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使用數模轉換器為變容二極管提供偏置電壓的好處
變容二極管在反向偏置電壓下運行，會在PN結附近形成耗盡區，變反向偏置的水平，就能改變耗盡區的厚度，從而影響二極管的有效電容。
2013-01-12
數模轉換器 變容二極管 偏置電壓
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如何選型壓敏電阻
壓敏電阻屬于關鍵器件，如何正確的選擇壓敏電阻，要從哪些方面去考慮？對信號傳輸線路，進行ESD防護。
2013-01-11
選型 壓敏電阻 ESD
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用工頻市電直接供電的無電源變壓器離線式穩壓電源
用工頻市電直接供電的無電源變壓器離線式穩壓電源與工頻市電非隔離式穩壓電源，盡管在電路上可能帶有危險的電壓，但由于體積小、線路簡單。成本低，故在很多領域已得到較廣泛的應用。
2013-01-10
工頻市電 無電源變壓器 離線式穩壓電源
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如何避免可控硅在其使用中出現過載等問題
目前交流調壓多采用雙向可控硅，它具有過載和抗干擾能力差，且在控制大電感負載時會干擾電網和自干擾等缺點，下面我們來談談可控硅在其使用中如何避免上述問題。
2013-01-10
可控硅 過載
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詳解TBU與傳統過壓過流電路中保護元件的區別
對于大型的控制電路，比如LED燈塔的電源控制線路，其保護以及維修都是一個比較復雜的工程。使用TBU方案，是否可以使過壓過流電路保護解決方案設計更輕松呢？本文從傳統的保護元器件入手，對比傳統過流過壓保護元器件和TBU方案的工作方式，深度解析TBU與傳統過壓過流電路保護元件的區別及其應用限制...
2013-01-10
TBU 保護元件 TPS
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ESD的保護方法
ESD保護元件的對比分析及大電流性能鑒定。為了給電子系統提供ESD保護，可以從不同的角度來著手。一種方法是在半導體芯片內建ESD保護架構。不過，日趨縮小的CMOS芯片已經越來越不足以承受進行內部2 kV等級的ESD保護所需要的面積。
2013-01-10
ESD 保護 TLP
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詳解開關電源嘯叫的原因
測試開關電源或在實驗中有聽到類似產品打高壓不良的漏電聲響或高壓拉弧的聲音或大或小，或時有時無，其韻律或深沉或刺耳，或變化無常者皆有。
2013-01-10
開關電源 嘯叫 大電流
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詳解貼片鉭電容的頻率特性
貼片鉭電容的頻率特性分析。鉭電容器的電容隨溫度變化而發生變化。這種變化本身就是一個小的程度上依賴額定電壓和電容的大小。
2013-01-10
貼片鉭電容 頻率特性 能量損耗
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三星與Synopsys攜手，14納米FinFET流片首次成功實現
FinFET晶體管可以實現更低的功耗和更高的器件性能，但是它們也同時帶來了嚴峻的挑戰，三星與Synopsys合作實現首次14納米FinFET成功流片，同時雙方圍繞Synopsys IP、設計實現以及提取和簽核工具等領域進行合作。
2013-01-10
三星 Synopsys FinFET晶體管
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