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氮化鎵晶體管的并聯配置應用
在功率變換器應用中，寬帶隙（WBG）技術日益成為傳統硅晶體管的替代產品。在某些細分市場的應用場景中，提升效率極限一或兩個百分點依然關系重大，變換器功率密度的提高可以提供更多應用優勢，在這種情況下采用基于氮化鎵（GaN）晶體管的解決方案意義重大。
2021-01-19
氮化鎵晶體管 柵極驅動電路 PCB
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貿澤電子推出全新LoRaWAN技術資源網站
2021年1月18日 – 專注于引入新品的全球電子元器件授權分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 推出了一個全新資源網站，專門用于介紹LoRaWAN?標準及其功能、應用與相關產品。歡迎點擊https://resources.mouser.com/lora，即可訪問這個全新的綜合性網站。
2021-01-18
貿澤電子 LoRaWAN技術 網站
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三極管的倒置狀態及其作用
集電結正偏，發射結反偏，為倒置狀態；集電結正偏，發射結正偏，為飽和狀態；集電結反偏，發射結反偏，為倒截止態；集電結反偏，發射結正偏，為放大狀態。
2021-01-15
三極管 倒置狀態
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為何eMMC芯片磨損導致MCU和車輛無法正常運作？
ODI最近對較舊的Teslas Model S和Model X車輛提出的信息要求突顯了工作負載疏忽，其中基于NVIDIA Tegra 3處理器和集成8GB eMMC NAND閃存的主控制單元（MCU）遇到了問題。
2021-01-13
eMMC芯片 MCU 車輛
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適用于現代遠程醫療應用的不斷發展的半導體技術
醫療保健繼續朝著自我治療的方向發展，而不再需要每次去醫院現場治療。除了幫助減少身體接觸外，新技術還使普通民眾獲得了用于自我監測和遠程治療的醫療保健工具，而這在以前是無法實現的。
2021-01-11
遠程醫療 應用 半導體技術
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康普觀點：2021年數據中心關鍵趨勢前瞻
2021年，數據中心將加速部署新興技術。高性能網絡不斷增長的需求，管理效率的提高以及COVID-19疫情的影響等全球重要趨勢都將對數據中心新興技術的部署產生影響。外賣訂單的增多和實體店零售購物的大幅下滑，大大推動了線上銷售的增長，也對數據中心帶來了顯著影響。以下是2021年數據中心的四大發展...
2021-01-08
康普 數據中心 關鍵趨勢
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如何有效地檢測Sic MOSFET？
隨著寬禁帶半導體技術的廣泛應用，需要將二極管在高溫和苛刻的電流循環條件下，進行各種耐久性測試，來評估其性能。毫無疑問，功率電子器件作為基本元器件，將在未來幾年中持續發展。而新型碳化硅（SiC）半導體材料更是不負眾望，它比傳統硅材料導熱性更佳、開關速度更高，而且可以使器件尺寸做到更...
2021-01-07
Sic MOSFET 寬禁帶半導體技術 二極管
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解讀跨阻放大器的結構特性與應用
用于測距和檢測的光多用于這些關鍵應用，比如先進的駕駛員輔助系統（ADAS），光探測和測距（LiDAR）以及未來的自動駕駛汽車，以及移動式脈搏血氧儀。然而，檢測信號的可靠性在很大程度上取決于檢測電路的準確性和穩定性。
2021-01-05
跨阻放大器
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嵌入式USB2 (eUSB2)標準
嵌入式USB2 (eUSB2) 規格是對USB 2.0規格的補充，前者通過支持USB 2.0接口在1V或1.2V而不是3.3V的I/O電壓下工作，解決了接口控制器與高級片上系統 (SoC)工藝節點集成的相關問題。
2020-12-30
嵌入式USB2 eUSB2
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