【導讀】在EMC兼容設計中應避免風險。必須要指出的是，干擾會威脅到數據通信的完整性——特別是對于通過USB實現的數據傳輸而言。EMC不是“可有可無”，或用來滿足什么法規(guī)和標準，而是一種質量指標。為了盡可能在設計早期就徹底排除EMC問題，業(yè)界推出了專門針對快速數據線特殊狀態(tài)剪裁的元器件，它們不僅可以減少開發(fā)工作量，而且最重要的是可以避免關鍵的EMC測試結果之后的返工。
USB端口對PC外設的發(fā)展起到了革命性的推動作用，并且正變得越來越流行，比如在采集測量數據或在機器上安裝軟件更新等應用中就非常常見。作為用于數據傳輸的一種總線系統，只要有移動設備連著的地方就有它的身影。雖然在日常生活中使用的連接器看起來非常結實，但USB應用開發(fā)人員仍然必須重視這些接口的保護。
在Intel公司的“高速USB平臺設計指南”中，甚至提高了考慮USB端口易感性因素的重要性。Intel建議用電流補償型扼流圈抑制EMI，再用其它元件防止靜電放電(ESD)。電子設備經常會遭受靜電放電。靜電放電脈沖電壓可能高達30kV，因此對所有類型的集成電路來說都是非常危險的。目前有些IC對靜電放電來說是“安全的”，但這種安全性只是對一小部分潛在威脅來說是有保證的。日常操作表明：額外保護是必不可少的。只有采取外部保護措施才能開發(fā)出整塊電路板不受靜電放電影響以及高度可靠的產品來。專門的抑制措施同樣也是必需的。無線聯網的電子設備如今是遍地開花，它們的數量正在與日俱增。
使自己的產品不受輻射干擾的影響非常重要。只有考慮了預期的干擾形式，才能在設計中及時集成必要的抑制元件，進而縮短開發(fā)周期。我們知道，自身產品的輻射型干擾也必須處于某個電平之下。這可以通過EMC測試實驗室進行很精確的評估。如果產品沒有通過這種測試，那么立馬返工的成本將超過抑制元件成本的好幾倍。
實際的抗干擾能力
在提到干擾對USB的影響時，差分模式數據傳輸與簡單的同軸電纜相比具有很大的優(yōu)勢。在感性干擾效應(磁場)情況下，導線的絞合可以彌補干擾效應。鑒于每根雙絞線的部分電感的對稱性，干擾會彼此影響補償效果。這種抗干擾效果在實際應用中會大打折扣。
●USB控制器的輸入/輸出不是完全對稱的，因此USB信號顯示出共模干擾。
●Layout與HF/EMC不兼容，寄生電容和缺少波阻匹配會產生共模干擾。
●電路設計(USB濾波器)不充分，濾波器影響信號質量，和/或插損太低。
●接口設計(插座，外殼)不充分。不良的接地會減小電纜的屏蔽衰耗。濾波器具有不良的接地參考。
●USB電纜不對稱、屏蔽不良以及沒有足夠好的接地。這種電纜會劣化信號質量，輻射信號諧波，對外部干擾源起不到足夠的屏蔽衰減。
問題：其中一些點可能不受影響，這些點包括外購USB控制器的技術性實現，或最終用戶使用“便宜的”USB電纜。因此必須采取一些預防性措施，防止接口受到可能損壞USB控制器的外部干擾的影響，同時通過電纜限制信號的干擾輻射量。
保護元件的選擇
靜電放電(ESD)保護的定義為：依照EN 61000-4-2標準防止ESD脈沖，依照EN 61000-4-5防止浪涌脈沖，以及依照EN 61000-4-4防止突發(fā)(EFT)脈沖。瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)二極管必須滿足這些功能。重要的是：為了保護諸如USB等快速數據線受到過壓的破壞，應該使用具有低電容特性的TVS和陶瓷ESD抑制器，以免USB信號發(fā)生失真。基于這個原因，Würth Elektronik eiSos公司開發(fā)出了專門在這方面作了優(yōu)化的元件，并且在數據線上是不可見的。TVS二極管的電容值不到1pF，電容值最高0.2pF的陶瓷ESD抑制器是保護USB端口的理想選擇。
在選擇元件時需要問幾個問題：有沒有用于軌到軌連接的供電電壓((GND < I/O 信號 < Vcc)？用TVS二極管吧。沒有供電電壓嗎，還是應該選用陶瓷元件？在本例中，必須選用TVS二極管，其VDD引腳可以懸空，或使用ESD抑制器。
進一步的問題：期望的最大ESD電壓是多少？應該保護一個還是兩個USB端口？有時一條USB數據線會連接到了TVS二極管的兩個I/O引腳，這將產生更好的保護效果，這也是為何優(yōu)先使用TVS二極管陣列的原因。
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不要忘了電源
對于一個端到端的EMC兼容設計而言，對電源(VBUS)進行濾波也很重要。許多開發(fā)人員忽視了這一點，卻不知道他們的產品為何通不過EMC實驗室的測試。這里介紹了針對一個或兩個USB端口的兩種優(yōu)化設計。兩條USB線可以用TVS二極管加以保護。所有4條信號線以及公共電源都得到了很好的靜電放電保護。進一步的優(yōu)化可以通過用一個電流補償式數據線扼流圈和電容，搭建一個LC濾波器濾除輸入端的共模和差模干擾來實現。在電源端使用WE-CBF系列貼片磁珠可以實現卓越的抑制性能(圖1)。
圖1：具有靜電放電保護功能的雙端口USB端口。
單通道保護元件(如WE-VE系列靜電放電抑制器)必須始終連接在信號線與地之間。不必使用小電容的靜電放電抑制器來保護電源，普通的SMD變阻器就足夠了。它可以吸收較高的能量和較高的電流，因此是設計的第一選擇(圖2)。
圖2：與屏蔽數據線不同，電源端不必使用小電容的靜電放電抑制器。
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針對USB端口的推薦Layout
從圖3可以明顯看出，有兩條差分信號線(D+和D-)從插頭連接器連接到TVS二極管，再通過電流補償式數據線扼流圈連接到USB控制器。這樣能夠得到出色的靜電放電保護功能，并能良好的抑制數據線對。VBUS通過TVS二極管路由到貼片磁珠。在貼片磁珠之后，可以插入額外的電容和另一個貼片磁珠來實現最大可能的PI濾波器衰減。
圖3：USB端口保護。
在非常敏感的IC和/或高可靠性開發(fā)案例中，通過兩次連接TVS二極管引腳可以實現最優(yōu)的靜電放電保護效果(圖4)。
圖4：USB端口的雙重保護。
希望采用單通道保護元件的開發(fā)人員可以使用WE-VE系列靜電放電抑制器。這些抑制器總是必須從D+/D-連接到地。還要連接其它一些元件，如圖5所示。
圖5：采用單通道元件的保護機制。
