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星三角啟動(dòng)電路實(shí)物接線講解
星三角降壓?jiǎn)?dòng)需要：一個(gè)主電路接觸器，一個(gè)星啟動(dòng)接觸器，一個(gè)三角形運(yùn)行接觸器。最好用時(shí)間繼電器控制延時(shí)，另外主電路接觸器要加熱過(guò)載繼電器用來(lái)保護(hù)電機(jī)。星三角降壓?jiǎn)?dòng)只適用于正常運(yùn)行為三角形接線的電機(jī)。以下是星三角啟動(dòng)電路實(shí)物接線手把手講解。
2019-08-16
星三角 啟動(dòng)電路
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【干貨】用于通信的高壓升壓和反相轉(zhuǎn)換器
電子通信領(lǐng)域正迅速擴(kuò)展到日常生活的各個(gè)方面。檢測(cè)、傳輸和接收數(shù)據(jù)都需要使用大量器件，例如光纖傳感器、RF MEMS、PIN二極管、APD、激光二極管、高壓DAC等等。
2019-08-15
反相轉(zhuǎn)換器 通信
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提升高速電路設(shè)計(jì)信號(hào)完整性的5個(gè)經(jīng)驗(yàn)分享
在高速PCB電路設(shè)計(jì)過(guò)程中，經(jīng)常會(huì)遇到信號(hào)完整性問(wèn)題，導(dǎo)致信號(hào)傳輸質(zhì)量不佳甚至出錯(cuò)。那么如何區(qū)分高速信號(hào)和普通信號(hào)呢？很多人覺(jué)得信號(hào)頻率高的就是高速信號(hào)，實(shí)則不然。任何信號(hào)都可以由正弦信號(hào)的N次諧波來(lái)表示，而信號(hào)的最高頻率或者信號(hào)帶寬才是衡量信號(hào)是否是高速信號(hào)的標(biāo)準(zhǔn)。
2019-08-15
高速電路設(shè)計(jì) 信號(hào)完整性
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硬件工程師設(shè)計(jì)誤區(qū)匯總，你肯定遇到過(guò)
想要完成一個(gè)項(xiàng)目設(shè)計(jì)，就需要考慮很多因素。對(duì)于硬件工程師來(lái)說(shuō)，一不留神就會(huì)犯錯(cuò)，以下總結(jié)了一些在系統(tǒng)成本、低功耗設(shè)計(jì)、信號(hào)完整性、可靠性設(shè)計(jì)上容易陷入的誤區(qū)，供大家參考。
2019-08-15
硬件工程師 設(shè)計(jì)誤區(qū)
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電路基礎(chǔ)知識(shí)：關(guān)于各種IO輸出類型
準(zhǔn)雙向口只能有效的讀取0，而對(duì)1則是采用讀取非零的方式，就是讀入的時(shí)候要先向IO上寫(xiě)1，再讀。真正的雙向口正如其名，就是真正的雙向IO不需要任何預(yù)操作可直接讀入讀出。
2019-08-14
IO輸出 電路
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運(yùn)算放大器常見(jiàn)指標(biāo)及重要特性分析
運(yùn)算放大器（簡(jiǎn)稱“運(yùn)放”）是具有很高放大倍數(shù)的電路單元。在實(shí)際電路中，通常結(jié)合反饋網(wǎng)絡(luò)共同組成某種功能模塊。它是一種帶有特殊耦合電路及反饋的放大器。以下將為大家講解運(yùn)算放大器常見(jiàn)指標(biāo)及重要特性分析。
2019-08-14
運(yùn)算放大器
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一文看懂IGBT相關(guān)知識(shí)
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。本文將為大家詳細(xì)介紹IGBT相關(guān)知識(shí)。
2019-08-12
IGBT 開(kāi)關(guān)
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【揭秘】低功耗燒毀器件是什么操作？
在工程實(shí)踐中，更換了一個(gè)更新更好的器件，具有更低的電流損耗。結(jié)果反而發(fā)生故障，新器件甚至燒毀。還有這種操作嗎？Why？線性穩(wěn)壓器是相當(dāng)簡(jiǎn)單的器件，并沒(méi)有太多挑戰(zhàn)。盡管如此，可偶爾還是會(huì)遇到麻煩。
2019-08-09
低功耗燒毀器 線性穩(wěn)壓器
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8張圖讓你徹底理解晶體管開(kāi)關(guān)電路
晶體管（三極管）的功能之一就是作為開(kāi)關(guān)，利用其截止特性，實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)功能。但是很多人并不能很好的理解三極管的開(kāi)關(guān)功能。下面以8個(gè)實(shí)例圖片，生動(dòng)的闡述三極管作為開(kāi)關(guān)的功能。
2019-08-09
晶體管 開(kāi)關(guān)電路
- 如何解決在開(kāi)關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)？
- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
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