壓CPU內(nèi)核20A電源設計實例,對每個計算步驟進行說明。
2012-01-13
大功率 電源 MOSFET 功率耗散
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