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PolySwitch系列：泰克推出表面貼裝產(chǎn)品適用于汽車制造
泰科電子宣布其PolySwitch系列中nanoASMD、microASMD、miniASMD、ASMD和AHS表面貼裝產(chǎn)品(SMD)已經(jīng)通過認(rèn)證，可以幫助汽車制造商達(dá)到行業(yè)安全和可靠性標(biāo)準(zhǔn)，同時(shí)降低了系統(tǒng)成本和提高了電子設(shè)計(jì)的效率和可靠性。這些汽車等級(jí)PolySwitch器件已經(jīng)通過汽車行業(yè)AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)對電子元器件所規(guī)定的指標(biāo)進(jìn)行...
2010-11-10
PolySwitch系列 表面貼裝 汽車制造 電子元器件
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DWDM通信設(shè)備的熱設(shè)計(jì)
熱設(shè)計(jì)是DWDM等高速通信系統(tǒng)設(shè)計(jì)中必須考慮的問題，設(shè)計(jì)的好壞與否直接影響到設(shè)備工作的穩(wěn)定性與可靠性。本文介紹的設(shè)計(jì)方法簡單實(shí)用，對其他設(shè)備的熱設(shè)計(jì)也有很好的借鑒作用。
2010-11-09
DWDM 熱設(shè)計(jì) 導(dǎo)熱系數(shù)
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低壓電源熱插拔和上電順序控制
在電路板插入帶電背板時(shí)，電路板電源輸入濾波電容處于低阻狀態(tài)。從背板流向電路板的瞬態(tài)沖擊電流可能燒壞插座或板上器件，也可能瞬時(shí)拉低背板電源電壓，引起系統(tǒng)掉電復(fù)位。因此需要特別設(shè)計(jì)熱插拔控制電路以解決這些問題。
2010-11-05
熱插拔 上電順序 帶電背板
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SOD882D：NXP發(fā)布無鉛封裝產(chǎn)品適用于對安裝和耐用性有要求的設(shè)備
恩智浦半導(dǎo)體（NXP）今天宣布推出業(yè)內(nèi)首款采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的無鉛封裝產(chǎn)品SOD882D。這是一款2引腳塑料封裝產(chǎn)品，尺寸僅為1mm x 0.6mm，是纖薄型設(shè)備的理想之選。其高度僅有0.37 mm（典型值），同時(shí)也是1006尺寸（0402英寸）系列中最扁平封裝的產(chǎn)品之一，提供多種ESD保護(hù)和開關(guān)二極管選擇。
2010-11-04
SOD882D NXP 無鉛封裝產(chǎn)品 ESD保護(hù) 開關(guān)二極管
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加強(qiáng)ESD保護(hù)的技巧
ESD 器件的主要目的是提供電阻最低的接地分流路徑。在本文章中，我們將介紹各種技巧，電路板設(shè)計(jì)者可以用它們幫助自己實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)所需的ESD等級(jí)，從而保證所選的ESD保護(hù)器件能夠通過在系統(tǒng)ESD測試。
2010-11-04
ESD 電路保護(hù) LESD LGND
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IGBT高壓大功率驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路的應(yīng)用研究
本文主要通過對功率器件IGBT的工作特性分析、驅(qū)動(dòng)要求和保護(hù)方法等討論，介紹了的一種可驅(qū)動(dòng)高壓大功率IGBT的集成驅(qū)動(dòng)模塊HCPL-3I6J的應(yīng)用。
2010-11-03
IGBT 高壓 大功率驅(qū)動(dòng) 保護(hù)電路
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汽車電子保護(hù)電路設(shè)計(jì)
車環(huán)境對電子產(chǎn)品而言是非?？量痰模喝魏芜B接到12V電源上的電路都必須工作在9V至16V的標(biāo)稱電壓范圍內(nèi)，其它需要迫切應(yīng)對的問題包括負(fù)載突降、冷車發(fā)動(dòng)、電池反向、雙電池助推、尖峰信號(hào)、噪聲和極寬的溫度范圍。
2010-11-02
汽車電子 保護(hù)電路 無源保護(hù)電路 敏感電路
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鋰電池保護(hù)IC測試電路的設(shè)計(jì)
目前市場上已經(jīng)出現(xiàn)了專用的鋰電池保護(hù)板測試儀，但價(jià)格普遍偏高，并且測試時(shí)必須先將IC焊接在電路板上。因此，本文中設(shè)計(jì)了一個(gè)簡單的測試電路，借助普通的電子儀器就可以完成對鋰電池保護(hù)IC的測試。
2010-11-01
鋰電池 保護(hù)IC 測試電路
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飛兆開發(fā)出頂部冷卻的Dual Cool封裝用于MOSFET器件
為了滿足高電流能力、高效率和更小外形尺寸的需求，飛兆半導(dǎo)體公司 (FaIRchild SemicONductor) 開發(fā)出用于MOSFET 器件的Dual Cool封裝，Dual Cool封裝是采用嶄新封裝技術(shù)的頂部冷卻PQFN器件，可以通過封裝的頂部實(shí)現(xiàn)額外的功率耗散。
2010-11-01
Dual Cool封裝 MOSFET器件 PQFN器件 飛兆半導(dǎo)體
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